你好
我正在尝试让 S32K312 中的 SRAM 存储器末尾（256 字节）在功能 RESET 后保留数据。
我通过修改链接器脚本来实现这一点，将ram_rsvd2（以及 __INT_SRAM_END）拉回 256 字节，这样启动汇编脚本就不会再清除最后 256 字节。
为了测试此功能，我切换了 2 个 GPIO/LED——一个用于指示 SRAM 内容已保留，另一个用于指示 SRAM 内容未保留/无效。
项目首次烧录时，似乎按预期工作——LED_01 在第一个周期内为高电平，随后 LED_02 在 RESET 周期后保持高电平。
不过，在冷启动时，两个 LED 灯都不亮——我可以确认这是因为 MCU 在尝试访问保留的 SRAM 区域中的地址时发生了硬故障。
我还注意到，当 MCU 运行时（发生硬故障）连接调试器时，我无法通过内存监视器单独读取/写入特定 SRAM 区域中的数据（它显示 ???? 而不是数据）。S32 Design Studio 和 Segger Ozone 都存在这个问题。
这种硬故障行为也不稳定，因为有时在冷启动时，项目可以按预期工作，LED_01 为高电平，但这种情况很少发生。
我附上了一个可以重现我问题的最小示例项目。如果能得到一些关于调试/更好地理解这种行为的帮助，那就太好了！
此致，
哈里什·S
你好，
我还注意到，当 MCU 运行时（发生硬故障）连接调试器时，我无法通过内存监视器单独读取/写入特定 SRAM 区域中的数据（它显示 ???? 而不是数据）。S32 Design Studio 和 Segger Ozone 都存在这个问题。
这意味着 RAM 内容丢失，并且 RAM 中包含 ECC 错误——RAM 未初始化。如果复位导致 RAM 内容被破坏，则取决于执行的是哪种复位操作。
检查 RMG [DES/ FES] 寄存器，查看发生了哪种 RESET。
当从 RAM 读取 ECC 错误时，会触发硬故障。
顺祝商祺！
Peter
你好@petervlna ，
谢谢你的解释。我知道 SRAM 中的内容会无效，但没想到这会导致硬故障。
我还有一个问题——当我的应用程序进入待机模式并通过唤醒事件退出时，MC_RGM DES/FES 标志均未设置。这是预期行为吗？如果答案是肯定的，我该如何确定MCU是否已退出待机状态？这条后续内容是否更适合另开一篇社区帖子？通过唤醒信号退出待机状态是否会在 RDSS 寄存器中反映出来？
你好 ，
查阅了其他社区帖子和参考手册后，我的理解是，我应该结合 RDSS 检查 MC_ME[PREV_MODE]（实际上是 MC_ME.MODE_STAT）来判断 MCU 是否已从待机状态唤醒。
除非我理解有误，否则我认为这已经解答了我的疑问。
非常感谢大家的支持！
此致，
哈里什·S
你好，
是的，这是意料之中的。由 WKPU 事件引起的从 STANDBY 唤醒不一定会设置任何 MC_RGM DES 或 FES 标志。如果 MC_RGM 中未报告 RESET 状态，则确定设备是否从待机状态恢复的推荐方法是检查 MC_ME PREV_MODE 字段。
顺祝商祺！
Peter