Question about how to use VLPS under FreeRTOS for FS32K116LAT0MLFT Hello, the chip I'm using is FS32K116LAT0MLFT, the environment is S32DS3.6.6, and the RTD package I'm using is... YangLuYao_0-1787278192313.pngYangLuYao_0-1787278192313.png I'd like to ask how I should use VLPS mode. Is it configured in the peripheral components? I've never done this before, so I'd like to ask for your guidance. YangLuYao_1-1787278259938.pngYangLuYao_1-1787278259938.png Oh, I found this in the components. Is this it? How do I configure it? Looking forward to your reply, thank you! w Re: 关于FS32K116LAT0MLFT如何在FREERTOS下使用VLPS的问题 Hi @YangLuYao, Yes, you need the POWER Ip driver or the MCU MCAL driver. There are these example, but they do not utilize the LVPS mode. Power_Ip_Example_S32K118 Mcu_Example_S32K118 Regarding VLPS with FreeRTOS, this has been discussed here on the community. For example: https://community.nxp.com/t5/S32K/VLPS-Wakeup-ISR-FreeRTOS-xTaskNotifyFromISR-Issue-on-S32K144/m-p/2201694 Regards, Daniel

The S32DS ARM 2018 R1 license has expired; an extension application is requested. Hello, my S32DS ARM 2018 R1 license has expired. I am requesting an extension. Activation code: 2451-9851-B343-967E. I need it urgently, thank you. Re: S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期 Hi,  your S32DS license has been extended. Please activate S32DS again with your old code.  Re: S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期 Thanks for your support, it's ok!

GUIGuider-2.0.0 container object default padding issue First, I created a container, then added an image as a child object inside it, with the image object positioned at 0,0. However, during UI editing, there were blank areas on the left and top. After analysis, I found that this was caused by the container object having default padding. I need to explicitly set the container object's padding to 0 to solve this problem. This is too cumbersome; is there a better solution? 回复： GUIGuider-2.0.0容器对象默认内边距问题 Hi @RedFace_caocao , The default styles of the components in GUI Guider V2 follow the styles in the default theme of LVGL, and no additional styles are maintained. Thank you for your feedback. We will carefully consider optimizing this aspect in future versions. Best Regards, Wenbin 回复： GUIGuider-2.0.0容器对象默认内边距问题 Hi @RedFace_caocao  You can add  lv_obj_set_style_pad_all(ui->screen.container_1,0, LV_PART_MAIN | LV_STATE_DEFAULT); to Remove default padding. the sample code is // Create container: ui->screen.container_1 ui->screen.container_1 = lv_obj_create(ui->screen.screen); lv_obj_set_style_pad_all(ui->screen.container_1,0, LV_PART_MAIN | LV_STATE_DEFAULT); lv_obj_set_width(ui->screen.container_1, 200); lv_obj_set_height(ui->screen.container_1, 150); lv_obj_set_align(ui->screen.container_1, LV_ALIGN_TOP_LEFT); lv_obj_set_x(ui->screen.container_1, 0); lv_obj_set_y(ui->screen.container_1, 0); BR Harry

PWMを使用したVboost（手動）ヒステリシスなし ファクトシート/PT2000A4FS.pdfに記載されているように、Vboost DCDCジェネレータの手動制御またはPWM制御を使用するSD6 MC33816 PT2000またはPT2001用のファームウェアコードを作成した人はいますか？唯一の指針は、インジェクターコードに似ているはずだが、低側のみであり、電圧制御と電流制御の両方が必要だということだ。 ソレノイドコントローラー Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic こんにちは、Fastさん。例を教えていただきありがとうございます。DRAM内のpwm_tonとpwm_toffの値は何ですか？あなたのコードを試しましたが、なぜ私の場合VboostがVBOOT_H(65Vと定義されている)に達しないのか不思議に思っています Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 今のところは大丈夫です。はい、添付ファイルにはVboost生成の「マニュアル」方法が示されており、マイクロコードでLS7のオン・オフが行われます。 そろそろ閉店しましょうか？他に質問はありますか？ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 直接メールを [email protected] に送ってください 。この件についてはいつも彼と話し合ってきました。 Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 上記の説明は、あなたが言及された手動PWMと何か関係がありますか？ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic こんにちは、グオウェイスン はい、PT2001/MC33816にはハードウェアが内蔵されています。LS7のみがVFM（可変周波数モード）、ヒステリシス電流制御、または非同期位相と呼ばれる機能を備えています。私が完全に理解できない理由で、このモードには問題があります。このモードは、負荷によって消費される電流によるVboostの変動に敏感であるか、Vboostから供給される負荷の電流制御に問題があるかのどちらかです。どうやら、リザーバーコンデンサを直接接地し、Vboostの電流検出を回避すれば、感度は低下しないようだ。それはブースかもしれない。手動PWMモードのコーディングにより、その状況は回避されています。同じ機能に複数の名前を呼ぶと、これらの強力なソレノイドコントローラは不必要に複雑に感じられがちですが、続ければ必ず報われます。同期フェーズは基本的にオフです。その方がずっとシンプルに聞こえます。 Fast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.png Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic guoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.png しかし、Vboostは同期モードと非同期モードの両方を使用して実装されます。 あなたの言っていることが理解できませんでしたし、それがチップ内部の機能なのか、それとも別の方法なのかもわかりませんでした。 Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 理由は「 PT2001でVboostが抑制される理由」を参照してください。 つまり、Vブーストが低い場合に内側のループがPWMを処理し、オン時間に制限があります。LS7を直接制御するため、ノイズの影響を受けやすい非同期ハードウェアは使用していません。通常のスイッチオフは電流に達した時です。そして、時間通りに下り坂を進む。Vboost の目標値に達すると、Vboost が低くなりすぎるまで外側のループは停止します。 Vboostの抑制は不要であるため、参照した投稿を参照してください。 コードの使用は自己責任でお願いします！ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic ここでコードの詳細を紹介または説明していただけますか? Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic PT2001については、添付の私の解答をご覧ください。ご意見をお聞かせください。 @guoweisun @RafaR Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic HI Fast これらの部品ソフトウェアはすべてこちらに一覧です: guoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.png PT2000 3/4/6シリンダーエンジン評価ボード |NXPセミコンダクターズ お役に立てれば幸いです! BR Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic ご回答ありがとうございます！ 現在、PSシミュレーター上でコードのテストを行っています。インダクタは10μH 120mΩで、Tonを5μsに設定しましたが、全く動作しませんでした。次に、それを10μsに増やすと（おそらく7μsでも動作するでしょう）、DCDCは期待どおりに切り替わります。 ありがとう！ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic こんにちは、アティカさん 私は12Vではなく48Vで動作させていました。GaN FETと15μH 25mΩインダクタを使用した場合、Ton = 7μs、Toff = 4μsとなります。これらは設置状況や負荷に大きく依存します。インジェクター切り替え後の回復時間にも注意してください。

请求 S32K344HVS1P55A CTKR2402R 数据手册 – 257 封装 尊敬的NXP社区团队： 我目前正在使用S32K344HVS1P55A (CTKR2402R)器件，我正在寻找257 引脚封装的数据手册/文档。 请问能否提供 该设备和软件包的 相关 数据手册或官方下载链接 ？ 我特别需要 S32K344HVS1P55A CTKR2402R，257 封装 变体 的文档 。 非常感谢您的帮助。 谢谢！ 此致， 阿拉文德·托加拉利 Re: Request for S32K344HVS1P55A CTKR2402R Datasheet – 257 Package 你好， 对于 S32K344HVS1P55A (CTKR2402R)，没有单独的数据手册提供封装特定信息。NXP 使用通用的 S32K3xx 数据表，涵盖所有 S32K344 衍生产品和封装变体，包括 MAPBGA257（257 球）封装。当前的 S32K3xx 数据手册明确列出了 MAPBGA257 作为支持的封装选项。 https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/S32K3xx.pdf 但我估计您正在寻找 IO 多路复用表，它是参考手册附件的一部分。 https://www.nxp.com/webapp/Download?colCode=S32K3XXRM petervlna_0-1787303339532.pngpetervlna_0-1787303339532.png 顺祝商祺！ Peter

Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Has anyone firmware code for SD6 MC33816 PT2000 or PT2001, using manual or PWM control of Vboost DCDC generator as promised in; fact-sheet/PT2000A4FS.pdf ? Only guidance is it should be like injector code, but is only low side, and needs voltage as well as current control. Solenoid Controller Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Hi Fast, Thank you for your example. what is the pwm_ton and pwm_toff in your DRAM? I tried you code, I am wondering why Vboost never reach VBOOT_H (which is defined as 65V)in my case Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic I am good for now. Yes the attachment shows the "manual" method for Vboost generation where microcode turns LS7 on and off. Shall we close? Any other questions? Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Please directly send mail to [email protected] ,I always discussed with him for this topic. Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Does your above description have any relationship with your said manual PWM? Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Hi guoweisun Yes there is some built in hardware, for PT2001/MC33816 only LS7 has this feature that is called VFM variable frequency mode, or hysteretic current control , or async phase. For a reason I do not entirely understand, this mode has issues, either this mode is sensitive to disturbances in Vboost from current drained by a load, or the current control of load supplied from Vboost. Apparently not sensitive if reservoir capacitor is taken directly to ground, avoiding Vboosts current sense.  It maybe booth. The manual PWM mode coded has avoided that condition. Multiple names for same feature often makes these powerful solenoid controllers seem unnecessarily complex, but persist you will be rewarded. Sync phase is essentially Off that sounds much simpler to me. Fast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.png Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic guoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.png But we implement Vboost using both sync and async modes I didn't understand what you said, and I didn't know if it was a function inside our chip or some other way Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Sure the reason see "PT2001 why inhibit Vboost?" So there is an inner loop doing the PWM, if Vboost is low, with a limit for the On time. Direct control of LS7, no async hardware used, that may be susceptible to noise. Usual switch off is when current is reached. Then a coast down Off time. When Vboost target reached  the outer loop rests, till Vboost is too low. Note the is no Vboost inhibit, as not needed see referenced post. Code use at own risk! Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Could you please introduce or explain your code detail here? Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic For PT2001 see my solution attached, please critique . @guoweisun @RafaR  Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic HI Fast  All of these parts software are list here: guoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.png PT2000 3/4/6 Cylinders Engine Evaluation Board | NXP Semiconductors Hope this could help you! BR Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Hi Atika I was running from 48V, not 12V.  Also using GaN FETs and 15uH 25mOhm inductor, Ton  7us, Toff = 4us. These are very much installation and load dependant, remember the recovery from injector switching. Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic Thank you for your responce! Currently i am testing the code on PS simultor. the inductor is 10uH 120mOhm, I used Ton as 5us, and it was not working at all. Then increasing it to 10us (i guess 7us will work as well), DCDC is switching as expected. Thanks!

Arm extend用S32 Design Studio こんにちは、 S32 Design StudioのARMライセンスを延長したいと思っています。 有効期限：2026年3月28日 アクティベーションコード： 7D78-3595-C40B-5F1E ありがとうございます。 Re: S32 Design Studio for Arm extend 誰か助けてくれませんか？ Re: S32 Design Studio for Arm extend こんにちは、 お客様のS32DSライセンスが延長されました。以前のコードを使用して、S32DSを再度有効化してください。

S32 设计工作室（适用于 Arm 扩展） 您好， 我想扩展我的 S32 Design Studio for ARM 许可证。 有效期至：2026年3月28日 激活码： 7D78-3595-C40B-5F1E 谢谢。 Re: S32 Design Studio for Arm extend 有人能帮帮我吗？ Re: S32 Design Studio for Arm extend 你好， 您的S32DS许可证已延期。请使用您之前的激活码重新激活S32DS。

S32 Design Studio for Arm extend Hi , I would like to extend my S32 Design studio for ARM license. Expiration Date: Mar 28, 2026 Activation Code: 7D78-3595-C40B-5F1E Thanks. Re: S32 Design Studio for Arm extend Hi,  your S32DS license has been extended. Please activate S32DS again with your old code.  Re: S32 Design Studio for Arm extend Anyone help me?

GUIGuider-2.0.0 コンテナオブジェクトのデフォルトパディングの問題 まず、コンテナを作成し、その中に子オブジェクトとして画像を追加しました。画像オブジェクトは(0,0)の位置に配置されています。しかし、UI編集中に左と上に空白領域ができてしまいました。分析の結果、これはコンテナオブジェクトにデフォルトのパディングが設定されていることが原因であることがわかりました。この問題を解決するには、コンテナオブジェクトのパディングを明示的に0に設定する必要があります。これは非常に面倒です。もっと良い解決策はないでしょうか？ 回复： GUIGuider-2.0.0容器对象默认内边距问题 こんにちは@RedFace_caocao 追加できます lv_obj_set_style_pad_all(ui->screen.container_1,0, LV_PART_MAIN | LV_STATE_DEFAULT); デフォルトのパディングを削除します。 サンプルコードは次のとおりです。 // Create container: ui->screen.container_1 ui->screen.container_1 = lv_obj_create(ui->screen.screen); lv_obj_set_style_pad_all(ui->screen.container_1,0, LV_PART_MAIN | LV_STATE_DEFAULT); lv_obj_set_width(ui->screen.container_1, 200); lv_obj_set_height(ui->screen.container_1, 150); lv_obj_set_align(ui->screen.container_1, LV_ALIGN_TOP_LEFT); lv_obj_set_x(ui->screen.container_1, 0); lv_obj_set_y(ui->screen.container_1, 0); BR ハリー 回复： GUIGuider-2.0.0容器对象默认内边距问题 こんにちは@RedFace_caocaoさん GUI Guider V2 のコンポーネントのデフォルトスタイルは、LVGL のデフォルトテーマのスタイルに準拠しており、追加のスタイルは維持されません。 ご意見ありがとうございます。今後のバージョンアップでこの点を最適化できるよう、慎重に検討してまいります。 よろしくお願いします、 ウェンビン

S32DS ARM 2018 R1のライセンスが期限切れとなりました。延長申請をお願いします。 こんにちは。私のS32DS ARM 2018 R1ライセンスの有効期限が切れました。延長を申請いたします。 アクティベーションコード： 2451-9851-B343-967E。至急必要です。よろしくお願いします。 Re: S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期 こんにちは、 お客様のS32DSライセンスが延長されました。以前のコードを使用して、S32DSを再度有効化してください。 Re: S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期 サポートありがとうございます、大丈夫です!

Vboost 使用 PWM（手动），无滞后 有没有人按照 fact-sheet/PT2000A4FS.pdf 中的承诺，使用手动或 PWM 控制 Vboost DCDC 发生器，为 SD6 MC33816 PT2000 或 PT2001 编写过固件代码？唯一的指导原则是，它应该类似于喷油器代码，但只是低侧，并且需要电压和电流控制。 电磁阀控制器 Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 嗨，Fast，谢谢你的例子。你的动态随机存取存储器\(DRAM\)中的pwm_ton和pwm_toff分别是多少？我试用了你的代码，但我很疑惑为什么我的 Vboost 电压始终达不到 VBOOT_H（定义为 65V）。 Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 我暂时没事。是的，附件展示了 Vboost 生成的“手动”方法，其中微代码控制 LS7 的开启和关闭。 我们关门吗？还有其他问题吗？ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 请直接发送邮件至[email protected] ，我一直和他讨论这个话题。 Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 你上面的描述和你所说的手动PWM操作有任何关系吗？ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 嗨，郭伟孙 是的，有一些内置硬件，PT2001/MC33816 只有 LS7 具有此功能，称为 VFM 可变频率模式、滞后电流控制或异步相位。出于我不太明白的原因，这种模式存在问题，要么是这种模式对负载消耗电流引起的 Vboost 扰动很敏感，要么是对 Vboost 提供的负载电流控制不敏感。如果储能电容直接接地，避开Vboost的电流感知，则似乎不敏感。这可能是展位。手动 PWM 模式编码避免了这种情况。同一个功能有多个名称，这常常使这些功能强大的电磁阀控制器看起来过于复杂，但坚持下去，你会得到回报。同步相位基本上是关闭的，这听起来简单多了。 Fast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.pngFast_0-1737539689581.png Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic guoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.pngguoweisun_0-1737510763987.png郭伟孙_0-1737510763987.png 但是我们同时使用同步模式和异步模式来实现 Vboost。 我没听懂你的意思，也不知道这是指我们芯片内部的功能还是其他什么原因。 Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 当然，原因请参见“ PT2001 为什么要抑制 Vboost？ ” 因此，当 Vboost 较低时，内部循环会执行 PWM，并且对开启时间有限制。直接控制 LS7，未使用异步硬件，因此可能容易受到噪声干扰。通常情况下，当电流达到设定值时就会断电。然后是下班时间。当 Vboost 目标值达到时，外循环暂停，直到 Vboost 值过低为止。 注意，没有 Vboost 抑制，因为不需要，请参阅相关帖子。 使用代码风险自负！ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 请您在这里详细介绍一下您的代码？ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 关于 PT2001，请参考我附上的解决方案，并提出批评意见。 @guoweisun @RafaR Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 嗨，快 所有这些部件的软件都列在这里： guoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.pngguoweisun_0-1736732852841.png PT2000 3/4/6缸发动机评估板 | 恩智浦半导体 希望这对您有所帮助！ BR Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 谢谢你的回复！ 目前我正在PS模拟器上测试代码。电感器是 10uH 120mOhm，我把 Ton 设置为 5us，但它完全不起作用。然后将其增加到 10us（我猜 7us 也可以），DCDC 切换符合预期。 谢谢！ Re: Vboost using PWM (manual) NOT hysteretic 你好，阿蒂卡 我当时用的是48伏电压，不是12伏。同时使用 GaN FET 和 15uH 25mOhm 电感器，Ton 7us，Toff = 4us。这些都与安装和负载密切相关，请记住喷油器切换后的恢复过程。

FS32K116LAT0MLFTでFreeRTOS上でVLPSを使用する方法に関する質問 こんにちは。私が使用しているチップはFS32K116LAT0MLFT、環境はS32DS3.6.6、使用しているRTDパッケージは... YangLuYao_0-1787278192313.pngYangLuYao_0-1787278192313.png VLPSモードの使い方について教えていただきたいのですが、周辺機器の設定で設定するのでしょうか？これまでVLPSモードを使ったことがないので、ご教示いただけると幸いです。 YangLuYao_1-1787278259938.pngYangLuYao_1-1787278259938.png ああ、コンポーネントの中にこれを見つけました。これで合っていますか？どのように設定すればいいのでしょうか？ご回答をお待ちしております。ありがとうございます！ w Re: 关于FS32K116LAT0MLFT如何在FREERTOS下使用VLPS的问题 こんにちは@YangLuYaoさん はい、POWER IPドライバーかMCU MCALドライバーが必要です。 これらの例はありますが、LVPSモードは利用されていません。 Power_IP_Example_S32K118 Mcu_Example_S32K118 FreeRTOSを使用したVLPSについては、このコミュニティで既に議論されています。 例： https://community.nxp.com/t5/S32K/VLPS-Wakeup-ISR-FreeRTOS-xTaskNotifyFromISR-Issue-on-S32K144/m-p/2201694 よろしくお願いいたします。 ダニエル

关于FS32K116LAT0MLFT如何在FREERTOS下使用VLPS的问题 你好，我使用的芯片是FS32K116LAT0MLFT，环境是S32DS3.6.6 ,使用的RTD包 YangLuYao_0-1787278192313.pngYangLuYao_0-1787278192313.png 我想咨询下，我该如何使用VLPS模式呢？是在外设配置组件吗？没做过，所以想请教一下， YangLuYao_1-1787278259938.pngYangLuYao_1-1787278259938.png 哦在组件里找到了这个，是这个吗？如何配置呢，期待回复，谢谢~~~ w Re: 关于FS32K116LAT0MLFT如何在FREERTOS下使用VLPS的问题 嗨@YangLuYao ， 是的，您需要 POWER Ip 驱动程序或 MCU MCAL 驱动程序。 虽然有这些例子，但它们没有使用 LVPS 模式。 Power_Ip_Example_S32K118 MCU_Example_S32K118 关于使用 FreeRTOS 的 VLPS，社区里已经讨论过这个问题了。 例如： https://community.nxp.com/t5/S32K/VLPS-Wakeup-ISR-FreeRTOS-xTaskNotifyFromISR-Issue-on-S32K144/m-p/2201694 此致， 丹尼尔

Request for S32K344HVS1P55A CTKR2402R Datasheet – 257 Package Dear NXP Community Team, I am currently working with the S32K344HVS1P55A (CTKR2402R) device and I am looking for the datasheet/documentation for the 257-pin package. Could you please share the relevant datasheet or official download link for this device and package? I specifically need the documentation for the S32K344HVS1P55A CTKR2402R, 257-package variant. Your assistance would be greatly appreciated. Thank you. Best regards, Aravind Togaralli Re: Request for S32K344HVS1P55A CTKR2402R Datasheet – 257 Package Hello, For the S32K344HVS1P55A (CTKR2402R), the package-specific information is not provided in a separate datasheet. NXP uses the common S32K3xx Data Sheet, which covers all S32K344 derivatives and package variants, including the MAPBGA257 (257-ball) package. The current S32K3xx datasheet explicitly lists MAPBGA257 as a supported package option. https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/S32K3xx.pdf But I expect you are looking for IO mux table which is part of reference manual attachment. https://www.nxp.com/webapp/Download?colCode=S32K3XXRM petervlna_0-1787303339532.pngpetervlna_0-1787303339532.png Best regards, Peter

GUIGuider-2.0.0容器对象默认内边距问题 首先创建一个容器，然后容器里添加一个图像的子对象，图像对象的位置是0，0。但是在UI编辑时左边和上边存在空白区域，分析后发现时容器对象默认有内边距导致的。需要显式地给容器对象设置内边距为0才能解决这个问题。这个太麻烦了，有啥好的解决方案吗 回复： GUIGuider-2.0.0容器对象默认内边距问题 嗨@RedFace_caocao 您可以添加 lv_obj_set_style_pad_all(ui->screen.container_1,0, LV_PART_MAIN | LV_STATE_DEFAULT); 移除默认内边距。 示例代码如下 // Create container: ui->screen.container_1 ui->screen.container_1 = lv_obj_create(ui->screen.screen); lv_obj_set_style_pad_all(ui->screen.container_1,0, LV_PART_MAIN | LV_STATE_DEFAULT); lv_obj_set_width(ui->screen.container_1, 200); lv_obj_set_height(ui->screen.container_1, 150); lv_obj_set_align(ui->screen.container_1, LV_ALIGN_TOP_LEFT); lv_obj_set_x(ui->screen.container_1, 0); lv_obj_set_y(ui->screen.container_1, 0); BR 哈里 回复： GUIGuider-2.0.0容器对象默认内边距问题 Hi @RedFace_caocao, GUI Guider V2的组件的默认样式是跟随LVGL 的default theme中的样式，并未维护任何额外样式。 感谢您的使用反馈，我们会认真考虑未来版本对这方面的优化。 Best Regards, Wenbin

S32K344HVS1P55A CTKR2402Rデータシートの要請 – 257パッケージ 親愛なるNXPコミュニティチームの皆様、 現在、 S32K344HVS1P55A(CTKR2402R) デバイスを 扱っており 、 257ピンパッケージのデータシートやドキュメント を探しています 。 このデバイスとパッケージに関する関連するデータシートや公式ダウンロードリンクを教えていただけますか? 特に S32K344HVS1P55A CTKR2402Rの257パッケージ 版 のドキュメントが必要です 。 ご協力いただければ大変ありがたいです。 よろしくお願いします。 よろしくお願いします、 アラヴィンド・トガラリ Re: Request for S32K344HVS1P55A CTKR2402R Datasheet – 257 Package こんにちは、 S32K344HVS1P55A(CTKR2402R)については、パッケージ固有の情報は別のデータシートには記載されていません。NXPは共通のS32K3xxデータシートを使用しており、MAPBGA257(257ボール)パッケージを含むすべてのS32K344派生およびパッケージバリアントをカバーしています。現在のS32K3xxデータシートでは、MAPBGA257がサポートパッケージオプションとして明示されています。 https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/S32K3xx.pdf ただし、リファレンス・マニュアルの添付ファイルに含まれるIOマルチパクシングテーブルをお探しの方が良いと思います。 https://www.nxp.com/webapp/Download?colCode=S32K3XXRM petervlna_0-1787303339532.pngpetervlna_0-1787303339532.png よろしくお願いいたします。 ピーター

S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期 您好，我的S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期。 active code：2451-9851-B343-967E，着急使用，谢谢。 Re: S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期 你好， 您的S32DS许可证已延期。请使用您之前的激活码重新激活S32DS。 Re: S32DS ARM 2018 R1 许可证过期,申请延期 谢谢你的支持，没关系！

S32K312 - SRAM 数据保持 - 冷启动时偶尔出现硬故障 你好 我正在尝试让 S32K312 中的 SRAM 存储器末尾（256 字节）在功能 RESET 后保留数据。 我通过修改链接器脚本来实现这一点，将ram_rsvd2（以及 __INT_SRAM_END）拉回 256 字节，这样启动汇编脚本就不会再清除最后 256 字节。 Hareesh_S_0-1787256254412.pngHareesh_S_0-1787256254412.pngHareesh_S_0-1787256254412.pngHareesh_S_0-1787256254412.pngHareesh_S_0-1787256254412.png 为了测试此功能，我切换了 2 个 GPIO/LED——一个用于指示 SRAM 内容已保留，另一个用于指示 SRAM 内容未保留/无效。 Hareesh_S_1-1787256280872.pngHareesh_S_1-1787256280872.pngHareesh_S_1-1787256280872.pngHareesh_S_1-1787256280872.pngHareesh_S_1-1787256280872.png 项目首次烧录时，似乎按预期工作——LED_01 在第一个周期内为高电平，随后 LED_02 在 RESET 周期后保持高电平。 不过，在冷启动时，两个 LED 灯都不亮——我可以确认这是因为 MCU 在尝试访问保留的 SRAM 区域中的地址时发生了硬故障。 我还注意到，当 MCU 运行时（发生硬故障）连接调试器时，我无法通过内存监视器单独读取/写入特定 SRAM 区域中的数据（它显示 ???? 而不是数据）。S32 Design Studio 和 Segger Ozone 都存在这个问题。 这种硬故障行为也不稳定，因为有时在冷启动时，项目可以按预期工作，LED_01 为高电平，但这种情况很少发生。 我附上了一个可以重现我问题的最小示例项目。如果能得到一些关于调试/更好地理解这种行为的帮助，那就太好了！ 此致， 哈里什·S Re: S32K312 - SRAM retention - occasional hardfaults on cold boot 你好， 我还注意到，当 MCU 运行时（发生硬故障）连接调试器时，我无法通过内存监视器单独读取/写入特定 SRAM 区域中的数据（它显示 ???? 而不是数据）。S32 Design Studio 和 Segger Ozone 都存在这个问题。 这意味着 RAM 内容丢失，并且 RAM 中包含 ECC 错误——RAM 未初始化。如果复位导致 RAM 内容被破坏，则取决于执行的是哪种复位操作。 检查 RMG [DES/ FES] 寄存器，查看发生了哪种 RESET。 petervlna_0-1787295026947.pngpetervlna_0-1787295026947.pngpetervlna_0-1787295026947.pngpetervlna_0-1787295026947.pngpetervlna_0-1787295026947.png petervlna_1-1787295110517.pngpetervlna_1-1787295110517.pngpetervlna_1-1787295110517.pngpetervlna_1-1787295110517.pngpetervlna_1-1787295110517.png 当从 RAM 读取 ECC 错误时，会触发硬故障。 顺祝商祺！ Peter Re: S32K312 - SRAM retention - occasional hardfaults on cold boot 你好@petervlna ， 谢谢你的解释。我知道 SRAM 中的内容会无效，但没想到这会导致硬故障。 我还有一个问题——当我的应用程序进入待机模式并通过唤醒事件退出时，MC_RGM DES/FES 标志均未设置。这是预期行为吗？如果答案是肯定的，我该如何确定MCU是否已退出待机状态？这条后续内容是否更适合另开一篇社区帖子？通过唤醒信号退出待机状态是否会在 RDSS 寄存器中反映出来？ Re: S32K312 - SRAM retention - occasional hardfaults on cold boot 你好 ， 查阅了其他社区帖子和参考手册后，我的理解是，我应该结合 RDSS 检查 MC_ME[PREV_MODE]（实际上是 MC_ME.MODE_STAT）来判断 MCU 是否已从待机状态唤醒。 除非我理解有误，否则我认为这已经解答了我的疑问。 非常感谢大家的支持！ 此致， 哈里什·S Re: S32K312 - SRAM retention - occasional hardfaults on cold boot 你好， 是的，这是意料之中的。由 WKPU 事件引起的从 STANDBY 唤醒不一定会设置任何 MC_RGM DES 或 FES 标志。如果 MC_RGM 中未报告 RESET 状态，则确定设备是否从待机状态恢复的推荐方法是检查 MC_ME PREV_MODE 字段。 顺祝商祺！ Peter

我们能否对永磁同步电机进行V/f控制？ 我正在用V/f法建立PMSM控制的simulink模型。该模型适用于感应电机，但永磁同步电机的速度输出出现振荡，我认为是磁场没有同步。我是不是漏掉了什么？