[FRDM-IMXRT1186] ADC電源シーケンスに関する質問（VDDA_1P8 vs 3P3） 私はFRDM-IMXRT1186（SCH-95302 Rev.A4）とRT1180データシートRev.9を確認しています。 データシートでは、VDDA_ADC_1P8 は VDDA_ADC_3P3 より先に電源を投入する必要があるとされています。しかし、FRDMボードでは、VDDA_ADC_1P8はAMS1117-1.8から供給されます。レギュレータはVDD_3V3に接続されているため、3.3Vレールのソフトスタートに従います。 さらに、VDDA_ADC_3P3はデフォルトではフローティング状態になっています（R337=DNP）。 私の質問： 1. この実装において、FRDMボードはデータシートのシーケンスに準拠しているとみなされますか？ 2. プロダクションデザインにおいて、「事前から」要件を厳密に満たすためには、PMICやENピン付きのLDOを使用することが必須ですか? 3.関連する回路図部分のスクリーンショットを添付しました。最初の投稿を分かりやすくするために、詳細な分析は下記のコメント欄に投稿します。 FRDMトレーニング i.MXRT 106x Re: [FRDM-IMXRT1186] Question about ADC Power Sequencing (VDDA_1P8 vs 3P3) こんにちは、 @rejust さん。 私たちの製品にご関心を寄せ、コミュニティをご利用いただき、本当にありがとうございます。 はい、デフォルトのFRDM-IMXRT1186回路図から、このシーケンス要件を満たす設計が意図されています。 R337はデフォルトでDNPであるため、VDDA_ADC_3P3 0 Ωバイパス経路を通じて直接VDD_3V3に紐づいていません。その代わりに、VDDA_ADC_3P3はU17 MOSFETシーケンス回路を介して供給されます。この回路はVDDA_ADC_1P8/ADC_1V8_INレールによって制御されるため、VDDA_ADC_1P8が確立されてからのみVDDA_ADC_3P3が有効になります。 プロダクションデザインにおいて、PMICは必須ではありません。SoCピンのタイミングがデータシート要件を満たしていれば、PMIC、EN制御付きのLDO/負荷スイッチ、MOSFETシーケンス回路など、信頼性の高いシーケンス方法ならいずれでも許容されます。 お役に立てれば幸いです。 よろしくお願いいたします。 5月

我能否对多核处理器使用同一个中断请求 (IRQ)？ 你好，助手 我用的是S32K358多核。 使用 Eirq 进行 I/O 中断。 我有个问题： 我希望核心0使用eirq0，核心2使用eirq1。 但是这两个中断通道触发了同一个中断处理程序SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR 问题就在这里。如果 eirq0 和 eirq1 都出现。双重核心触发 SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR。两个核心操作同一个寄存器。 这将导致软件预期出现偏差。它将清除其他未初始化的通道。   我理解对吗？   请帮帮我。 BRS   Re: Can I use the same IRQ for multi core 你好@Licunhao ， 你的理解部分正确。 在 S32K3 设备上，SIUL2 外部中断输入被分组为中断向量。因此，EIRQ0 和 EIRQ1 属于同一中断组，并由同一组中断处理程序处理，例如SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR。 因此，EIRQ0 和 EIRQ1 不能用作两个完全独立的中断向量。 如果同一个 SIUL2 中断组被路由或启用在多个内核上，则两个内核可能会进入同一个中断处理程序并访问同一个 SIUL2 寄存器。如果软件没有实现正确的多核同步和 SIUL2 中断组的所有权，则可能导致意外行为。 但是，每个单独的 EIRQ 通道仍然可以使用 SIUL2 中断标志。正确的中断处理程序应该检查哪个 EIRQ 标志处于挂起状态，并仅清除相应的标志位。状态标志不应全局清除或使用错误的掩码清除，否则可能会影响其他待处理的 EIRQ 标志。 对于多核应用程序，我建议采用以下方法之一： 将整个 SIUL2 中断组（例如 EIRQ0 到 EIRQ7）分配给一个核心。该核心应处理分组中断服务例程，并在需要时通过软件或核心间通信通知另一个核心。 如果您需要将独立的中断路由到不同的内核，请使用来自不同 SIUL2 中断组的 EIRQ 通道，例如，一个通道从 EIRQ0 到 EIRQ7，另一个通道从 EIRQ8 到 EIRQ15（如果您的引脚配置允许的话）。 如果两个核心必须访问相同的 SIUL2 寄存器，则必须通过适当的多核同步机制来保护访问。但总的来说，SIUL2 中断组的单一所有者模型更简洁、更安全。 顺祝商祺！ 帕维尔

カスタムボード上でECSPI1が期待されるSPIクロックを生成しない チームの皆さん、こんにちは。 私たちは、i.MX8MP EVK構成に基づいたi.MX8MPカスタムボードを使用しています。 i.MX8MP EVKでは、ECSPI2を通じてSPIデバイスを接続しています。既存のEVKデバイスツリー構成では、SPI通信は正常に動作しており、オシロスコープ上で期待されるSCLK波形を観測できます。 私たちのカスタムボードでは、SPIインターフェースがECSPI2ではなくECSPI1に接続されています。 そこで、デバイスツリーの設定をECSPI1を使用するように変更しました。しかし、ECSPI1では、SCLKピンで期待される/正しいSPIクロックパルスを観測することができません。 様々なデバイスツリー構成を試してみましたが、問題は解決しません。 1. 既存のECSPI2構成に類似したECSPI1 コントローラーをECSPI2からECSPI1に変更し、対応するECSPI1のpinctrlグループを作成しました。これにはSCLK、MOSI、MISO、CSが含まれます。 2. 別々のCS pinctrlグループ また、別のpinctrl_ecspi1_csを定義してECSPI1のpinctrlグループと組み合わせて使うことも試みました。 3. 明示的なECSPI1ピン多重化構成 ECSPI1のピンを明示的に定義することも試みました。 しかし、ECSPI1では、期待されるSPIクロックパルスを観測することができませんでした。 i.MX8MPでECSPI1を設定する際に、&ecspi1を有効にしてECSPI1のSCLK/MOSI/MISO/CSピンを設定する以外に、デバイスツリーやpinctrlの変更が必要かどうかを知りたいです。 特に、ECSPI1を正しく動作させるために、ECSPI1固有のpinctrl、clock、IOMUX、またはその他のデバイスツリー構成を追加する必要があるでしょうか？ 同じSPI構成がECSPI2でも動作するため、インターフェースをECSPI2からECSPI1に移す際に追加設定が必要かどうかを理解したいです。ご指導ありがとうございます。 Re: ECSPI1 does not generate expected SPI clock on custom board こんにちは 、 添付ファイルにdtsファイルがありますのでご確認ください。 Re: ECSPI1 does not generate expected SPI clock on custom board こんにちは、 @SWETHA1さん ECSPI1に関するdtsファイルを共有してください。 B.R Re: ECSPI1 does not generate expected SPI clock on custom board こんにちは@pengyong_zhangさん 以下に観察結果を示します。 1. 提案された変更を適用した場合のロジックアナライザーの結果 2. 以前に添付した dts の上に以下のパッチを使用した際のもう 1 つの観察結果 上記のグラフはこの変化とともに観察されました pinctrl_ecspi1: ecspi1grp { FSL,ピン = < MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_SCLK__ECSPI1_SCLK 0x80 MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_MOSI__ECSPI1_MOSI 0x80 MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_MISO__ECSPI1_MISO 0x80 >; }; 提案された変更により、時計は予想通りではない可能性があります。 Re: ECSPI1 does not generate expected SPI clock on custom board こんにちは、 @SWETHA1さん dtsファイルを確認したところ、以下のエラーが見つかりました。 1. ECSPIピンが再利用されたため、ピン使用の競合が発生しています。この部品を取り外すか、再利用のために別のピンを使用してください。     pinctrl_ecspi1: ecspi1grp {         fsl,pins = <             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_SCLK__ECSPI1_SCLK       0x48             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_MOSI__ECSPI1_MOSI       0x48             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_MISO__ECSPI1_MISO       0x48         >;     };     pinctrl_uart3: uart3grp {         fsl,pins = <             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_SCLK__UART3_DCE_RX      0x140             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_MOSI__UART3_DCE_TX      0x140             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_SS0__UART3_DCE_RTS      0x140             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_MISO__UART3_DCE_CTS     0x140         >;     }; 2. ECSPI1のチップセレクト（CS）構成に矛盾があります。以下のコードに変更してください。     pinctrl_ecspi1_cs: ecspi1cs {         fsl,pins = <             MX8MP_IOMUXC_ECSPI1_SS0__GPIO5_IO09     0x40000         >;     }; B.R Re: ECSPI1 does not generate expected SPI clock on custom board 前回の回答にもう少し詳細を追加します。 観察結果1：提案されたDTS変更を適用した後に得られた結果。しかしながら、SPIクロック波形は依然として期待どおりではなく、SPI信号全体の挙動も期待される結果と一致しない。 観察2：MISOをフローティング状態にすると、CSに2つの望ましくないスパイクが現れますが、これは望ましい動作ではありません。CSは最初は低く抑えられます。CSをDTSを介してハイレベルに駆動するように設定した場合でも、最初は期待どおりハイレベルに駆動されますが、トランザクションが完了すると、CSは再びローレベルに戻ってしまうようです。 この件についてのご見解を共有し、今後の進め方を教えていただけませんか

[FRDM-IMXRT1186] 关于ADC电源时序的问题（VDDA_1P8 与 3P3） 我正在查看 FRDM-IMXRT1186 (SCH-95302 Rev.A4) 和 RT1180 数据手册 Rev.9。 数据手册要求在给 VDDA_ADC_3P3 供电之前给 VDDA_ADC_1P8 供电。然而，在FRDM板上，VDDA_ADC_1P8来自AMS1117-1.8。稳压器与 VDD_3V3 连接，这意味着它遵循 3.3V 电源轨的软启动。 此外，VDDA_ADC_3P3 默认处于浮空状态（R337=DNP）。 我的问题： 1.根据这种实现方式，FRDM板是否符合数据手册的顺序要求？ 2.对于生产设计，是否必须使用带 EN 引脚的 PMIC 或 LDO 才能严格满足“之前”的要求？ 3.我已附上相关原理图部分的截图。为了保持这篇初始帖子的清晰性，我将在下面的评论中发布我的详细分析。 FRDM 培训 i.MX RT106x Re: [FRDM-IMXRT1186] Question about ADC Power Sequencing (VDDA_1P8 vs 3P3) 嗨@rejust ， 非常感谢您对我们产品的关注以及对我们社区的使用。 是的，从默认的 FRDM-IMXRT1186 原理图来看，该设计旨在满足此时序要求。 R337 默认处于 DNP 状态，因此 VDDA_ADC_3P3 不会通过 0 Ω 旁路路径直接连接到 VDD_3V3。相反，VDDA_ADC_3P3 通过 U17 MOSFET 时序电路供电。该电路由 VDDA_ADC_1P8 / ADC_1V8_IN 轨控制，因此只有在 VDDA_ADC_1P8 建立后，VDDA_ADC_3P3 才能使能。 对于产品设计而言，电源管理集成电路（PMIC）并非必需。任何可靠的时序方法都是可以接受的，例如 PMIC、带 EN 控制的低压差线性稳压器(LDO)/负载开关或 MOSFET 时序电路，只要 SoC 引脚的时序满足数据手册的要求即可。 希望对你有帮助 顺祝商祺！ 5月

关于MW6S010GNR1替代部件的询价 尊敬的支持团队： 零件编号 MW6S010GNR1 已停产。请问您能否推荐一些同等规格的替代型号？我们的应用领域是工业宽带射频设备。非常感谢 Re: Inquiry on Alternative Parts for MW6S010GNR1 **MW6S010GNR1 状态及推荐替代方案** ### 部件概述 **MW6S010GNR1**（NXP / 前 Freescale）是一款 **10 W，28 V LDMOS** 射频功率晶体管，专为宽带应用而设计。 | 参数 | 值 | |------------------------|--------------------------------| | 频率范围 | 450 – 1500 MHz | 输出功率：10 瓦 | 供电电压 | 28V（最高可达32V） | | 典型增益 | ~18 dB @ 960 MHz | | 包装 | TO-270-2 鸥翼 (GNR1) | | 应用领域 | A类/AB类射频、基站、宽带工业射频 | **状态**：已停产/产品生命周期结束（NXP 无线电电源产品线逐步淘汰的一部分）。 预计最后一次购买日期在**2026年9月30日**左右，最终发货日期定于**2027年**。 --- ### 推荐的同等/替代型号 NXP目前没有**完全引脚匹配的即插即用型替代品**。以下是适用于工业宽带射频设备的最接近的实用替代方案。所有这些都需要进行相应的网络重新优化。 | 优先级 | 零件编号 | 制造商 | 主要规格 | 包装 | 备注/兼容性 | |----------|----------------------|--------------|----------------------------------------|--------------|-----------------------| | 1 | **MW6S010NR1** | NXP | 与 GNR1 具有相同的电气规格 | TO-270-2 | 同一芯片的非鸥翼版本。该产品也已停产，但可能仍有少量库存。| | 2 | **BLP15H9S10G** 或 **BLP15H9S10** | Ampleon | 10 W，50 V，超宽带 (1–2000 MHz) | TO-270 | 优秀的宽带工业替代方案。电压更高，需要相应的重新设计。| | 3 | **BLP15M9S30G** / 相关 28–32 V 设备 | Ampleon | 30 W 级，1–1500 MHz，32 V | TO-270 | 如果裕量可以接受，则可选择更高的功率。| | 4 | **AFT27S010N** | NXP | ~10 W，28 V，更宽的频率覆盖范围 | 塑料 | 新一代产品，但封装不同，需要匹配。查看当前库存情况。| | 5 | 其他 10W/28V LDMOS | Ampleon / Infineon | 多种 | TO-270 或类似封装 | 搜索 10W 级无匹配宽带 LDMOS。 | --- ### 工业宽带应用的实用建议 1. **短期** - 查看**MW6S010GNR1**和**MW6S010NR1**的最后购买截止日期剩余库存。 - 如果引脚兼容性至关重要，请优先选择 NR1 版本（如有）。 2. **中长期（推荐）** - 迁移至 **Ampleon BLP15H9S10(G)** 系列。这些是现代的、宽带的、坚固耐用的 LDMOS 设备，常用于工业、ISM 和宽带射频应用。 - 它们提供更好的长期可用性和支持。 3. **设计说明** - 预计需要重新设计输入/输出匹配网络。 - 在您的特定工业环境中验证热性能、偏置点 (IDQ) 和 VSWR 耐用性。 - 确认封装尺寸和焊接规格是否兼容。 --- 你想让我做什么？ - 比较 MW6S010GNR1 与特定替代器件（例如）之间的详细电气参数（增益、效率、电容）。BLP15H9S10G）？ - 能否帮忙查询推荐零件的当前库存/价格？ - 建议提供匹配的电路参考或评估板？ 如果您需要更有针对性的建议，请告知您的具体频率范围、功率要求和首选供电电压。 电子邮件：[email protected]

在 AWS 或 GCP 云平台上构建 NXP Android 16 BSP – 经验、设置和构建时间 大家好， 我目前正在 为 NXP i.MX 95 设置 Android 16 ，并且希望在云环境中构建 NXP BSP。 我使用的版本是： Android 16.0.0_2.0.0 (L6.18.20_2.0.0 BSP) 我目前正在考虑使用AWS 或 Google Cloud Platform (GCP)作为版本环境，而不是本地工作站。 因此，我想请教各位： NXP 是否有关于 在AWS或GCP上构建Android电路板支持包。的官方文档或建议？ 有人已经在AWS或GCP上成功构建过这个Android BSP吗？ 您使用的是哪种实例/虚拟机配置（CPU、内存、存储等）？ 在您的环境中，完成一个完整的 BSP 构建大约需要多长时间？ 每次版本的云成本 大约是多少 ？ 在云环境中构建 BSP 时，有哪些需要注意的具体问题或限制？ 我特别感兴趣的是实际经验，例如哪种云实例类型效果好，以及在内存、磁盘空间、CPU 核心、存储性能或构建并行化方面是否有任何重要的考虑因素。 任何建议、配置示例或经验教训都将不胜感激。 感谢您分享您的经验！ 此致 脸书 Re: Building NXP Android 16 BSP in AWS or GCP Cloud – Experience, Setup and Build Times 你好@Feevlic 希望你一切都好。 我们没有针对该特定场景的 Android 编译文档。 该过程应与物理机器相同。 请尝试按照UG10156安卓用户指南中的步骤操作。 顺祝商祺！ 萨拉斯。

プロジェクト名を変更したことで、プロジェクト全体が失われてしまった。 飢えと空を見上げる S32DS 3.5 同様の新しいプロジェクトに直面して 古いプロジェクトの名前を変更する 新しいプロジェクトはまだ始まってもいないのだから、それでいいだろう。 彼らは私の古いプロジェクトも削除しました！ エクスプローラーは元のプロジェクトフォルダーを見つけることができません。 chkdskはエラーがないことを示しています！ 既存の古いプロジェクトをどうにかして立て直せばいいでしょうか？ また、[数字で始まるプロジェクト名]が無効となるのはなぜですか？ ネタバレ （ハイライトして読む） S32DS-ARM S32DS-S32PLATFORM #名前変更 #名前変更 Re: Project [Rename] , 造成 整個 Project 丟失 同じプロジェクトの他のユーザー向けにPythonで小さなツールを書くために、このプロジェクトフォルダに多くのサブフォルダを手動で追加しました。 ご存知のとおり、Python の `venv` 関数と PyInstall には大量のゴミが存在します。 `プロジェクト名変更`機能には、サブフォルダやファイルが多すぎる可能性がありますか？ Re: Project [Rename] , 造成 整個 Project 丟失 > 1. リサイクルボックス。 日時順に並べ替え > 2.ワークスペースパスを選び、新しく名前が変更されたプロジェクト(C:\Users\'xxx'\workspaceS32DS.3.5の下)や、プロジェクト作成に使ったカスタムパスを探してください。 C:\Users\user\の下に「Wxxx」フォルダはありません。    Cドライブに空き容量がありません。 FreeSpace 😧 プロジェクト名を変更する前は100GB未満でした。 D:\Project\NXP\xxx\ のカスタムパスが消えてしまいました。 3. Windows ファイル履歴（有効になっている場合）。 なし 😞  .metadataフォルダにはログファイルと.plugins\のみが含まれていますフォルダ もしあなたがこの問題について言及しているのなら: Eclipse: プロジェクトエクスプローラーからすべてのプロジェクトが消えた - Stack Overflow 、それらのフォルダーはまだ存在します!だから、彼らは『5』を。ファイル→インポートを実行する 私の場合は、前のプロジェクトのすべてのフォルダが削除されました! Re: Project [Rename] , 造成 整個 Project 丟失 こんにちは、 @CY9 さん。 Eclipseの「名前変更」機能は、新しいプロジェクトを作成し、古いプロジェクト全体をコピーし、古いプロジェクトを削除して新しいプロジェクトを保持します。Eclipse は、プロジェクトフォルダがデフォルトのワークスペースの下にある場合にのみプロジェクトフォルダの名前を変更するようです。カスタムの場所にプロジェクトを作成した場合、プロジェクトフォルダの名前は変更されず、内部参照と .project ファイルの名前のみが変更されます。 以前のプロジェクトを削除していない限り、おそらくハードドライブに残っているはずです。以下の点を確認してみてください。 1. リサイクル用ゴミ箱。 2. ワークスペースパスを選び、新しく名前が変更されたプロジェクト(C:\Users\'xxx'\workspaceS32DS.3.5)またはプロジェクト作成に使ったカスタムパスを探します。 3. Windowsのファイル履歴（有効になっている場合）。 最後に、.metadataを確認することも試してみてくださいフォルダを開き、プロジェクト参照の旧名または新名を探してください。 出典:m2eclipse - Eclipseでプロジェクトの名前を変更するとファイルシステムのプロジェクトフォルダも名前変更されるべきか?- Stack Overflow、Eclipse:プロジェクトエクスプローラーからすべてのプロジェクトが消えました - Stack Overflow、Java - ファイルシステムを通じてEclipseワークスペース内のプロジェクト名を変更し、現在は開けません。- Stack Overflow、プロジェクトの名前変更 Eclipse ヘルプ  これがお役に立てば幸いです。 よろしくお願いします、 ジュリアン Re: Project [Rename] , 造成 整個 Project 丟失 こんにちは、 @CY9 さん。 これはサブフォルダの数が原因ではないと思います。ログインメタデータから、名前変更操作が「2026-08-10」に失敗したことがわかります: !ENTRY com.nxp.s32ds.ext.ide.core 4 0 2026-08-10 08:50:24.109 !MESSAGE Unexpected error during rename !STACK 1 あなたが名前を変更しようとしていたプロジェクトは「202503021_App_118」で、それを「ADB22pxAPP_VR」に変更しようとした、ということでしょうか？以下のエラーが見えます: org.eclipse.core.internal.resources.ResourceException(/ADB22pxAPP_VR)[374]: java.lang.Exception: Resource '/ADB22pxAPP_VR' already exists. しかし、これが根本原因かどうかはわかりません。既に存在するプロジェクト名に変更しようとしましたが、できませんでした。 ですので、この情報だけで結論を出すことはできません。私がおすすめできるのは、202503021_App_118と、ADB22pxAPP_VRの両方をRecuvaでディスク全体をスキャンすることです。プロジェクトの復旧が不可能な場合、他に利用できる解決策があるかどうかは分かりません。 よろしくお願いします、 ジュリアン Re: Project [Rename] , 造成 整個 Project 丟失 うん、 ` ADB22pxAPP_VR\` は存在しないと確信しています。 それが本当に存在していて、あなたのプログラムがそれを見つけたとしても。 名前変更機能を停止させるべきでしょうか？ 実際には、ディレクトリ全体が削除されました。 何が起きたのか全くわかりません。 Recuvaはどのフォルダも見つけられません。 できるだけ早くファイルを救出しようとしています。 ご心配いただきありがとうございます。

i.MX8M Plus EXT4 文件系统错误 i.MX8M Plus EXT4 文件系统错误 EXT4 文件系统错误（设备 dm-6）：ext4_find_dest_de:2030：inode #228492：块 918033：comm Binder:296_3：目录中的条目错误：rec_len 小于最小值 - offset=0，inode=0，rec_len=0，lblk=0，size=4096 fake=1

i.MX8M Plus EXT4-fs エラー i.MX8M Plus EXT4-fs エラー EXT4-fs エラー (デバイス dm-6): ext4_find_dest_de:2030: inode #228492: ブロック 918033: comm Binder:296_3: ディレクトリ内のエントリが不正です: rec_len が最小値より小さい - offset=0、inode=0、rec_len=0、lblk=0、size=4096 fake=1

AWS または GCP Cloud でのNXP Android 16 BSP構築 – 経験、セットアップ、ビルド時間 こんにちは、皆さん 現在、NXP i.MX 95用のAndroid 16を設定しており、NXP BSPをクラウド環境で構築したいと考えています。 私が使用しているリリースは以下のとおりです。 Android 16.0.0_2.0.0 (L6.18.20_2.0.0 BSP) 現在、ローカルワークステーションの代わりにAWSやGoogle Cloud プラットフォーム(GCP)をビルド環境として使うことを検討しています。 そこで、コミュニティの皆様に以下のことをお願いしたいと思います。 AWS または GCP でAndroid BSPを構築するための公式なNXPのドキュメントや推奨はありますか? すでに AWSやGCP でこのAndroid BSPを成功裏に構築した方はいらっ しゃいますか? どのインスタンス／VM構成（CPU、RAM、ストレージなど）を使用しましたか？ あなたの環境では 、BSPの完全なビルド には おおよそどのくらいの時間が かかりますか？ 構築ごとのクラウドコストは おおよそいくらでしたか ？ クラウド環境でBSPを構築する際に注意すべき具体的な問題や制限はありますか? 私は特に実践的な経験に興味があります。例えば、どのクラウドインスタンスタイプがうまく機能したか、また、 RAM、ディスク容量、CPUコア、ストレージパフォーマンス、ビルドの並列化に関して重要な考慮事項があるかどうかなどです。 推奨事項、設定例、または教訓などがあれば、大変ありがたいです。 体験談を共有していただき、ありがとうございます！ よろしくお願いします フェイスブック Re: Building NXP Android 16 BSP in AWS or GCP Cloud – Experience, Setup and Build Times こんにちは、 @Feevlicさん お元気でお過ごしのことと思います。 Androidのコンパイルに関する具体的なシナリオに関するドキュメントはありません。 そのプロセスは、物理的な機械の場合と同じであるべきだ。 UG10156 Androidユーザーガイドの手順に従ってください。 よろしくお願いいたします。 サラス。

mc9s08qg8 ドライバ デバイスマネージャー: Jungo コネクティビティ WinDriver:Windowsはこのデバイスに必要なドライバーのデジタル署名を検証できません。最近のハードウェアやソフトウェアの変更により、誤って署名されたり損傷したファイルがインストールされたり、未知のソースからの悪意のあるソフトウェアがインストールされた可能性があります。（コード52）   pemicrowindvr: このデバイスは正常に動作しています。   これらはJungoで使っているドライバーです!!   あなたの入力:   USB Multilink Universal および USB Multilink Universal FX 技術概要 [USBMLUNIVERSALFX] ドキュメントの第6章「ドライバーインストール」では、P&Eの「Support Center」>Downloadsからドライバーインストールプログラムのコピーをダウンロードできると記載されています。ドライバーを更新する必要があるなら。よろしくお願いします、   これはどういう意味ですか？ここで Wiztronics.com P&Eインターフェースボード用のBDMドライバーを入手できますか? Re: mc9s08qg8 drivers こんにちは、 他の投稿で言及したのは、あなたがP&E USB MULTILINK Universalを使っている場合、サポートページでパッチやドライバーのアップグレードをダウンロードするようにリダイレクトされる可能性があるということです。もし誤ったドライバーを持っている場合に役立つかもしれないリソースを見つけました。 このページでは、CodeWarrior v10.2以降およびv6.3向けのパッチが記載されており、OSでPEハードウェアが検出できない場合にサポートできるようになっています。PEmicro FAQ ID 211 別の選択肢 :USB Multilink Resources Install は、古いソフトウェアを運用する場合に備えたUSB Multilink Universalのリソースパッケージです。 また、どのバージョンのUSBマルチリンクユニバーサルを使っているのか教えてもらえますか? パートナーのページなので効果は保証できませんが、あなたの問題に対するドライバーの修正方法を教えてくれるかもしれません。この情報が役に立てれば幸いです。もし効果があれば教えてください よろしくお願いいたします。

MC3377ASP1 AFE 正在燃烧 大家好， 我的电池管理系统应用使用的是MC33774SP1 AFE。我用它来测量电池电压，并在我的板上进行电池均衡（外部+内部）。虽然我最初是为 18 节电池设计的，但我现在把它用于 15 节电池组。我将最后三个端子短接，使其成为 15 秒。我遇到了AFE烧毁问题，Vbat和接地引脚短路，IC上出现了火苗。我附上原理图供您参考。请问您能否就此方面给予我一些指导？ 另外，我在 VBAT 和 VSTACK 引脚之间使用了一个唤醒电路来唤醒我的电池管理系统。 Re: MC3377ASP1 AFE is Burning 您好， MC33774ASP1 可以用于 15 秒配置，但未使用的上通道必须正确连接。对于 15 秒堆叠，活动小区连接应使用 CT0 到 CT15 和 CB0 到 CB15。未使用的上部引脚应连接到使用最多的单元节点，这意味着 CT16、CT17 和 CT18 应连接到 CT15，CB16、CB17 和 CB18 应连接到 CB15。 原理图中一个重要的问题是 VBAT/VSTACK 连接。VBAT 似乎是通过二极管电路从 VSTACK 供电的。请注意，VBAT 必须密切跟踪最高的 CT/CB 细胞节点。尤其需要注意的是，VBAT 与最高 CB 节点之间的电压差必须保持在数据手册规定的范围内。如果二极管路径或唤醒电路在 VSTACK/最高 CT/CB 和 VBAT 之间产生电压下降或瞬态差，这可能会使器件过载。 请在继续进行通电测试前检查以下几点： 1. 确认 CT16、CT17 和 CT18 在本地与 CT15 连接，并且 CB16、CB17 和 CB18 在 15s 配置中与 CB15 连接。 2. 确认 VBAT 通过推荐的 VBAT 滤波器连接到实际的堆叠顶部节点，并且唤醒电路不会在 VBAT 和最高 CT/CB 节点之间引入二极管压降或瞬态偏移。 3. 在电池组连接、唤醒和上电期间测量 VBAT、VSTACK、CT15 至 CT18 和 CB15 至 CB18。瞬态行为很重要，而不仅仅是稳态电压。 4. 确认未使用的上通道的平衡和测量功能已禁用。 5. 确认未使用通道的外部平衡 MOSFET 电路不会产生任何意外的电流路径。 6. 请同时核实 CT/CB 感应线路上的电容器值。如果在每个电池接头处使用大容量电容，电池组连接期间的浪涌电流可能会导致瞬态过应力。 根据故障的破坏性性质，VBAT 和地线短路，IC 损坏可见，这应视为可能的硬件过载情况。我建议停止进一步的通电测试，直到通过测量验证 VBAT/VSTACK 关系和未使用的单元连接。 BRs，托马斯 Re: MC3377ASP1 AFE is Burning 你好，托马斯。 感谢您的及时回复。 我发现的一个问题是，我的 VBAT 和 CB18 之间的电压差约为 1.6V，这比推荐值 0.4V 要高。我怀疑这可能是导致我的AFE烧毁的原因。我正在进一步核实，稍后会公布结果。 谢谢，此致敬礼！ 阿比谢克

マルチコアでも同じIRQを使ってもいいですか こんにちはヘルパー 私はS32K358マルチコアを使用しています。 入出力割り込みにEirqを使用します。 質問があります： core0にはeirq0を、core2にはeirq1を使用させたい。 しかし、2つのIRQチャネルは同じIRQハンドラーをトリガーしますSIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR SO there is the problem.eirq0とeirq1の両方が来た場合。両方のコアトリガー SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR。両方のコアは同じレジスタを操作します。 それはソフトウェアの期待値を悪くするでしょう。他の非initチャネルはクリアされます。   私の理解は正しいですか？   どうか助けてください。 兄弟   Re: Can I use the same IRQ for multi core こんにちは、 @Licunhao さん。 あなたの理解は部分的に正しいです。 S32K3デバイスでは、SIUL2外部割り込み入力は割り込みベクタにグループ化されます。したがって、EIRQ0とEIRQ1は同じ割り込みグループに属し、例えばSIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISRのような同じグループ化された割り込みハンドラによって処理されます。 したがって、EIRQ0とEIRQ1は完全に独立した割り込みベクトルとしては使えません。 同じSIUL2割り込みグループが複数のコアでルーティングまたは有効化されている場合、両方のコアが同じ割り込みハンドラに入り、同じSIUL2レジスタにアクセスすることがあります。これにより、ソフトウェアが適切なマルチコア同期やSIUL2割り込みグループの所有権を実装しない場合、予期せぬ挙動を引き起こすことがあります。 しかし、SIUL2割り込みフラグは個々のEIRQチャネルごとに依然として利用可能です。正しい割り込みハンドラは、どのEIRQフラグが保留中かを確認し、対応するフラグビットのみをクリアする必要があります。ステータスフラグはグローバルにクリアされるべきでなければならず、誤ったマスクで解除されるべきではありません。そうでなければ、別の保留中のEIRQフラグに影響が出る可能性があります。 マルチコアアプリケーションには、以下のいずれかのアプローチをお勧めします: 例えば、EIRQ0からEIRQ7までのSIUL2割り込みグループ全体を1つのコアにのみ割り当てます。このコアはグループ化されたISRを処理し、必要に応じてソフトウェアやコア間通信で他のコアに通知します。 異なるコアに独立した割り込みルーティングが必要な場合は、異なるSIUL2割り込みグループのEIRQチャネルを使用してください。例えば、EIRQ0からEIRQ7への1チャネルとEIRQ8からEIRQ15への別のチャネルなどです。これはピン設定で可能であれば可能です。 両方のコアが同じSIUL2レジスタにアクセスする必要がある場合、適切なマルチコア同期機構によってアクセスが保護されなければなりません。しかし一般的に、SIUL2割り込みグループの単一所有者モデルの方がクリーンで安全です。 よろしくお願いいたします。 パベル

MC3377ASP1 AFEが燃焼中 こんにちは、皆さん BMSアプリケーションにはMC33774SP1 AFEを使っています。私はこれを基板上のセル電圧測定、セルバランス調整（外部＋内部）に使用しています。18セル用に設計しましたが、現在は15セルバッテリーパックに使用しています。最後の3つの端子を短絡させて15秒にします。AFEの発火問題に直面しており、Vbatピンとグランドピンが短絡し、IC上で発火が確認されています。参考までに、回路図も添付いたします。この件に関して、ぜひアドバイスをいただけますか? また、VBATピンとVSTACKピンの間にBMS用のウェイクアップ回路を使用しています。 Re: MC3377ASP1 AFE is Burning こんにちは、 15秒構成でこのMC33774ASP1を使用することは可能ですが、未使用の上層チャンネルは正しく接続されなければなりません。15秒スタックの場合、アクティブセル接続にはCT0からCT15、およびCB0からCB15を使用する必要があります。未使用の上部ピンは最も高い使用セルノードに接続されるべきであり、CT16、CT17、CT18はCT15に、CB16、CB17、CB18はCB15に結びつけるべきです。 回路図から見て重要な懸念事項の一つは、VBAT/VSTACKの接続である。VBATはダイオード回路を介してVSTACKから供給されているようです。VBATは最も高いCT/CB細胞ノードを厳密に追跡する必要があることにご注意ください。特に、VBATと最も高いCBノード間の電圧差は、データシートの許容範囲内に収まる必要があります。ダイオード経路やウェイクアップ回路がVSTACK/最高電流(CT/CB)、VBAT間に電圧降下や過渡差を生じさせると、デバイスに過負荷がかかる可能性があります。 電源投入テストを続行する前に、以下の点を確認してください。 1. CT16、CT17、CT18がローカルでCT15に接続されていること、そしてCB16、CB17、CB18がローカルでCB15に接続されていることを確認し、15s構成を行ってください。 2. VBATが推奨されるVBATフィルターを介して実際のトップオブスタックノードに接続されていること、そしてウェイクアップ回路がVBATと最も高いCT/CBノード間でダイオードドロップや過渡的なオフセットを発生させていないことを確認します。 3. パック接続、ウェイクアップ、電源アップ時にVBAT、VSTACK、CT15からCT18、CB15からCB18までを測定します。定常電圧だけでなく、過渡的な挙動も重要です。 4. 未使用の上位チャネルのバランスと測定が無効になっているか確認してください。 5. 未使用チャネルの外部バランシングMOSFET回路が意図しない電流経路を生み出さないことを確認します。 6. CT/CBセンサーラインのコンデンサ値も確認してください。各セルタップに大型コンデンサを使用すると、パック接続時の突入電流によって一時的な過負荷が発生する可能性がある。 VBATとグランドが短絡し、ICに目に見える損傷が生じているという、破壊的な故障の性質に基づくと、これはハードウェアの過負荷状態である可能性が高いと考えられます。VBAT/VSTACKの関係と未使用セルの接続が測定によって検証されるまで、それ以上の通電テストは中止することをお勧めします。 BRs、トーマス Re: MC3377ASP1 AFE is Burning こんにちは、トーマス。 迅速なご返信ありがとうございます。 私が発見した問題点の1つは、VBATとCB18の差が約1.6Vで、推奨値の0.4Vを超えていたことです。それがAFEの燃焼の原因になっているのではないかと疑っています。さらに詳しく調べて、結果を報告します。 よろしくお願いいたします。 アビシェク

mc9s08qg8 驱动程序 设备经理： Jungo连接 WinDriver：Windows 无法验证此设备所需驱动程序的数字签名。最近的硬件或软件变更可能导致安装了签名错误或损坏的文件，或者安装了来自未知来源的恶意软件。（代码 52）   pemicrowindvr：此设备运行正常。   这些是我在Jungo的司机！！！   您的输入：   在《USB Multilink Universal 和 USB Multilink Universal FX 技术概要 [USBMLUNIVERSALFX]》文档的第六章“驱动程序安装”中提到，如果需要更新驱动程序，可以从 P&E 页面“支持中心”>“下载”下载驱动程序安装程序。此致，   你这话是什么意思？请问我可以在这里找到适用于我的 Wiztronics.com P&EP 接口板的 BDM 驱动程序吗？ Re: mc9s08qg8 drivers 你好， 我在之前的帖子中提到过，由于您使用的是 P&E USB 多链路通用接口，支持页面可能会引导您下载驱动程序的补丁或升级程序。如果您遇到了驱动程序不正确的问题，我找到了一些可能对您有帮助的资源。 本页中提到了一些针对 CodeWarrior v10.2 或更高版本以及 v6.3 的补丁，以便在操作系统未检测到 PE 硬件时添加对 PE 硬件的支持。PEmicro 常见问题解答 ID 211 另一个选项是USB Multilink Resources Install，这是一个适用于 USB Multilink Universal 的资源包，用于运行较旧的软件。 另外，能否告知我们您使用的USB Multilink Universal的具体版本？ 我无法保证这个方法一定有效，因为它是合作伙伴页面，但它或许能引导您找到解决您问题的驱动程序修复方案。希望这些信息对您有所帮助，如果有效请告诉我。 顺祝商祺！

HSE AB Swapはベアメタル状態では動作するが、S32K312でMCALクロック設定後に失敗する。 こんにちは、 私は、HSEファームウェアバージョン0.2.55.0（ab_swapバリアント）を搭載したS32K312 MINI-EVB上で、HSE-B AB Swapに取り組んでいます。当該ボードはOEM_PRODライフサイクルにあり、バンクAは現在アクティブ状態です。両方のバンクは同じHSEファームウェアバージョンを使用しています。 ベアメタル環境でメイン関数がHSE INIT_OKをポーリングし、その後アクティブパッシブブロックサービスを送信する、動作するリファレンスがあります。その呼び出しは成功を返し、スワップは次のリセット時に適用されます。バンクBには、RM00286のセクション11.3に従って下位アドレス空間用にコンパイルされたポインタを含む有効なIVTが含まれています。 MCALクロック初期化後にブートローダーに移動された同じMU送信コードは、HSE応答55A5A26A（無効なアドレス）を返します。HSE INIT_OKは設定されたままです。他のHSEサービス(AES、RSA、SHA)はこの州で正常に機能しています。正常に動作する実行と失敗する実行の唯一の違いは、ブートローダーパスがクロック初期化中にMC_CGM MUX 0分周器レジスタに書き込み、ソースをFIRCに維持しつつ、AIPS_SLOWとHSE_CLKの比率を1:1（SBAFのデフォルト）から1:4に変更することです。 私の主な疑問は、アクティブパッシブブロックサービスにおいて、無効なアドレス応答が何を指すのかということです。このサービスはデータ構造を受け付けないのですが。HSEがINIT_OKに達した後、この特定のサービスが使用可能な状態を維持するために、MC_CGMディバイダを再構成するための手順が文書化されていますか？ 故障したバイナリ、レジスタダンプ、クロック設定はリクエストがあれば共有できます。 よろしくお願いします。 Re: HSE AB Swap works from bare metal but fails after MCAL clock setup on S32K312 こんにちは、デイビッドさん。 DCFクライアントに関するご指導、ありがとうございました。最初の試みで正しく設定できるように、いくつか確認していただけますか: 1. リストの5番目の項目には、MC_CGM MUX 0のソースはPLL_PHI0でなければならないと書かれています。これは厳密な要件なのでしょうか?アクティベートパッシブブロックサービスはシステムクロックをPLLで行う必要がありますか?それともFIRC(48MHz)で動作するシステムでも動作可能ですか? 2. 同じリストの先のポイント1から4までを教えてもらえますか?画像にはポイント5と6しか表示されておらず、前提条件が不足していると思われます。 3. ポイント6は、120MHz HSEクロックシナリオにおけるDCF値を示しています。48 MHz FIRC構成で、AIPSスロークロックが12 MHz（1:4比）の場合、UTEST_MISC DCFレコードのクロックモードとガスケット制御ビットフィールドにはどのような値をプログラムすればよいでしょうか？ 4. このレコードの正確なU S32K312 TESTアドレスはどこで、安全にプログラムできるサンプルやDesign Studio/Cycloneのアルゴリズムファイルはありますか?UTESTは一度しかプログラムできないため、書き込みを行う前に確実に確認しておきたい。 5. UTEST_MISC以外に、AB Swapに必要なDCFレコードはありますか？例えば、UTEST内のOTA有効化マーカーや、アクティブブロックとパッシブブロック内のOTAインジケーターなどです。はいの場合、それらも共有してください。ボードの状況: HSEファームウェア0.2.55.0 ab_swapバリアント、OEM_PRODライフサイクル、INIT_OKおよびOEM SU権限ビットが設定されています。 どうもありがとう、 Re: HSE AB Swap works from bare metal but fails after MCAL clock setup on S32K312 おそらく、あなたが説明したような使い方をするために必要なDCFクライアントの設定が完了していないのでしょう。 Re: HSE AB Swap works from bare metal but fails after MCAL clock setup on S32K312 1)私は5番目の項目ではなく、6番目の項目のスクリーンショットを撮りたかったのです。 2) これはRMから引用したものです。 3) 重要な点は、1:4の比率です。また、RM埋め込み添付ファイル（S32K3xx_DCF_clients.xlsx）にも記載されています。 4) プログラムする DCF レコードのアドレスは自分で見つける必要があります (0xFFFF_FFFF の最初の場所を見つける)。具体的にはアドレス0x1B000780付近にあるはずですが、プログラミング前に必ず確認してください。 DCFの記録を理解するには、以下の文書を参照してください。 https://community.nxp.com/t5/MPC5xxx-Knowledge-Base/MPC57xx-DCF-records/ta-p/1114884 また、DCFカリキュレータも存在します: https://community.nxp.com/t5/S32K-Knowledge-Base/S32K344-DCF-Configurator/ta-p/1986243 私はTRACE32スクリプトを以下のように使用しています。 ; プログラムUTEST Do ~~\demo\arm\flash\s32K3.cmm PrepareOnly flash.Program 3. /OTP ;S32K344 DCFコンフィギュレータによって生成された行を挿入します data.set 0x1B000780 %QUAD 0x0010000460000101 ;dcf_client_utest_misc フラッシュプログラムオフ 前述のDCF電卓は、どのプログラマーやデバッガーでもプログラム可能なSレコードを作成することも可能です。 5) OTAフラグはHSEのFWをインストールする際に自動的にプログラムされAB_SWAP、ユーザーは気にする必要がありません。他に必要とされるDCFの設定については存じ上げません。 Re: HSE AB Swap works from bare metal but fails after MCAL clock setup on S32K312 こんにちは、 フォローアップ：ご指示に従って、dcf_client_utest_misc の DCF レコードを準備しました（値 0x0010000460000101、ターゲット アドレス 0x1B000768 - 私のボード上の最初の空き QUAD、確認済み）。しかし、S32DS + PEmicro マルチリンクのデバッグ構成では、UTEST 書き込みが黙ってスキップされるため、フラッシュセッション後も 0x1B000768 のバイトは FFFFFFFFFFFFFFFF のままになります。 PEmicro Multilink（またはS32DS 3.6.4に付属する任意のツール）を使用して、S32K312上のUTEST OTPに単一のDCFレコードをプログラムするための正しいツール/手順は何ですか？特定のフラッシュアルゴリズムファイル、別のデバッグ構成、またはスタンドアロンのS32 Flash Toolが必要ですか？

S32K144で独立変数を格納するためのメモリアドレスを割り当てるにはどうすればよいですか？ NXPの技術スタッフの皆様、こんにちは！ S32K144チップの開発中に問題が発生しました。 上記のアドレス記述を例にとり、グローバル変数を格納するための別のアドレスを割り当てたい。 1. 電源がオフの状態でも、保存、消去、書き換えなどの機能を実行できます。 2. さらに、プログラム実行中に論理演算に参加できる必要があります。 3. コンパイルして srec ファイルを生成した後、このアドレス範囲からデータを抽出する方法がわかりません。これらの変数を配置するのに適切なアドレスセグメントがどれなのか、またアドレス割り当ての正しいプログラミング構文が何なのかがわかりません。プロジェクト内の Linker_files フォルダにある .ld ファイルをどのように変更すればよいでしょうか。学習に利用できる参考資料はありますか。S32K144 チップを使用した開発について、まだ疑問があります。Linker_files フォルダ内の .ld ファイルのフラッシュ割り当てに関して、正しい構文は何ですか。また、なぜそのように記述されているのでしょうか。この知識を得たいです。学習のために、公式で明確かつ正しい構文仕様と内部ロジックの説明を提供していただけますか。 ご返信を心よりお待ちしております。 どうもありがとうございます！ Re: S32K144如何开辟一段内存地址 实现独立变量的存储 こんにちは@Ni_ 次回からは、必ず会社のメールアカウントをご利用の上、ご質問ください。QQ、163、Gmailなどの一般的なメールアカウントからのお問い合わせには優先的に対応いたしかねます。 まず最初の質問にお答えしましょう。 RTM版に付属するリンクファイルを例にとると、このリンクファイルは、カスタムデータストレージ用の独立したアドレス空間の分割をどのように実装するかを実際に示している。 「m_data_2」を詳しく見てみると、まずメモリ内のアドレス空間範囲を定義していることがわかります。 （ここでは、メモリを自分で割り当てることができます。例えば、m_textをさらに複数のカスタム領域に分割することも可能です。実際のアドレスと範囲に注意してください。） /* Specify the memory areas */ MEMORY { /* Flash */ m_interrupts (RX) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00000400 m_flash_config (RX) : ORIGIN = 0x00000400, LENGTH = 0x00000010 m_text (RX) : ORIGIN = 0x00000410, LENGTH = 0x0007FBF0 /* SRAM_L */ m_data (RW) : ORIGIN = 0x1FFF8000, LENGTH = 0x00008000 /* SRAM_U */ m_data_2 (RW) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x00007000 } 次に、m_data_2 に属する SECTIONS に ".customSection" を定義します。 /* Custom Section Block that can be used to place data at absolute address. */ /* Use __attribute__((section (".customSection"))) to place data here. */ .customSectionBlock ORIGIN(m_data_2) : { __customSection_start__ = .; KEEP(*(.customSection)) /* Keep section even if not referenced. */ __customSection_end__ = .; } > m_data_2 最後に、「customSection」を使用する場合、プログラム内で変数を定義できます。 __attribute__((section (".customSection"))unsigned int i = 0; 変数「i」は「customSection」に配置されます。コンパイル済みのxx.mapファイルを使用して、変数「i」のアドレスが正しいかどうかを確認できます。 2つ目の質問は、電源オフ時のデータ保存についてですね。これはS32K1のEEPROMを使用することで完全に実現できます。詳しくは、こちらのリンク先の記事をご覧ください。 https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzI0MDk0ODcxMw==&mid=2247486584&idx=1&sn=3b8651b928edd19c642b17838a8c75bd&chksm=e91248fede65c1e87214ce913baab45431f816d0bfd0362e00aea1ed4232f200d5ae2720cd71&scene=21#wechat_redirect

How to allocate a memory address in S32K144 to store independent variables? Hello to the technical staff of NXP! I encountered a problem during the development of the S32K144 chip. Using the address description above as an example, I want to allocate a separate address to store some global variables. 1. It can perform functions such as saving, erasing, and rewriting even when power is off. 2. Furthermore, it must be able to participate in logical operations during program execution. 3. After compiling and generating the srec file, I'm unsure how to extract the data from this address range. I'm unsure which address segment is appropriate for placing these variables, and what the correct programming syntax for address allocation is. How should I modify the .ld file in the Linker_files folder within the project? Are there any reference materials available for learning? I still have questions about developing with the S32K144 chip. Regarding flash allocation in the .ld file within the Linker_files folder, what is the correct syntax and why is it written this way? I'd like to obtain this knowledge. Could you provide an official, clear, and correct syntax specification and internal logic explanation for my learning? I sincerely look forward to your reply. Thank you so much! Re: S32K144如何开辟一段内存地址 实现独立变量的存储 Hi@ Ni_ Please be sure to use your company's email account to ask questions next time. We will not prioritize general email accounts such as QQ, 163, and Gmail. Let me answer your first question first: Taking the link file provided by the RTM version as an example, the link file actually tells how to implement the division of independent address space for custom data storage. A closer look at "m_data_2" reveals that it first defines the address space range within the MEMORY. (Here you can allocate the memory yourself. For example, you can further divide m_text into more other custom spaces. Note the actual address and range.) /* Specify the memory areas */ MEMORY { /* Flash */ m_interrupts (RX) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00000400 m_flash_config (RX) : ORIGIN = 0x00000400, LENGTH = 0x00000010 m_text (RX) : ORIGIN = 0x00000410, LENGTH = 0x0007FBF0 /* SRAM_L */ m_data (RW) : ORIGIN = 0x1FFF8000, LENGTH = 0x00008000 /* SRAM_U */ m_data_2 (RW) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x00007000 } Secondly, define ".customSection" in SECTIONS, which belongs to m_data_2. /* Custom Section Block that can be used to place data at absolute address. */ /* Use __attribute__((section (".customSection"))) to place data here. */ .customSectionBlock ORIGIN(m_data_2) : { __customSection_start__ = .; KEEP(*(.customSection)) /* Keep section even if not referenced. */ __customSection_end__ = .; } > m_data_2 Finally, when using "customSection", you can define variables in the program: __attribute__((section (".customSection"))unsigned int i = 0; The variable "i" will be placed in "customSection". You can check whether the address of the variable "i" is correct by using the compiled xx.map file. Your second question is about saving data when power is off. You can achieve this entirely using the S32K1's EEPROM. Please refer to the article at this link. https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzI0MDk0ODcxMw==&mid=2247486584&idx=1&sn=3b8651b928edd19c642b17838a8c75bd&chksm=e91248fede65c1e87214ce913baab45431f816d0bfd0362e00aea1ed4232f200d5ae2720cd71&scene=21#wechat_redirect

Requires an S32DS activation key. The activation code for the S32DS installation requires a signed NDA and a company email address. If you don't have a company email address, please confirm how to apply.

S32K324がFEEでDFlashに書き込み こんにちは。S32K324のDFlashへの書き込み（FEE使用）について質問があります。 FEEメソッドを使って、S32K324のDFalshに約50バイトのデータを書き込む予定です。回路基板上のハードウェア電源のバックアップ時間は約0.743msなので、重要なデータはこの時間内に保存する必要があります。FEE方式を使ってDFlashに書き込みすることは可能でしょうか?それが不可能な場合、他に選択肢はありますか？ ありがとうございます。 Re: S32K324 write DFlash by FEE はい、どうもありがとうございます。 Re: S32K324 write DFlash by FEE こんにちは、@mmyjh_123 電源オフ時のバックアップウィンドウが0.743ミリ秒の場合、FEEは安全ではありません。単一の Fls_MainFunction ブロックの書き込み実行時間は、たとえ「1 ミリ秒に近い」場合でも、利用可能な保持時間を既に超えています。 C40_Ipを使ってみるのもいいかもしれません。クワッドページ（1024ビット）のプログラム時間を使用した場合、50バイトの書き込みには理論上450マイクロ秒かかる。しかし、0.743ミリ秒以内では、緊急ホールド中の消去操作は不可能になります。8KBのセクターを消去するには最大30ミリ秒かかることもありました。 したがって、C40_Ipを使用してこの機能を実装する場合は、アイドル期間中にプログラムするDFLASHアドレスを必ず消去してください。さらに、基板がMCUの電源故障前に入力電圧低下を検知できるなら、コミット操作は可能な限り早い閾値から開始すべきです。それ以外の場合は、大容量のコンデンサやバックアップ電源を追加し、保証ウィンドウが最悪のソフトウェア経路とフラッシュプログラミングマージンをカバーできるようにします。 上記はあくまで理論的な分析に過ぎません。十分な設計余裕を確保するために、複数の実世界での試験が推奨されます。