Which Timer from the FS32K144UAT0VLLT has Input Capture functionality? manager: Question: (1) The FS32K144UAT0VLLT datasheet shows that it has 8 independent TIMEs, but I only see FTM0, FTM1, and FTM2. What else is also a TIME? (2) Which TIME function of FS32K144UAT0VLLT has the Input capture function? Thanks! Re: FS32K144UAT0VLLT哪个Time具备Input capture功能？ Robin_Shen Hello, additional question: 1. In Table 47-1, FTM instances and features of S32K-RM Rev14.2, what is the parameter “Fault inputs”? 2. How many pages in the S32K-RM Rev14.2 manual show that each FTM has input capabilities?What about the capture function? Thanks! Re: FS32K144UAT0VLLT哪个Time具备Input capture功能？ Hi S32K-RM Rev14.2的Table 47-1. FTM instances and features 表格里S32K144只看到支持FTM0-FTM3. 你提到的应该是指每个FTM支持8 Channels通道。 都支持Input capture功能。 如果你要看FTM instances的功能区别也是看这个表格列出的功能才是某些FTM不支持的。 Best Regards, Robin Re: FS32K144UAT0VLLT哪个Time具备Input capture功能？ A1. This refers to the number of external fault inputs supported. Taking the S32K144 as an example, Table 47-1 shows that it supports 4 inputs. You can see these 4 inputs, FTM0_FLT0\1\2\3, in the table on the left. Table 47-1. FTM instances and features Table 47-2. FTM signal descriptions.png A2. The features supported by each FTM are usually not specifically listed. Refer to Table 47-5.The Channel Modes Selection configuration register can be used to implement the input capture mode mentioned in 47.5.5 Input Capture Mode.

MW6S010GNR1の代替部品に関するお問い合わせ サポートチームへ 部品番号MW6S010GNR1は製造中止となりました。同等の代替モデルをおすすめしてもらえますか?私たちのアプリケーションはインダストリアル広帯域RF機器です。本当にありがとうございます Re: Inquiry on Alternative Parts for MW6S010GNR1 **MW6S010GNR1のステータスと推奨代替品** ### パート概要 **MW6S010GNR1**(NXP / 旧フリースケール)は、ブロードバンド**アプリケーション**向けに設計された**10W、28V LDMOS**のRFパワートランジスタです。 |パラメータ|価値 | |------------------------|--------------------------------| |周波数帯域 |450 – 1500 MHz | |出力電力|10 W | |電源電圧 |28 V(32 Vまで合格) | |典型的な利得|~18 dB @ 960 MHz | |パッケージ|TO-270-2 ガルウィング(GNR1) | |アプリケーション |クラスA / AB、基地局、ブロードバンド インダストリアル RF | **ステータス**:生産終了/サービス終了(NXPラジオパワー製品ラインの縮小の一部)。 最終購入日は**2026年9月30日**頃と予想され、最終出荷は**2027年**を目標としています。 --- ### 推奨相当モデル/代替モデル NXPからはピン・ツー・ピンの正確な交換部品はありません。以下は産業用広帯域RF機器の最も実用的な代替手段です。いずれも、ネットワークの再最適化が必要となる。 |優先事項 |部品番号|製造元 |主なスペック |パッケージ|注記 / 互換性 | |----------|----------------------|--------------|----------------------------------------|--------------|-----------------------| |1 |**MW6S010NR1** |NXP |GNR1と同じ電気仕様 |TO-270-2 |同じダイスのガルウィング以外のバージョンです。こちらも販売終了していますが、在庫が残っている可能性があります。| |2 |**BLP15H9S10G** または**BLP15H9S10** |Ampleon |10 W、50 V、超広帯域(1–2000 MHz) |TO-270 |優れた広帯域インダストリアル代替手段です。電圧が高くなるため、それに合わせた設計変更が必要です。| | 3 | **BLP15M9S30G** / 関連する 28～32 V デバイス | Ampleon | 30 W クラス、1～1500 MHz、32 V | TO-270 | ヘッドルームが許容できる場合は、より高い電力オプション。| |4 |**AFT27S010N** |NXP |~10 W、28 V、より広い周波数カバー |プラスチック |新しい世代ですが、異なるパッケージとマッチングが必要です。現在の空室状況をご確認ください。| |5 |その他の10W / 28V LDMOS |アンプレオン / インフィニオン |様々な |TO-270または類似の |10Wクラスの比類のないワイドバンドLDMOSを検索。 --- ### インダストリアル広帯域使用に関する実用的な推奨事項 1. **短期** - **MW6S010GNR1** と **MW6S010NR1** の在庫状況を確認し、最終購入価格をご確認ください。 ピン配置の互換性が重要な場合は、可能であればNR1バージョンを優先してください。 2. 中長期（推奨） - **Ampleon BLP15H9S10(G)**シリーズに移行します。これらは、インダストリアル、ISM、ブロードバンドRFアプリケーションで一般的に使われる、現代的で広帯域の堅牢なLDMOSデバイスです。 - 長期的な利用可能性とサポートが優れていること。 3. **デザインノート** - 入出力マッチングネットワークを再設計することを期待してください。 - 特定のインダストリアル環境における熱性能、バイアスポイント(IDQ)、VSWRの耐久性を検証します。 - パッケージのフットプリントおよびはんだプロファイルの互換性を確認する。 --- **私に言ってほしいですか:** - MW6S010GNR1と特定の代替品(例:詳細な電気的パラメータ(ゲイン、効率、静電容量)を比較します。BLP15H9S10G)? - 推奨部品の在庫や価格の検索を助ける? - 回路の参照や評価ボードの一致を提案しますか? より的確なご提案が必要な場合は、ご使用の周波数帯域、電力要件、および希望する供給電圧をお知らせください。 メールアドレス：[email protected]

[FRDM-IMXRT1186] ADC電源シーケンスに関する質問（VDDA_1P8 vs 3P3） 私はFRDM-IMXRT1186（SCH-95302 Rev.A4）とRT1180データシートRev.9を確認しています。 データシートでは、VDDA_ADC_1P8 は VDDA_ADC_3P3 より先に電源を投入する必要があるとされています。しかし、FRDMボードでは、VDDA_ADC_1P8はAMS1117-1.8から供給されます。レギュレータはVDD_3V3に接続されているため、3.3Vレールのソフトスタートに従います。 さらに、VDDA_ADC_3P3はデフォルトではフローティング状態になっています（R337=DNP）。 私の質問： 1. この実装において、FRDMボードはデータシートのシーケンスに準拠しているとみなされますか？ 2. プロダクションデザインにおいて、「事前から」要件を厳密に満たすためには、PMICやENピン付きのLDOを使用することが必須ですか? 3.関連する回路図部分のスクリーンショットを添付しました。最初の投稿を分かりやすくするために、詳細な分析は下記のコメント欄に投稿します。 FRDMトレーニング i.MXRT 106x Re: [FRDM-IMXRT1186] Question about ADC Power Sequencing (VDDA_1P8 vs 3P3) こんにちは、 @rejust さん。 私たちの製品にご関心を寄せ、コミュニティをご利用いただき、本当にありがとうございます。 はい、デフォルトのFRDM-IMXRT1186回路図から、このシーケンス要件を満たす設計が意図されています。 R337はデフォルトでDNPであるため、VDDA_ADC_3P3 0 Ωバイパス経路を通じて直接VDD_3V3に紐づいていません。その代わりに、VDDA_ADC_3P3はU17 MOSFETシーケンス回路を介して供給されます。この回路はVDDA_ADC_1P8/ADC_1V8_INレールによって制御されるため、VDDA_ADC_1P8が確立されてからのみVDDA_ADC_3P3が有効になります。 mayliu1_1-1786335579964.png プロダクションデザインにおいて、PMICは必須ではありません。SoCピンのタイミングがデータシート要件を満たしていれば、PMIC、EN制御付きのLDO/負荷スイッチ、MOSFETシーケンス回路など、信頼性の高いシーケンス方法ならいずれでも許容されます。 mayliu1_0-1786335561512.png お役に立てれば幸いです。 よろしくお願いいたします。 5月

我能否对多核处理器使用同一个中断请求 (IRQ)？ 你好，助手 我用的是S32K358多核。 使用 Eirq 进行 I/O 中断。 我有个问题： 我希望核心0使用eirq0，核心2使用eirq1。 但是这两个中断通道触发了同一个中断处理程序SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR 问题就在这里。如果 eirq0 和 eirq1 都出现。双重核心触发 SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR。两个核心操作同一个寄存器。 这将导致软件预期出现偏差。它将清除其他未初始化的通道。   我理解对吗？   请帮帮我。 BRS   Re: Can I use the same IRQ for multi core 你好@Licunhao ， 你的理解部分正确。 在 S32K3 设备上，SIUL2 外部中断输入被分组为中断向量。因此，EIRQ0 和 EIRQ1 属于同一中断组，并由同一组中断处理程序处理，例如SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR。 因此，EIRQ0 和 EIRQ1 不能用作两个完全独立的中断向量。 如果同一个 SIUL2 中断组被路由或启用在多个内核上，则两个内核可能会进入同一个中断处理程序并访问同一个 SIUL2 寄存器。如果软件没有实现正确的多核同步和 SIUL2 中断组的所有权，则可能导致意外行为。 但是，每个单独的 EIRQ 通道仍然可以使用 SIUL2 中断标志。正确的中断处理程序应该检查哪个 EIRQ 标志处于挂起状态，并仅清除相应的标志位。状态标志不应全局清除或使用错误的掩码清除，否则可能会影响其他待处理的 EIRQ 标志。 对于多核应用程序，我建议采用以下方法之一： 将整个 SIUL2 中断组（例如 EIRQ0 到 EIRQ7）分配给一个核心。该核心应处理分组中断服务例程，并在需要时通过软件或核心间通信通知另一个核心。 如果您需要将独立的中断路由到不同的内核，请使用来自不同 SIUL2 中断组的 EIRQ 通道，例如，一个通道从 EIRQ0 到 EIRQ7，另一个通道从 EIRQ8 到 EIRQ15（如果您的引脚配置允许的话）。 如果两个核心必须访问相同的 SIUL2 寄存器，则必须通过适当的多核同步机制来保护访问。但总的来说，SIUL2 中断组的单一所有者模型更简洁、更安全。 顺祝商祺！ 帕维尔

[FRDM-IMXRT1186] 关于ADC电源时序的问题（VDDA_1P8 与 3P3） 我正在查看 FRDM-IMXRT1186 (SCH-95302 Rev.A4) 和 RT1180 数据手册 Rev.9。 数据手册要求在给 VDDA_ADC_3P3 供电之前给 VDDA_ADC_1P8 供电。然而，在FRDM板上，VDDA_ADC_1P8来自AMS1117-1.8。稳压器与 VDD_3V3 连接，这意味着它遵循 3.3V 电源轨的软启动。 此外，VDDA_ADC_3P3 默认处于浮空状态（R337=DNP）。 我的问题： 1.根据这种实现方式，FRDM板是否符合数据手册的顺序要求？ 2.对于生产设计，是否必须使用带 EN 引脚的 PMIC 或 LDO 才能严格满足“之前”的要求？ 3.我已附上相关原理图部分的截图。为了保持这篇初始帖子的清晰性，我将在下面的评论中发布我的详细分析。 FRDM 培训 i.MX RT106x Re: [FRDM-IMXRT1186] Question about ADC Power Sequencing (VDDA_1P8 vs 3P3) 嗨@rejust ， 非常感谢您对我们产品的关注以及对我们社区的使用。 是的，从默认的 FRDM-IMXRT1186 原理图来看，该设计旨在满足此时序要求。 R337 默认处于 DNP 状态，因此 VDDA_ADC_3P3 不会通过 0 Ω 旁路路径直接连接到 VDD_3V3。相反，VDDA_ADC_3P3 通过 U17 MOSFET 时序电路供电。该电路由 VDDA_ADC_1P8 / ADC_1V8_IN 轨控制，因此只有在 VDDA_ADC_1P8 建立后，VDDA_ADC_3P3 才能使能。 mayliu1_1-1786335579964.png 对于产品设计而言，电源管理集成电路（PMIC）并非必需。任何可靠的时序方法都是可以接受的，例如 PMIC、带 EN 控制的低压差线性稳压器(LDO)/负载开关或 MOSFET 时序电路，只要 SoC 引脚的时序满足数据手册的要求即可。 mayliu1_0-1786335561512.png 希望对你有帮助 顺祝商祺！ 5月

关于MW6S010GNR1替代部件的询价 尊敬的支持团队： 零件编号 MW6S010GNR1 已停产。请问您能否推荐一些同等规格的替代型号？我们的应用领域是工业宽带射频设备。非常感谢 Re: Inquiry on Alternative Parts for MW6S010GNR1 **MW6S010GNR1 状态及推荐替代方案** ### 部件概述 **MW6S010GNR1**（NXP / 前 Freescale）是一款 **10 W，28 V LDMOS** 射频功率晶体管，专为宽带应用而设计。 | 参数 | 值 | |------------------------|--------------------------------| | 频率范围 | 450 – 1500 MHz | 输出功率：10 瓦 | 供电电压 | 28V（最高可达32V） | | 典型增益 | ~18 dB @ 960 MHz | | 包装 | TO-270-2 鸥翼 (GNR1) | | 应用领域 | A类/AB类射频、基站、宽带工业射频 | **状态**：已停产/产品生命周期结束（NXP 无线电电源产品线逐步淘汰的一部分）。 预计最后一次购买日期在**2026年9月30日**左右，最终发货日期定于**2027年**。 --- ### 推荐的同等/替代型号 NXP目前没有**完全引脚匹配的即插即用型替代品**。以下是适用于工业宽带射频设备的最接近的实用替代方案。所有这些都需要进行相应的网络重新优化。 | 优先级 | 零件编号 | 制造商 | 主要规格 | 包装 | 备注/兼容性 | |----------|----------------------|--------------|----------------------------------------|--------------|-----------------------| | 1 | **MW6S010NR1** | NXP | 与 GNR1 具有相同的电气规格 | TO-270-2 | 同一芯片的非鸥翼版本。该产品也已停产，但可能仍有少量库存。| | 2 | **BLP15H9S10G** 或 **BLP15H9S10** | Ampleon | 10 W，50 V，超宽带 (1–2000 MHz) | TO-270 | 优秀的宽带工业替代方案。电压更高，需要相应的重新设计。| | 3 | **BLP15M9S30G** / 相关 28–32 V 设备 | Ampleon | 30 W 级，1–1500 MHz，32 V | TO-270 | 如果裕量可以接受，则可选择更高的功率。| | 4 | **AFT27S010N** | NXP | ~10 W，28 V，更宽的频率覆盖范围 | 塑料 | 新一代产品，但封装不同，需要匹配。查看当前库存情况。| | 5 | 其他 10W/28V LDMOS | Ampleon / Infineon | 多种 | TO-270 或类似封装 | 搜索 10W 级无匹配宽带 LDMOS。 | --- ### 工业宽带应用的实用建议 1. **短期** - 查看**MW6S010GNR1**和**MW6S010NR1**的最后购买截止日期剩余库存。 - 如果引脚兼容性至关重要，请优先选择 NR1 版本（如有）。 2. **中长期（推荐）** - 迁移至 **Ampleon BLP15H9S10(G)** 系列。这些是现代的、宽带的、坚固耐用的 LDMOS 设备，常用于工业、ISM 和宽带射频应用。 - 它们提供更好的长期可用性和支持。 3. **设计说明** - 预计需要重新设计输入/输出匹配网络。 - 在您的特定工业环境中验证热性能、偏置点 (IDQ) 和 VSWR 耐用性。 - 确认封装尺寸和焊接规格是否兼容。 --- 你想让我做什么？ - 比较 MW6S010GNR1 与特定替代器件（例如）之间的详细电气参数（增益、效率、电容）。BLP15H9S10G）？ - 能否帮忙查询推荐零件的当前库存/价格？ - 建议提供匹配的电路参考或评估板？ 如果您需要更有针对性的建议，请告知您的具体频率范围、功率要求和首选供电电压。 电子邮件：[email protected]

在 AWS 或 GCP 云平台上构建 NXP Android 16 BSP – 经验、设置和构建时间 大家好， 我目前正在 为 NXP i.MX 95 设置 Android 16 ，并且希望在云环境中构建 NXP BSP。 我使用的版本是： Android 16.0.0_2.0.0 (L6.18.20_2.0.0 BSP) 我目前正在考虑使用AWS 或 Google Cloud Platform (GCP)作为版本环境，而不是本地工作站。 因此，我想请教各位： NXP 是否有关于 在AWS或GCP上构建Android电路板支持包。的官方文档或建议？ 有人已经在AWS或GCP上成功构建过这个Android BSP吗？ 您使用的是哪种实例/虚拟机配置（CPU、内存、存储等）？ 在您的环境中，完成一个完整的 BSP 构建大约需要多长时间？ 每次版本的云成本 大约是多少 ？ 在云环境中构建 BSP 时，有哪些需要注意的具体问题或限制？ 我特别感兴趣的是实际经验，例如哪种云实例类型效果好，以及在内存、磁盘空间、CPU 核心、存储性能或构建并行化方面是否有任何重要的考虑因素。 任何建议、配置示例或经验教训都将不胜感激。 感谢您分享您的经验！ 此致 脸书 Re: Building NXP Android 16 BSP in AWS or GCP Cloud – Experience, Setup and Build Times 你好@Feevlic 希望你一切都好。 我们没有针对该特定场景的 Android 编译文档。 该过程应与物理机器相同。 请尝试按照UG10156安卓用户指南中的步骤操作。 顺祝商祺！ 萨拉斯。

AWS または GCP Cloud でのNXP Android 16 BSP構築 – 経験、セットアップ、ビルド時間 こんにちは、皆さん 現在、NXP i.MX 95用のAndroid 16を設定しており、NXP BSPをクラウド環境で構築したいと考えています。 私が使用しているリリースは以下のとおりです。 Android 16.0.0_2.0.0 (L6.18.20_2.0.0 BSP) 現在、ローカルワークステーションの代わりにAWSやGoogle Cloud プラットフォーム(GCP)をビルド環境として使うことを検討しています。 そこで、コミュニティの皆様に以下のことをお願いしたいと思います。 AWS または GCP でAndroid BSPを構築するための公式なNXPのドキュメントや推奨はありますか? すでに AWSやGCP でこのAndroid BSPを成功裏に構築した方はいらっ しゃいますか? どのインスタンス／VM構成（CPU、RAM、ストレージなど）を使用しましたか？ あなたの環境では 、BSPの完全なビルド には おおよそどのくらいの時間が かかりますか？ 構築ごとのクラウドコストは おおよそいくらでしたか ？ クラウド環境でBSPを構築する際に注意すべき具体的な問題や制限はありますか? 私は特に実践的な経験に興味があります。例えば、どのクラウドインスタンスタイプがうまく機能したか、また、 RAM、ディスク容量、CPUコア、ストレージパフォーマンス、ビルドの並列化に関して重要な考慮事項があるかどうかなどです。 推奨事項、設定例、または教訓などがあれば、大変ありがたいです。 体験談を共有していただき、ありがとうございます！ よろしくお願いします フェイスブック Re: Building NXP Android 16 BSP in AWS or GCP Cloud – Experience, Setup and Build Times こんにちは、 @Feevlicさん お元気でお過ごしのことと思います。 Androidのコンパイルに関する具体的なシナリオに関するドキュメントはありません。 そのプロセスは、物理的な機械の場合と同じであるべきだ。 UG10156 Androidユーザーガイドの手順に従ってください。 よろしくお願いいたします。 サラス。

i.MX 8QXP - LPDDR4 内存兼容性指南 大家好， 我们正在计划为 IMX8QXP 寻找 LPDDR4 的替代方案。请问是否有更新的兼容LPDDR4内存部件列表？ i.MX 8/8X/8XLite - LPDDR4 和 DDR3L 内存兼容性指南 感谢并致意 罗希特 Re: i.MX 8QXP - LPDDR4 memory compatibility guide 您好， 感谢您对恩智浦半导体产品的关注， 该列表已于今年更新，这将是最后一份兼容性指南。 你打算使用其他内存吗？ 此致 Re: i.MX 8QXP - LPDDR4 memory compatibility guide 嗨，约瑟夫， 由于交货时间和其它原因，我们计划使用不同的LPDDR4。NXP是否会支持内存验证？那么，NXP方面验证新内存的流程是什么？ 谢谢，此致敬礼！ 罗希特

マルチコアでも同じIRQを使ってもいいですか こんにちはヘルパー 私はS32K358マルチコアを使用しています。 入出力割り込みにEirqを使用します。 質問があります： core0にはeirq0を、core2にはeirq1を使用させたい。 しかし、2つのIRQチャネルは同じIRQハンドラーをトリガーしますSIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR SO there is the problem.eirq0とeirq1の両方が来た場合。両方のコアトリガー SIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISR。両方のコアは同じレジスタを操作します。 それはソフトウェアの期待値を悪くするでしょう。他の非initチャネルはクリアされます。   私の理解は正しいですか？   どうか助けてください。 兄弟   Re: Can I use the same IRQ for multi core こんにちは、 @Licunhao さん。 あなたの理解は部分的に正しいです。 S32K3デバイスでは、SIUL2外部割り込み入力は割り込みベクタにグループ化されます。したがって、EIRQ0とEIRQ1は同じ割り込みグループに属し、例えばSIUL2_EXT_IRQ_0_7_ISRのような同じグループ化された割り込みハンドラによって処理されます。 したがって、EIRQ0とEIRQ1は完全に独立した割り込みベクトルとしては使えません。 同じSIUL2割り込みグループが複数のコアでルーティングまたは有効化されている場合、両方のコアが同じ割り込みハンドラに入り、同じSIUL2レジスタにアクセスすることがあります。これにより、ソフトウェアが適切なマルチコア同期やSIUL2割り込みグループの所有権を実装しない場合、予期せぬ挙動を引き起こすことがあります。 しかし、SIUL2割り込みフラグは個々のEIRQチャネルごとに依然として利用可能です。正しい割り込みハンドラは、どのEIRQフラグが保留中かを確認し、対応するフラグビットのみをクリアする必要があります。ステータスフラグはグローバルにクリアされるべきでなければならず、誤ったマスクで解除されるべきではありません。そうでなければ、別の保留中のEIRQフラグに影響が出る可能性があります。 マルチコアアプリケーションには、以下のいずれかのアプローチをお勧めします: 例えば、EIRQ0からEIRQ7までのSIUL2割り込みグループ全体を1つのコアにのみ割り当てます。このコアはグループ化されたISRを処理し、必要に応じてソフトウェアやコア間通信で他のコアに通知します。 異なるコアに独立した割り込みルーティングが必要な場合は、異なるSIUL2割り込みグループのEIRQチャネルを使用してください。例えば、EIRQ0からEIRQ7への1チャネルとEIRQ8からEIRQ15への別のチャネルなどです。これはピン設定で可能であれば可能です。 両方のコアが同じSIUL2レジスタにアクセスする必要がある場合、適切なマルチコア同期機構によってアクセスが保護されなければなりません。しかし一般的に、SIUL2割り込みグループの単一所有者モデルの方がクリーンで安全です。 よろしくお願いいたします。 パベル

i.MX 8QXP - LPDDR4メモリ互換性ガイド チームの皆さん、こんにちは。 IMX8QXP用にLPDDR4の代替モデルを計画しています。対応のLPDDR4パーツの更新リストがあれば教えてください。 i.MX 8/8X/8XLite - LPDDR4およびDDR3Lメモリ互換性ガイド よろしくお願いいたします。 ロヒス Re: i.MX 8QXP - LPDDR4 memory compatibility guide こんにちは、 NXP Semiconductors製品にご関心いただきありがとうございます。 このリストは今年更新されたもので、これが最後の互換性ガイドとなります。 別のメモリを使用する予定ですか？ よろしくお願いします。 Re: i.MX 8QXP - LPDDR4 memory compatibility guide こんにちは、ジョセフさん。 リードタイムやその他の理由から、別のLPDDR4を使う予定です。NXPはメモリの検証をサポートしてくれるのでしょうか?NXP側で新しいメモリを検証する手順はどのようなものですか？ ありがとうございます。 ロヒス

S32K144で独立変数を格納するためのメモリアドレスを割り当てるにはどうすればよいですか？ NXPの技術スタッフの皆様、こんにちは！ S32K144チップの開発中に問題が発生しました。 Ni__0-1786350352171.png 上記のアドレス記述を例にとり、グローバル変数を格納するための別のアドレスを割り当てたい。 1. 電源がオフの状態でも、保存、消去、書き換えなどの機能を実行できます。 2. さらに、プログラム実行中に論理演算に参加できる必要があります。 3. コンパイルして srec ファイルを生成した後、このアドレス範囲からデータを抽出する方法がわかりません。これらの変数を配置するのに適切なアドレスセグメントがどれなのか、またアドレス割り当ての正しいプログラミング構文が何なのかがわかりません。プロジェクト内の Linker_files フォルダにある .ld ファイルをどのように変更すればよいでしょうか。学習に利用できる参考資料はありますか。S32K144 チップを使用した開発について、まだ疑問があります。Linker_files フォルダ内の .ld ファイルのフラッシュ割り当てに関して、正しい構文は何ですか。また、なぜそのように記述されているのでしょうか。この知識を得たいです。学習のために、公式で明確かつ正しい構文仕様と内部ロジックの説明を提供していただけますか。 ご返信を心よりお待ちしております。 どうもありがとうございます！ Re: S32K144如何开辟一段内存地址 实现独立变量的存储 こんにちは@Ni_ 次回からは、必ず会社のメールアカウントをご利用の上、ご質問ください。QQ、163、Gmailなどの一般的なメールアカウントからのお問い合わせには優先的に対応いたしかねます。 まず最初の質問にお答えしましょう。 RTM版に付属するリンクファイルを例にとると、このリンクファイルは、カスタムデータストレージ用の独立したアドレス空間の分割をどのように実装するかを実際に示している。 「m_data_2」を詳しく見てみると、まずメモリ内のアドレス空間範囲を定義していることがわかります。 （ここでは、メモリを自分で割り当てることができます。例えば、m_textをさらに複数のカスタム領域に分割することも可能です。実際のアドレスと範囲に注意してください。） /* Specify the memory areas */ MEMORY { /* Flash */ m_interrupts (RX) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00000400 m_flash_config (RX) : ORIGIN = 0x00000400, LENGTH = 0x00000010 m_text (RX) : ORIGIN = 0x00000410, LENGTH = 0x0007FBF0 /* SRAM_L */ m_data (RW) : ORIGIN = 0x1FFF8000, LENGTH = 0x00008000 /* SRAM_U */ m_data_2 (RW) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x00007000 } 次に、m_data_2 に属する SECTIONS に ".customSection" を定義します。 /* Custom Section Block that can be used to place data at absolute address. */ /* Use __attribute__((section (".customSection"))) to place data here. */ .customSectionBlock ORIGIN(m_data_2) : { __customSection_start__ = .; KEEP(*(.customSection)) /* Keep section even if not referenced. */ __customSection_end__ = .; } > m_data_2 最後に、「customSection」を使用する場合、プログラム内で変数を定義できます。 __attribute__((section (".customSection"))unsigned int i = 0; 変数「i」は「customSection」に配置されます。コンパイル済みのxx.mapファイルを使用して、変数「i」のアドレスが正しいかどうかを確認できます。 2つ目の質問は、電源オフ時のデータ保存についてですね。これはS32K1のEEPROMを使用することで完全に実現できます。詳しくは、こちらのリンク先の記事をご覧ください。 https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzI0MDk0ODcxMw==&mid=2247486584&idx=1&sn=3b8651b928edd19c642b17838a8c75bd&chksm=e91248fede65c1e87214ce913baab45431f816d0bfd0362e00aea1ed4232f200d5ae2720cd71&scene=21#wechat_redirect

How to allocate a memory address in S32K144 to store independent variables? Hello to the technical staff of NXP! I encountered a problem during the development of the S32K144 chip. Ni__0-1786350352171.png Using the address description above as an example, I want to allocate a separate address to store some global variables. 1. It can perform functions such as saving, erasing, and rewriting even when power is off. 2. Furthermore, it must be able to participate in logical operations during program execution. 3. After compiling and generating the srec file, I'm unsure how to extract the data from this address range. I'm unsure which address segment is appropriate for placing these variables, and what the correct programming syntax for address allocation is. How should I modify the .ld file in the Linker_files folder within the project? Are there any reference materials available for learning? I still have questions about developing with the S32K144 chip. Regarding flash allocation in the .ld file within the Linker_files folder, what is the correct syntax and why is it written this way? I'd like to obtain this knowledge. Could you provide an official, clear, and correct syntax specification and internal logic explanation for my learning? I sincerely look forward to your reply. Thank you so much! Re: S32K144如何开辟一段内存地址 实现独立变量的存储 Hi@ Ni_ Please be sure to use your company's email account to ask questions next time. We will not prioritize general email accounts such as QQ, 163, and Gmail. Let me answer your first question first: Taking the link file provided by the RTM version as an example, the link file actually tells how to implement the division of independent address space for custom data storage. A closer look at "m_data_2" reveals that it first defines the address space range within the MEMORY. (Here you can allocate the memory yourself. For example, you can further divide m_text into more other custom spaces. Note the actual address and range.) /* Specify the memory areas */ MEMORY { /* Flash */ m_interrupts (RX) : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00000400 m_flash_config (RX) : ORIGIN = 0x00000400, LENGTH = 0x00000010 m_text (RX) : ORIGIN = 0x00000410, LENGTH = 0x0007FBF0 /* SRAM_L */ m_data (RW) : ORIGIN = 0x1FFF8000, LENGTH = 0x00008000 /* SRAM_U */ m_data_2 (RW) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x00007000 } Secondly, define ".customSection" in SECTIONS, which belongs to m_data_2. /* Custom Section Block that can be used to place data at absolute address. */ /* Use __attribute__((section (".customSection"))) to place data here. */ .customSectionBlock ORIGIN(m_data_2) : { __customSection_start__ = .; KEEP(*(.customSection)) /* Keep section even if not referenced. */ __customSection_end__ = .; } > m_data_2 Finally, when using "customSection", you can define variables in the program: __attribute__((section (".customSection"))unsigned int i = 0; The variable "i" will be placed in "customSection". You can check whether the address of the variable "i" is correct by using the compiled xx.map file. Your second question is about saving data when power is off. You can achieve this entirely using the S32K1's EEPROM. Please refer to the article at this link. https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzI0MDk0ODcxMw==&mid=2247486584&idx=1&sn=3b8651b928edd19c642b17838a8c75bd&chksm=e91248fede65c1e87214ce913baab45431f816d0bfd0362e00aea1ed4232f200d5ae2720cd71&scene=21#wechat_redirect

FS32K144UAT0VLLTのタイマーのうち、入力キャプチャ機能を持つのはどれですか？ マネージャー： 質問： （１）FS32K144UAT0VLLTのデータシートには8つの独立したTIMEがあると記載されていますが、FTM0、FTM1、FTM2しか見当たりません。他にTIMEとして登録されているものは何ですか？ （２）FS32K144UAT0VLLTのどのTIME関数が入力キャプチャ機能を持っていますか？ ありがとう！ Re: FS32K144UAT0VLLT哪个Time具备Input capture功能？ Robin_Shen こんにちは、追加の質問があります。 1. 表47-1 「S32K-RM Rev14.2のFTMインスタンスと機能」において、「障害入力」というパラメータは何ですか？ 2. S32K-RM Rev14.2のマニュアルのうち、各FTMが入力機能を備えていることが示されているページは何ページありますか？キャプチャ機能はどうでしょうか？ ありがとう！ Re: FS32K144UAT0VLLT哪个Time具备Input capture功能？ ハイ S32K-RM Rev14.2の表47-1。 FTM インスタンスと機能表裏S32K144FTM0 ～ FTM3 のサポートを参照してください。言及されたこれは、各 FTM が 8 チャネルのチャネルをサポートすることを意味します。 入力キャプチャ機能はすべてサポートされています。FTM インスタンスの機能領域を表示する場合、このテーブルに表示される機能も一部の FTM ではサポートされません。 よろしくお願いいたします ロビン Re: FS32K144UAT0VLLT哪个Time具备Input capture功能？ A1. これは、サポートされる外部障害入力の数を指します。S32K144を例にとると、表47-1に示すように、4つの入力をサポートしています。これらの4つの入力、FTM0_FLT0\1\2\3は、左側の表で確認できます。 Table 47-1. FTM instances and features Table 47-2. FTM signal descriptions.png A2. 各FTMがサポートする機能は通常、具体的に記載されていません。表47-5を参照してください。チャネルモード選択構成レジスタを使用すると、47.5.5 入力キャプチャモードに記載されている入力キャプチャモードを実装できます。

SWOデータトレース機能（MCXA156上） NXPコミュニティの皆様、こんにちは。 私は、MCXA156 コントローラとその開発ボードのデバッグ機能の実験を行ってきました。 私の設定: ( FRDM-MCXA156 ) およびカスタム ボード内の MCXA156。 MCUXpresso IDE v25.6 [ビルド 136] [2025-06-27] MCU Link pro デバッガ これまで、NXP Expresso SDK のさまざまな例を使用して、デバッグのニーズのほとんどをカバーすることができました。(ブレークポイント、データウォッチ ポイント、ITM printf リダイレクト、割り込みトレースなど) どういうわけか、SWO 経由の Data Watch Trace/Stream の使用に行き詰まっています。MXCA156 デバッグ機能の機能を誤解しているのではないかと考えています。 私の理解では、MCXA156 は ITM と DWT をサポートしています。 これにより、読み取り/書き込みデータコンペレータを追加し、SWO ピンを介して適切なデータをストリーミング/トレース出力できるようになります。私の設定では、他のすべてのトレース機能が正常に動作しているように見えても、「SWO データ」ウィンドウを動作させることができないようです。 私のセットアップは正しいですか、それともMCUXpresso IDE が私のユースCASEをまだサポートしていないだけでしょうか? よろしくお願いいたします。 アレックス Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは@AlexRu SWO を使用するには、提供されている手順ガイドに従ってください。 ハードウェア要件: チップの SWO ピンがデバッガーの SWO インターフェースに接続されていることを確認します。 （これはFRDM-MCXN947ボードです） Alice_Yang_0-1764234995466.png ソフトウェア構成: 新しいプロジェクトを作成するときに、「printf/scanf を ITM にリダイレクト」を選択して、printf/scanf 出力を ITM にリダイレクトします。 Alice_Yang_1-1764235038209.png 2. トレースクロックを設定します。 Alice_Yang_2-1764235054451.png CLOCK_AttachClk(kTRACE_DIV_to_TRACE); /*! TRACEをTRACE_DIVにスイッチ */ /*! 区切り線を設定します */ CLOCK_SetClkDiv(kCLOCK_DivTraceClk, 3U); /*! TRACECLKDIV分周器の値を3に設定する */ 3. MCUXpresso IDEでITMコンソールビューを設定します。 SWO ITM コンソールを開きます。 IDEs 設定とコードの両方で、対応するコア クロックとトレース クロックを構成します。 Alice_Yang_4-1764235140283.png Alice_Yang_5-1764235162015.png Alice_Yang_6-1764235196129.png Alice_Yang_7-1764235214710.png Alice_Yang_8-1764235219324.png 4. 出力結果を表示します。 Alice_Yang_9-1764235228270.png SWO および DWT の使用に関する詳細は、 MCUXpresso_IDE_25.06_Instruction_Trace_Guide.pdfを参照してください。このガイドは、MCUXpresso IDE インストール パスの下にあります。 BR アリス   Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは、アリス。 SWO トレースの設定方法に関する詳細な視覚化をありがとうございます。 私のCASE、SWO ピン (MXCA-156 PCB) と MCU-Link Pro デバッグ プローブの電気的接続はすでに確認済みです。あなたが言及した PDF には確かにより詳細な情報が含まれており、私の知識が広がります。しかし、これは DWT の使用に関する私の仮定を実際に説明/反証するものではありません。 私のセットアップでは、割り込みリターンと割り込みエントリポイントからのデータが「SWO 割り込み」ウィンドウにすでに表示されています。(これは私の SW からのライブデータです。意味のあるデータと正しいタイミング情報です。) AlexRu_0-1764332623019.png この情報により、SWO ピン経由の電気接続が機能していること、トレース クロックが有効になっていること、および周波数が SWO トレース構成で期待どおりであることを確認しました。 私が見逃しているのは (あるいは私の側に誤解があるのでしょうか?)、データ ウォッチ コンパレータ (DWT) を介してデータを「SWO データ」ウィンドウの SWO トレース ピンにトレースする機能です。 「再生」ボタンを有効にした後、トレース情報が受信されません。 AlexRu_1-1764333027216.png MXCA156 の設定では、データ ウォッチポイントが 2 つのコンパレータに制限されていることを確認しました。SO、IDEs はそれらを設定できるようで、設定されたデータ ウォッチ ポイントが多すぎると警告が表示されます (妥当性を確認するために意図的に行いました)。 AlexRu_2-1764333135738.png SO 私の質問は、IDEs はこのデバッグ方法をサポートしているのか、それとも私の側の誤解で DWT はこの種のデータ トレース機能をまったく提供していないのか、ということです。 Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは@AlexRu ご返信ありがとうございます。 DWT を使用して監視したいデータを教えてください。 また、問題を再現できるプロジェクトを共有し、実行したすべての手順を示すビデオを提供してください。 この情報を使用して、自分の側で問題を再現して確認します。 ご回答をお待ちしています。 BR アリス Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは@Alice_Yangさん、 私は、FRDM-MCXN236デモボード用のSDKサンプル（LED点滅）に基づいた最小限のプロジェクトを準備しました。(デモアプリ -> LED_BLINKY_PERIPHERAL ) MCXN236 ボードのセットアップは、以前使用した MCXA156 ボードと同じ効果を示しているようです。別のボードでこの動作を確認したかっただけです。 ピン設定をP0_2 -> 出力SWOに設定（この例ではデフォルト） この例ではBOARD_BootClockFRO12M()を使用しているため、TRACECLKとTRACECLKDIV（1）を有効にします。 glocal ram 変数に対するアクションを確認するために次のコードを追加しました。 volatile uint32_t debug_cnt = 0; void SysTick_Handler(void) { /* Toggle pin connected to LED */ GPIO_PortToggle(BOARD_LED_GPIO, 1u << BOARD_LED_GPIO_PIN); debug_cnt++; //<- added for demonstration purpose } 添付ファイル: デモ プロジェクトが含まれた Zip ファイル、デバッグ セッションのビデオ。 「SWO データ」にはトレースデータが表示されないことがCANで確認できます。グローバル変数ウィンドウには、SysTick_Handler サイクル内の debug_cnt の増分 (約 1 秒) が表示されます。また、「SWO 割り込み」は SysTick_Handler() のエントリと終了を確実に表示するため、SWO トレースの電気接続は正しく機能しているようです。 この問題を絞り込むためにさらに情報を提供CAN場合はお知らせください。 また、DWT を使用してグローバル/静的 RAM 変数をトレースするという私の期待が実現可能かどうかを確認していただければ幸いです。あるいは私が誤解しているのかもしれません。 Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは@AlexRu 私の側でテストしました。変数の値をリアルタイムで出力することはできません。デバッグが一時停止されているときにのみ変数の値を確認できます。 Alice_Yang_0-1765449677747.png BR アリス Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは、アリス。お疲れ様です。SO、MCUXpresso は現在「データ トレース」デバッグをサポートしていないようです。FUTUREのリリースでもこれをリクエストすることは可能ですか? 私の部外者の視点から見ると、それが機能するために欠けているものはあまりないように思えます。SWO 割り込みは、finde で動作し、高度なデバッグ機能に拡張されているようです。 SWO データ トレースは、NXP の Xpresso ツールチェーンでのデバッグの可能性をさらに拡張します。 よろしくお願いします アレックス Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは@AlexRu お返事ありがとうございます。このリクエストを MCUXpresso 開発チームに転送し、進捗状況を随時お知らせします。ありがとう。   BR アリス Re: SWO Data Trace functionallity (on MCXA156) こんにちは@Alice_Yang @AlexRu 現在、 FRDM-MCXA156 の開発ボードを使っていて、デバッグ中に SWO(シリアルワイヤー出力) で問題が発生しています。 アプリケーションは正常にデバッグされましたが、 SWOトレースウィンドウには以下のようなデータが一切届きません。 SWOデータ SWOプロファイル SWO割り込みトレース ITMコンソール 問題のトラブルシューティングのため、以下の点を既に確認しました。 SWOピンはConfig Toolsを使用して正しく設定されました。 TRACEクロックは有効化され、96 MHzに設定されており、MCUコアクロック(MCXA156 96 MHzで動作)と一致します。 プロジェクトは、オンボードのMCU-Linkプローブを搭載したLinkServerを用いてデバッグされています。 これらの設定にもかかわらず、デバッグ中はすべてのSWOトレースウィンドウが空のままです。 参考までに、 SWOトレース構成、 SWOデータ、 SWOプロファイル、およびSWO割り込みトレースウィンドウのスクリーンショットを添付しました。 この問題の原因について、またはFRDM-MCXA156でSWOトレースを有効にするために必要な追加の設定手順があるかどうかについて、ご助言やご提案をいただければ大変ありがたいです。 お時間とご協力に感謝いたします。

为了模拟 imx95lpddr5 evk 的满载情况 如何模拟 i.MX95 LPDDR5 EVK 板上的满载运行条件。是否有可用的镜像文件或预编译的应用程序？我正在使用Linux多媒体镜像。 Re: To simulate full load condition on the imx95lpddr5 evk 你好， 您可以参考这份应用笔记： https://www.nxp.com/docs/en/application-note/AN14449.pdf 实现高CPU负载测试有多种不同的使用场景。 我建议你看看： CA55 CoreMark eIQ 基准测试（GPU） eIQ 基准测试（NPU） 顺祝商祺！ 

对 Guiguider 许可证合规性的担忧 尊敬的恩智浦半导体公司： 我写信是为了举报贵公司 Guider 软件可能违反许可协议的情况。 据我们了解，您的 Guider 软件许可明确禁止将其用于基于非 NXP 系列芯片的产品开发中的商业用途。然而，一家大型跨国公司目前正在使用该软件开发基于瑞芯微系列主控芯片的商业产品，这显然违反了您的许可条款。 我想请问：NXP是否计划采取任何强制措施来保护其在此事中的知识产权？此外，如果我要就此违规行为提出正式投诉，您需要哪些具体证据才能启动调查？ 期待您的回复。 回复： Concern about Guiguider License Compliance guiguider违反许可证使用问题。 贵公司的guider软件许可证明确禁止使用于非nxp系列芯片的商业开发。现有某大型跨国企业公司违反了该许可证条例，将该软件应用于瑞芯微系列主控芯片的商业产品上。贵公司是否会展开维权活动？如果我想举报，应该提供什么证据。 Re: Concern about Guiguider License Compliance 感谢您提出这个问题。 GUI Guider 的使用受许可条款的约束，这些条款对其允许的使用进行了规定，包括对支持的硬件平台的限制。恩智浦希望其软件工具的用户遵守适用的许可条款。 我们不了解您帖子中提到的具体情况，因此无法对任何特定公司、产品或指控的活动发表评论。如果您有关于 GUI Guider 可能被滥用的具体信息，请通过 NXP 的相应直接渠道（而不是通过社区发帖）提供更多详细信息，以便进行审查。有用的信息示例可能包括相关组织的身份、产品或项目的详细信息或其他支持信息。 感谢您对恩智浦产品和软件工具的关注。

SL3S1206FUD2/HA 良好なダイ識別ドキュメント/ウェハーマップの要請 サプライヤー様、 ウェハー上で「Good Die」と「NG Die」を区別するドキュメントや刻印をご提供いただいているか確認したいと思います。 具体的には、以下の人材を求めています。 ウェハマップ（どのダイがテストに合格/不合格だったかを示す）、 検査結果報告書、または 使用可能なダイを明確に識別するための、ウェーハ表面上の物理的なマーキング（例：インクドット、レーザーマーキング）。 顕微鏡でウェハーを調べましたが、目に見える物理的痕跡は見つかりませんでした。これは、良品ダイと不良品ダイを確実に区別できない可能性があるという懸念を引き起こす。 そのような情報が出荷に含まれているかどうか、または製造元からこれらの資料を受け取るのを手伝っていただけませんか?このデータは次のプロセッシングステップに必要です。 ご親切なご協力に感謝いたします。ご返信をお待ちしております。

GUI Builder 2.0の画像生成コードのバグ lqdjdy_0-1785631623960.png lqdjdy_1-1785631779772.png lqdjdy_2-1785631867575.png 生成されたマクロ名にはスペースが含まれます。 Re: GUI Builder 2.0生成图片代码bug こんにちは、 @lqdjdy さん。 投稿ありがとうございます。「face-id」という画像ファイル名を「face_id」に変更すれば問題は解決するでしょうか？ BR セレステ Re: GUI Builder 2.0生成图片代码bug はい、画像名にはハイフンを含めることはできません。 Re: GUI Builder 2.0生成图片代码bug ご確認いただきありがとうございます。画像名に特殊文字が含まれている場合にエラーメッセージを表示するよう、ソフトウェアチームに提案いたします。

MC9S08QG8コンパイラ、このチップ用のCコンパイラはどうすれば入手できますか？ 実は、MC9S08QG8チップを使った製品を開発しています。C言語のコードをいくつか変更する必要があります。私はWindows 11を使用しています。チップのデバッガを生成するにはどのソフトウェア製品を使うべきでしょうか。私は製品のチップにPCのUSBポートからWiztronicsのインターフェースボードを使っています。8つの異なるソフトウェアパッケージを試しましたが、どれも最終的なデバッガが動作していません。デバッグにおすすめのソフトウェイジパッケージは何ですか?私はあなたの開発センターで迷子になってしまいました。 Re: MC9S08QG8 COMPILER, how do i get the c compiler for this chip Hello CodeWarriorツールバージョン11.1はWindows 11でサポートされており、このツールはさまざまな接続に対応しています[P&E USB Multilink Universal / USB Multilink、P&E Cyclone、オープンソースBDM、P&E Full chip simulation] このツールはこちらのリンクからダウンロードできます: CodeWarrior® for MCUS (Eclipse IDE) v11.1 MC9S08QG8というデバイスを探していたのですが、このバージョンが見つかりました。 敬具、ルイス