BCTU制御モードとトリガーモードにおけるADCノイズの差 こんにちは、 私は [S32k322] を使って、 eMIOSタイマー を使って100μsごとに BCTU をトリガーし、アナログデータを読み取るアプリケーションを開発しています。 2つのBCTUモード間で奇妙な挙動が見られます。 制御モード： ADC CTUモードを制御モードに設定すると、ADC変換は完全に安定します。FreeMASTERで読み取られたデータは、ノイズや不具合がなく、クリーンなデータです。 トリガーモード: ADC CTUモードをトリガーモードに切り替え(100μsのeMIOSトリガーは同じに)、サンプリングされたアナログデータがノイズが発生し、FreeMASTERで目立つグリッチが現れます。 トリガーモードでこのノイズを防ぐために必要な特定のアーキテクチャ構成、タイミング制約、またはレジスタ設定（トリガー遅延、FIFO構成、クロック同期など）はありますか？ 助けてくれてありがとう。 ADC ctuモードでの出力：トリガーモード Stark__2-1782126491792.png Stark__0-1782125656766.png ADC ctuモードでの出力：制御モード Stark__3-1782126564933.png Stark__1-1782125738057.png Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは@Stark_ テストプロジェクトを教えていただければ、私が自分の側でテストします。 Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは、 @Senlent さん。 ご回答ありがとうございます。私のADCクロックは160MHzです。以下にADCの設定とレジスタ値を添付しました。 クロック Stark__1-1782196451195.png ADCの設定 Stark__2-1782196500638.png Stark__4-1782196672188.png ADC ctuモードでの出力：トリガーモード Stark__3-1782196552394.png ADC ctuモードでの出力：制御モード Stark__5-1782196875804.png Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは@Stark_ ご提供いただいた設定画面のスクリーンショットに基づくと、いくつかの設定上の問題、特にモジュールクロックとキャリブレーションクロックの分周比に問題があるようです。 ADCクロックの設定は、下記の表に厳密に従う必要があります。 Senlent_0-1782179202962.png 変更して再度テストしてください。 Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは@Senlent  テストコードを添付しました。 BCTUの作業と、選ばれた一部のチャンネル(ADC_Instance0とADC_Instance1)の通常の変換は可能でしょうか? Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは、 @Senlentさん 「はい、BCTUと通常の変換の両方で作業することは可能です。」 参考になるサンプルコードはありますか？ また、あなたのプログラムは依然としてADCモジュールのクロックとキャリブレーションクロックの分周器を変更していません。 以下は私のテスト結果です。 ポートを外部からGNDに接続しました。大きな違いは見て取れません。" 修正されたテストプロジェクトを教えていただけますか?私がMysideでテストします。 Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは@Stark_ そのようなデモは持っていません。添付ファイルは修正済みのプロジェクトです。 Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは@Stark_ はい、BCTUと通常の変換の両方で作業することは可能です。 ご提供いただいたプログラムをテストし、いくつか修正を加えました。あなたの外部クロックは25MHzですが、私の外部クロックは16MHzです。 また、あなたのプログラムは依然としてADCモジュールのクロックとキャリブレーションクロック分周器を変更していません。 以下は私のテスト結果です。 ポートを外部からVDDに接続しました(タイプミスでした)。大きな違いは見て取れません。 Senlent_0-1782359793819.png Senlent_1-1782359802334.png Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは、 @Senlentさん 修正済みのプロジェクトファイルを添付していただきありがとうございます。テストしてみましたが、私の環境では現在のところ通常のADC変換では動作しません。 しかし、実際のアプリケーションではシステムクロックが 25MHzです。私があなたのプロジェクトに加えた変更は、クロック周波数を16MHzから25MHzに更新したことだけです。 クロックを25MHzに変更し、Adc CTUモードを制御モードに設定した後、通常変換は機能しなくなりましたが、BCTU変換は引き続き機能します。 Adc CTUモードがトリガーモードの場合、通常変換とBCTU変換は引き続き機能します。 添付されたプロジェクトは、 25MHzでBCTUトリガーモードとノーマル変換の両方を同時にサポートする設計ですか?SO、この高い周波数で動作させるために、どんな追加のクロック分割器やプリスケーラー、またはサンプリング時間の設定を調整すればよいでしょうか? Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは@Stark_ 既にテスト結果をお見せしましたが、サンプリング結果の変動は全く正常な範囲内であることに気づかれたはずです。 Senlent_1-1782892390979.png Senlent_2-1782892398124.png 私の提案は、以前提案したようにサンプリング時間を延ばしてみるのも良いことです。 Senlent_0-1782892370211.png Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは、 @Senlentさん 変換はBCTUモードとノーマルモードの両方で駆動する必要があるため、ADCをトリガーモードを使用するように設定しました。しかし、トリガーモードを使用した場合、前述のようにBCTUを介して測定したADCデータにノイズが見られることに気づきました。 Re: Difference in ADC noise between BCTU Control Mode and Trigger Mode こんにちは@Stark_ ADC変換がBCTUを介して行われる場合は、BCTU制御モードを使用してください。 ADCが通常/注入変換またはその他のトリガーパスを受け入れるようにするには、トリガーモードを使用します。 BCTU制御モードでは、ADCの開始制御がBCTUのみに制限されます。トリガーモードでは、ADCは通常/注入およびその他のサポートされている変換トリガーに対して開放されます。 つまり、検査結果は期待通りです。

S32K3X8EVB-Q289搭載デバッガを使ってカスタムS32K358ターゲットをプログラムする方法 現在はS32K3X8EVB-Q289評価ボードを使用しており、S32K358 MCUを基にカスタムハードウェア設計を開発しました。 もう少し詳しく教えていただけますか: EVBの搭載デバッガを使って外部S32K358ターゲットのプログラミングやデバッグは公式にサポートされていますか? サポートされている場合、EVB上でどのようなジャンパー設定またはハードウェアの変更が必要ですか？ この目的にはどのデバッグコネクタを使用すべきですか？ S32デバッグプローブを使用する場合と比較して、何か制限事項はありますか？ この構成について説明したドキュメントやアプリケーションノートはありますか? ご支援ありがとうございます。 よろしくお願いいたします。 ヤシュ・グプタ Re: Using S32K3X8EVB-Q289 On-Board Debugger to Program a Custom S32K358 Target こんにちは、 @Yash2530 さん。 1. はい、S32K3X8EVB-Q289搭載デバッガを使って外部S32K358ターゲットのプログラミング/デバッグが可能です。実際、EVBの搭載OpenSDAデバッガはP&E Microが開発したブートローダー/デバッグアプリケーションを使用しています - https://community.nxp.com/t5/S32-Design-Studio/Which-debugging-interface-is-better/m-p/1715877 2. この用途ではEVBのはんだ付けの再作業やジャンパー設定は不要です。 3. J55 USBホストコネクタ。 4. 実際には、標準的なフラッシュおよび外部S32K358ターゲットのソースレベルのデバッグには、EVBの搭載デバッガで十分であるべきです。あなたにとってどの機能が重要なのか分からないので、ご自身で機能を比較してみてください。 https://www.nxp.com/design/design-center/software/automotive-software-and-tools/s32-design-studio-ide/s32-debugger-for-s32-platform:S32DBG-S32PLATFORM https://www.pemicro.com/products/product_viewDetails.cfm?product_id=15320180&productTab=5045 5. はい、 https://www.nxp.com/webapp/Download? colCode=S32K3X8EVB-Q289HWUM よろしくお願いいたします。 パベル

M7コアのSGMIIでPFE_MACを設定する方法 こんにちは、NXPさん。 イーサネット・スイッチのPFE_MACとポート間でSGMIIリンクを確立したいと考えています。 M7コア用のSGMIIにおけるPFE_MACの設定例はありますか？ ご協力ありがとうございます。 Re: How to configure PFE_MAC in SGMII for the M7 core こんにちは、 @77373 投稿ありがとうございます。 はい、PFE MCALパッケージには存在します。対応する例を確認し、NXPアカウントからダウンロードするか、以下のリンクからアクセスできます。 https://www.nxp.com/app-autopackagemgr/automotive-software-package-manager:AUTO-SW-PACKAGE-MANAGER chenyin_h_0-1782125278279.png BR チェイン

FS26 Amuxのセンシング問題 BATセンス電圧をAMUXピンに送った後、 AMUXピンの電圧を測定しようとしています。関連するレジスタ値をすべて確認したところ、 FS_STATESレジスタはデバイスがノーマルモードであることを示しています。しかし、AMUXピンは引き続き0Vを出力し、12ビットADCは常に0の値を読み取っています。添付したコードでは、 S32K3xxのリファレンスサンプルを参考にしましたが、AMUXの測定が期待どおりに機能していません。どうか、こちらをご確認ください。 Re: FS26 Amux sensing issue こんにちは、 コードと詳細情報を共有していただきありがとうございます。以下の点をご確認いただけますか: - 書き込み後にM_AMUX_CTRLレジスタを読み戻し、AMUX_EN = 1およびAMUX[4:0] = 0x16（BATSENSEが選択されている）であることを確認します。 - また、SPI応答がM_AVAL = 1を示していることを確認してください。これは、メインステートマシンが通常モードであることを意味します。 ハードウェア面では、BATSENSEピンに期待される電圧が供給されていること、およびAMUXピンがADC入力に正しく接続されていることを確認してください。   BRs、トーマス Re: FS26 Amux sensing issue こんにちは、 読み戻し結果から、AMUXは正しく設定されていることが確認されましたが、デバイスはINIT_FSで停止しています。 この問題を解決するには、 AN13850 （NDAを必要とするセキュアファイル）のセクション6.1および6.2に記載されている初期化およびウォッチドッグシーケンスに従ってください。 電源投入後またはリセット後、セクション6.1で説明されているように、必要なFS_I_xxxレジスタとFS_I_NOT_xxxレジスタをすべて設定します。 初期化フェーズを終了するために、256msのINIT_FSウィンドウ内で適切なウォッチドッグ更新を実行してください。 セーフティ出力が解除されると、デバイスはノーマルモードに入り、AMUX測定は期待通りに動作するはずです。 BRs、トーマス Re: FS26 Amux sensing issue M_AMUX_CTRLレジスタはM_AMUX_EN | M_AMUX_BATSENSE | M_AMUX_DIV_0に設定され、読み出しによって0x56であることが確認されました。これにより、アナログ多重化器がアクティブで、12V BATSENSE入力を正しくルーティングしていることが確認されます。   しかし、SPIデバイスの状態（u8DeviceStatus）は0xCAとして読み取られます。最上位ビットがセットされているため (sbc_fs26_RxFrameType.u8DeviceStatus & 0x80 == 1)、グローバルなフェイルセーフ障害がアクティブになっています。さらに、FS_STATESレジスタが11を返すことから、デバイスがINIT_FS（初期化フェイルセーフ）状態から抜け出せないことが証明されます。 Re: FS26 Amux sensing issue ごサポートありがとうございます。 私のAMUXは正しく有効になっていなかったため、選択した電圧がAMUXピンにルーティングされませんでした。ご提供いただいたINITシーケンスのおかげで問題が解決しました。感謝いたします。ウォッチドッグ周期を256に設定したところ、デバイスは期待どおり正常状態を維持するようになりました。

KW47 NBUのプログラミングとアップグレード こんにちは： KW47 NBUのプログラミングやアップグレード方法を知りたいです。手順がもっと詳しく説明できることを願っています。 ご回答をお待ちしています。 Re: KW47 NBU programming and upgrade こんにちは： サポートありがとうございます。ご提供いただいた方法でNBUのファームウェアを更新できるようになりました。 ご提供の方法には、ファームウェア経由でNBUをアップデートする方法が含まれていないようですね? 例えば、私のデバイスがマーケットに出てNBUバージョンをアップデートする必要がある場合、どうすればよいでしょうか? ご回答をお待ちしています。 Re: KW47 NBU programming and upgrade こんにちは、お元気でお過ごしでしょうか。 KW45からKW47への移行ガイドAN14796 6.2節「KW47にNBUファームウェアをロードする」を参照してください。 このドキュメントでは、KB47のNBUを更新するためのいくつかの方法(手順はKW47-EVKを用いて示されています)を紹介しており、blhost、Secure Provisioning Tool、LinkServerなど、開発に最適な方法を自由に選択できます。各方法の詳細手順も含まれています。 お役に立てば幸いです！他に質問があれば、遠慮なくお尋ねください。 よろしくお願いします、 アナ・ソフィア。 Re: KW47 NBU programming and upgrade こんにちは、 ROMブートローダーには、メインフラッシュおよびラジオフラッシュのファームウェアの更新に使用できるファームウェア更新機能があります。 現場でのNBUアップデートのワークフローは通常次の順序に従います。アプリケーションはアップデートイメージを保存し、対応するメタデータをUser IFR0 OTACFG領域に書き込み、その後システムリセットをトリガーしてROMブートローダーが引き継ぎ、無線ファームウェアの更新を行います。 詳細は KW47セキュリティリファレンスマニュアル の4.2.6「ファームウェア更新機能」および4.2.2.3のオーバーエア(OTA)アップデート構成のセクションで確認できます。 よろしくお願いします、 アナ・ソフィア。

ARM 2018R1 IDE用のS32DSライセンスは期限切れです 私のArm 2018R1 IDEs 用のS32DSライセンス が 期限切れです。チェックや延長を手伝ってもらえますか? ソフトウェアのライセンスを確認しましたが、このバージョンは自分で拡張できません(ARM2.2は拡張可能です)。 hornik7_0-1782126764353.png 事前に感謝いたします。 アクティベーション | インストール | ライセンス | インストーラーのダウンロード Re: License of S32DS for ARM 2018R1 IDE has expired Ahoj Matúši、 お客様のS32DSライセンスが延長されました。以前使用していたコードを使って、S32DSを再度有効化してください。

关于 RDBESS774A3EVB 的咨询 - 由于连接器（J1_1 和 J1_3）互换导致的板损坏 您好， 我目前正在评估RDBESS774A3EVB电池监控单元 (CMU) 板（采用 MC33774A 电池单元控制器），该板连接到 50 节电池组设置。 最近，我们在测试过程中发生了一起意外的连接错误。我们错误地将J1_1 （上部）和J1_3 （下部）之间的电池连接器组互换了。 事件发生期间观察到以下行为： 初始事件：连接器互换后，第 36 单元立即发生严重短路，导致外部电线/线路烧毁断裂。 后续措施：发现错误后，我们使用正确的连接器位置将电池组重新连接到同一块电路板上。 次要行为：一旦建立了正确的连接，板上的多个平衡电阻器（R_balance）就开始过热并烧毁。 基于以上情况，我们非常希望您能就以下问题提供工程方面的见解： Q1：在第一次事件中，J1_1 和 J1_3 之间的初始连接器互换是否对 MC33774A IC 或相关电路造成了灾难性的内部损坏？ Q2：假设在第二次（正确的）连接期间多个平衡电阻烧毁是由于第一次事故造成的 MC33774A IC 内部损坏（例如，内部 FET 击穿或栅极驱动器卡在导通状态）的直接结果，这种假设是否正确？ Q3：如果我们更换损坏的MC33774A IC和所有烧毁的平衡电阻，RDBESS774A3EVB板能否恢复到完全功能和安全的工作状态？除了主集成电路之外，是否还有其他重要的配套组件（例如静电放电/齐纳保护二极管或隔离电路元件）需要检查或更换？ Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) 嗨@guoweisun ， 我们没有将整个 50 节电池组连接到一个连接器上。相反，我们的 50 单元系统分为三个独立的部分，并配有三个不同的单元连接器。 1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 初始事件错误：连接器交换 2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 后续操作：正常连接 Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) guoweisun_0-1782106495796.png 你是说你把50*3.6V加错了吗？MC33774 第一部分中 C17 到地之间的电压是多少？ Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) 嗨@guoweisun ， 为了确保硬件的功能安全并防止任何潜在的接线问题，我们设计了一个中间“CSU 桥接板” ，将我们的 50S 电池组连接到 RDBESS774A3EVB（采用菊花链连接三个 MC33774A AFE）。 请您查看我们附上的原理图（ CSUBridge_Connector.png和CSUBridge_Block Diagram.png ），并确认我们的引脚映射和连接方式是否正确？ CSUBridge_Block Diagram.png CSUBridge_Connector.png   Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) 似乎没有发现其他问题，但请注意 GDN1 GND2 GND3 的位置。 Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) 感谢您一直以来的支持。首先，我们想澄清一下我们实际硬件配置中的 AFE 堆叠顺序，以确保我们保持一致： AFE1 (J1_1)指定用于高压级（单元 37–50）。 AFE3 (J1_3)指定用于低电压级（单元 1–18）。 我们附上了一张图片，其中记录了我们最近的发现以及我们目前面临的关键问题。 我们希望您能就之前提出的关于第一次事件的问题，以及新董事会提出的新问题，给出明确的答复： 【第一部分：对第一次板的回顾性问题】 Q1：在第一次事件中，J1_1 和 J1_3 之间的初始连接器互换是否对 MC33774A IC 或相关电路造成了灾难性的内部损坏？ Q2：假设在第二次（更正后的）连接过程中多个平衡电阻烧毁是由于第一次事故造成的 MC33774A IC 内部损坏（例如，内部 FET 击穿或栅极驱动器卡在导通状态）的直接结果，这种假设是否正确？ Q3：如果我们更换损坏的MC33774A IC和所有烧毁的平衡电阻，RDBESS774A3EVB板能否恢复到完全功能和安全的工作状态？除了主集成电路之外，是否还有其他重要的配套组件（例如静电放电/齐纳保护二极管或隔离电路元件）需要检查或更换？ 【第二部分：新董事会带来的新问题】 按照上述正确的堆叠顺序（高压端接 AFE1/J1_1，低压端接 AFE3/J1_3），我们尝试使用全新的 RDBESS774A3EVB 板来测试我们的系统。 然而，一接上电源，就立即冒烟，高压段（37-50 节电池/AFE1）上的平衡 IC（MC33774A）再次损坏。 鉴于连接映射完全按照预期进行（高对高，低对低），请问您能否帮助我们分析一下为什么新板在 AFE1 阶段立即失效？ cmu_connection_normal.png Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) 嗨@guoweisun ， 我们目前遇到一个严重的问题，即在多个电池组依次连接时，均衡IC会损坏。 根据当地 NXP 技术建议，对于我们第 1 组部分（监控 14 个电池单元）上未使用的通道，我们已将未使用的引脚直接连接到平衡 IC 输入端，具体如下： CB15-18 与 CB14 短路 CT15-18 与 CT14 连接短路 以下是我们的测试流程详情及相应结果： 测试 1：单组连接（仅限组 1） 步骤：我们只连接了第 1 组，该组对应于最高电位段：电池 37 至电池 50（共 14 个电池，总电压约为 100 伏）。50V）。 结果：板运行正常。我们能够准确读取所有电池的电压。VBAT_1 相对于 GND_1 的测量电压稳定在约 50V。未发现异常情况。 测试 2：完整的 3 组连接（顺序上电） 步骤：我们将所有 3 个细胞组同时连接起来，但严格按照从下到上的插入顺序，从第 3 组（底部细胞）开始，一直到第 1 组（顶部细胞）。 结果：连接完成后，电阻 R1_1（10 欧姆）附近出现烟雾和可见的烧焦痕迹。我们立即切断电源以防止进一步损坏，并检查了电路板。 事后分析及损害分析： VBAT_1 至 GND_1 短路：电气测试显示 VBAT_1 和 GND_1 之间存在短路。由于这条电源线直接连接到平衡集成电路，我们怀疑是内部硅芯片故障。 电阻器 R1_1：发现 10 欧姆电阻器已烧毁开路（开路）。 CT 和 CB 引脚：检查了 CT 和 CB 引脚；未发现这些引脚有任何物理或电气损坏。 平衡电阻：检查了所有外部电池平衡电阻；所有电阻均完好无损。 IC 根本原因验证：我们从 PCB 上拆焊了平衡 IC，以隔离问题。对未安装的集成电路进行测试，证实 VBAT 和 GND 引脚之间存在永久性内部短路。 向恩智浦技术支持提出的问题： 鉴于单独给第 1 组供电时配置工作完美，当所有三组依次（从下到上）插入时，什么会触发平衡 IC 内部的 VBAT 到 GND 故障？ 将未使用的引脚短接（CB15-18 到 CB14，以及 CT15-18 到 CT14）的终端方法是否会在多芯片菊花链热插拔过程中引起意外的瞬态或闩锁情况？ 为了缓解这种故障模式，我们需要实施哪些具体的热插拔保护、TVS 调整或上电顺序限制？ 请帮助我们分析并提出解决此问题的建议。 CMU_1st_group_damage.jpg

批量打印NFC卡的建议 大家好，NFC社区！ 我想批量订购[10-200张，以后可能会更多] 4A型NFC卡[标准信用卡大小]，卡片上需要定制印刷。卡片和印刷质量都必须很高。我还需要快速运送到加拿大。 请问大家有没有可以推荐的做这类业务的公司/供应商？我希望与一个优秀的团队建立长期的合作关系。 非常感谢您！ Re: Advice for bulk printing NFC cards 你好@isenki ， 希望你一切都好。 如需标签/卡片供应信息，请参阅NTAG 424 DNA产品页面，点击“设计资源 > 工程服务”部分。您可以在这里找到标签和读卡器制造商、解决方案提供商和系统集成商的联系方式。如需查找支持此产品的其他合作伙伴，请访问我们的合作伙伴市场。 问候， 爱德华多。

FRDM-A-S32K344で一括消去を無効にする方法 FRDM-A-S32K344向けに2つのアプリケーションを作成しました。1つのアプリケーションはアドレス0x00400000に、もう1つはアドレス0x00500000にあります。 オンボードデバッガで1つのアプリケーションをフラッシュすると、一括消去が行われ、もう1つのアプリケーションも削除されます。 大量消去を無効にして、デバッガーをプログラミング中に特定のフラッシュ領域やセクションだけ消去するように設定するにはどうすればいいですか? ganavi1_0-1782105971120.png Re: How to Disable Mass Erase on the FRDM-A-S32K344 こんにちは、 なるほど、両方のバイナリを同時に正常に読み込めるということですね。 しかし、ブートローダーを使用する予定だとはおっしゃっていませんでしたね。 あなたが本当に欲しいもの リセット → ブートローダー実行 → SW2を待機 → アプリへジャンプ   S32DSでLaunch Groupを使うと、各デバッグ構成はELFを読み込み、最後の設定が現在のPCを決定します。したがって、アプリケーションのエントリポイントがブートローダーを上書きし、スキップします。 ブートローダーが正しく実行されるようにするには、両方のイメージをロードするものの、ブートローダーのリセットベクタから実行を開始する単一のデバッグ構成を使用してください。また、起動コードのスキップを避けるため、「メイン関数へ実行」を無効にしてください。 実際のリセット後、S32K3は必ず事前に定義されたブートアドレス(内部フラッシュ0x00400000)から実行を開始し、最初の有効なイメージ(通常はブートローダー)が実行されます。 しかし、S32DSでのデバッグ時には、この動作がデバッガによって上書きされ、ELFファイルを読み込んだ後にプログラムカウンターをアプリケーションのエントリポイントに設定することで、ブートローダーを実質的にバイパスできます。 よろしくお願いいたします。 ピーター Re: How to Disable Mass Erase on the FRDM-A-S32K344 こんにちは、 ご提案ありがとうございます。 Launch グループを作成し、Bootloaderとアプリケーション ELFのデバッグ設定の両方を追加しました。しかし、デバッグセッションを始めると、アプリケーションコードだけが実行され、ブートローダーの実行がバイパスされているように見えます。私の要件は、ブートローダーがリセット後に最初に実行され、その後SW2が押されたときにのみアプリケーションにジャンプすることです。 ブートローダーがアプリケーションより先に動作するようにするために、追加のLaunch Group設定やデバッガ設定が必要かどうか教えていただけますか? 私はFRDM-A-S32K344の搭載デバッガを使っています ganavi1_0-1782121473794.png Re: How to Disable Mass Erase on the FRDM-A-S32K344 こんにちは、 Debug Configurationsでは、Launch Groupを作成し、読み込みたいすべてのELFファイルを追加するだけです。これにより、複数の画像を読み込むことができます（例：ブートローダー+アプリケーション)を一気に使うことができます。 よろしくお願いいたします。 ピーター Re: How to Disable Mass Erase on the FRDM-A-S32K344 Hello S32DSを両方のELFファイルが読み込まれているけれど、PCがアプリケーションのエントリポイントではなくブートローダー Reset_Handler 0x00400000に設定されるように設定する方法を説明してもらえますか? Re: How to Disable Mass Erase on the FRDM-A-S32K344 こんにちは、 デバッグセッション中にメモリブラウザで、0x00400000のメモリ空間が空(PE Microによって消去されている)か、それとも書き込み済みのエントリポイントだけがあるか確認してもらえますか? 複数の.elfこれらのファイルは通常、マルチコアMCUで使用されます。シングルコアだと少し難しいかもしれません。有効な方法の1つは、2つのデバッグセッションを用意することです。最初のセッションでは、ブートローダーの.elfファイルを使用します。ファイルとアプリ用の2つ目のファイルがありますが、どちらのメモリ領域を保持するかを定義する必要があります。PE Microは常に一括消去を実行します。保存メモリは、保存メモリ領域からデータを読み取り、一括消去を実行し、保存データを書き戻し、2番目の.elfからデータを書き込みます。ファイル。 別の方法としては、s-record ツール ( https://srecord.sourceforge.net/ ) を使用する方法もあります。) 、両方の .elf からこのツールでファイルを作成し、両方のsレコードをマージして、マージされた.srecを使用します。.elf の代わりに。.elfは使えますデバッグ用ファイルとシンボル。

关于 i.MX8Mplus 的有限状态机 (FSM) 我们公司使用的是 Toradex 的 Veridin i.MX8Mplus。 此时，输入 SOM_PW_ON 信号以控制 SoM 的电源。（直接连接到 i.mx8MPlusSoC 的 ON/OFF 信号）。*请参考所附示波器上的波形。 V1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.png   由于 SoM 侧的电路配置，电压应为高电压 (1.8V)，但在启动后约 800 毫秒内，电压保持在约 0.3-0.4V 的中间电位。 我想知道 SoC 端是如何处理 0.3 至 0.4V 电压作为 ON/OFF 信号的。 该信息未包含在数据表或参考手册中。 我认为，在极短的开/关操作（<5秒）的情况下，系统可能会关机。操作检测标准是否应该是从高电平到低电平的转换以及低电平状态的持续时间？ 我还想知道这些时间段的具体最短/最长时间。 i.MX 8M | i.MX 8M Mini | i.MX 8M Nano Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について 对于 i.MX8M Plus，ONOFF 被处理成一个按住按钮输入，可配置 0/50/100/500 毫秒的延迟和 5/10/15 秒的强制关机时间，并且观察到 0.3–0.4根据现有的输入阈值文档，1.8V ONOFF 网络上的 V 最常被解释为逻辑低电平。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について 感谢你的回复。 根据现有的输入阈值文档，观察到的 ONOFF 网络上的 V 值在 0.3–0.41.8V 范围内最一致地被解释为逻辑上的低值。 顺便问一下，您能否也告诉我一下逻辑上被解释为低电压的阈值是多少？ 此外，如果解释为逻辑低，则 ON/OFF 状态在启动后将保持逻辑低约 800 毫秒，然后变为逻辑高。 在这种情况下，是否可以认为发生了按钮输入？ 我担心按下按钮是否会导致系统在启动后立即自动关机。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について 顺便问一下，您能否也告诉我一下逻辑上被解释为低电压的阈值是多少？ 抱歉。我想知道逻辑值被解读时的电压阈值。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について 感谢你的回复。 根据现有的输入阈值文档，观察到的 ONOFF 网络上的 V 值在 0.3–0.41.8V 范围内最一致地被解释为逻辑上的低值。 顺便问一下，您能否也告诉我一下被解释为逻辑高电平的电压阈值是多少？ 此外，如果解释为逻辑低，则 ON/OFF 状态在启动后将保持逻辑低约 800 毫秒，然后变为逻辑高。 在这种情况下，是否可以认为发生了按钮输入？ 我担心按下按钮是否会导致系统在启动后立即自动关机。 致恩智浦技术支持代表 你对此事有何看法？ 我还有一个问题： ON/OFF 被处理为电平保持按钮输入，条件为 0/50/100/500 毫秒。 关于这一点，我认为默认值是 0。在这种情况下，如果由于噪声或其他因素导致电平瞬间超过逻辑高电平或逻辑低电平阈值，电平是否会被保持？ 我担心，在这种默认设置下，如果接收到噪声，即使只是一瞬间，如果引入了导致逻辑判断与当前保持的逻辑电平相反的因素，也可能导致故障。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 我又补充了一些问题。 给您带来的不便，我们深表歉意，请您尽快回复。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 确认流程进展如何？ 请提供答案。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について 很抱歉错过了您的消息，我可以帮忙查看，下周会回复您。 祝你今天过得愉快 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 谢谢你的帮助。 这是Pal Giken的Mori。 已经过去快一周了，反响如何？ 感谢您的合作。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @毛利修二 对于 i.MX8MP，ONOFF 引脚属于 NVCC_SNVS 电源组，并被列为复位状态为“带 PU 的输入”的 GPIO 类型输入。适用的 GPIO 直流输入低电平规格为： VIL(最大值)=0.3× VDD V I L( 最大值) = 0.3 × V D D 表格中将低电平输入电压的最小值设定为 -0.3V,max = 0.3 × VDD。 因此，如果 ONOFF 由 1.8 V SNVS I/O 功能域供电，则保证的逻辑低电平阈值为： 0.3×1.8 V=0.54 V 0.3 × 1.8 V = 0.54 V 因此，观察到的ONOFF电压约为0.3–0.4V 将被解释为逻辑低。 关于这是否会被视为按钮输入：是的，如果设备处于 ON 模式后 ONOFF 引脚保持低电平足够长的时间，则可以将其视为有效的 ONOFF 按钮事件。 持续 800 毫秒的低电平信号可被识别为正常的 ONOFF 按钮事件。 因为它超过了配置的正常按钮防抖持续时间。 它不应直接触发硬件紧急强制关机。 因为那需要大约 5秒 。 系统启动后是否立即关闭取决于软件/PMIC对正常ONOFF事件的处理。在 ON 模式下，短暂连接到 GND 会产生一个中断，旨在启动软件可控的断电。如果启动软件或操作系统电源键处理程序将该中断视为关机请求，则启动后可能会发生意外关机。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 感谢你的回复。 我提出这个问题想问的是： 问题是，在启动过程中，当ONOFF 引脚处于逻辑低状态时，按钮输入是否能被识别。 我们的验证 观察到的一种现象是，当 ONOFF 引脚以逻辑高电平开始，然后在 10 毫秒到 20 毫秒后变为逻辑低电平时，系统会在启动后立即关闭。 当系统以逻辑低电平启动时，尚未观察到系统启动后立即关机的情况。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 请回答我提出的问题。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 给您带来不便，敬请谅解，请问您能否也回答一下这个问题？ Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 问题是，在启动过程中，当ONOFF 引脚处于逻辑低状态时，按钮输入是否能被识别。 你对此有何看法？

如何在 Kinetis 系列产品上使用 HCI_bb 并访问 DTM 模式 本文分为两部分： 第 1 部分：如何将 HCI_bb 二进制文件刷入 Kinetis 产品（这里以 KW38 为例）。 第二部分：使用 R&S CMW270 进行射频测量 附件共 2 个文件： - bci_black_box.bin（zip 文件） - mbed_WinSerial.exe（zip 文件） 第 1 部分：如何将 HCI_bb 二进制文件刷入 Kinetis 产品（这里以 KW38 为例）。 HCI_bb 应用程序示例位于以下 SDK 文件夹中： christophe_menard_0-1620204656370.png 使用 USB 线缆将 FRDM-KW38 板连接到您的 PC。 FRDM-KW38 板将被识别为硬盘。磁盘 😧 在这个例子中。 选择 hci_black_box_frdmkw38.bin 文件，然后将此文件拖放到 FRDM-KW38 (D:) 目录下。 christophe_menard_1-1620204656478.png 当电量达到 100% 时，KW38 会闪烁。 christophe_menard_2-1620204656494.png FRDM-KW38 板已准备好与 DTM 模式一起使用。 第二部分：使用 R&S CMW270 进行射频测量 FRDM-KW38 板可以通过 USB 电缆连接到 R&S CMW270。 hci_bb 将 KW38 设置为 DTM 模式。 CMW270 可以通过发送 DTM 命令进行通信。 注意：您需要在 CMW270 中安装 mbedWinSerial 驱动程序（本文附件中），才能检测到 FRDM-KW38 板。 Re: How to use the HCI_bb on Kinetis family products and get access to the DTM mode 我正在尝试在 KW36（专用应用硬件，而非开发板）上进行 DTM 测试，您能否帮忙或分享整个流程以及执行此测试所需的固件和工具列表？

EdgeLock SE051:OpenSSL プロバイダを読み込んだ後にSCP03エラーでse05x_Minimal失敗 こんにちは、 Linux上でEdgeLock SE051とSCP03を使ってOpenSSL プロバイダを使おうとしています。se05x_Minimal例が最初は完璧に動作するのに、OpenSSL プロバイダの共有ライブラリをインストールし た後に SCP03認証エラーで失敗するという問題に直面しました。 この対立の原因についてアドバイスをいただけますか? 環境: 基板： MCIMX8M-WEVKおよびOM-SE051ARD SoC: i.MX 8M Linuxバージョン: 6.1.151-cip46 OpenSSLバージョン： 3.0.20 Plug & Trust MW バージョン: 04.07.01 講じた措置： 以下のCMake構成を使用して、Plug & Trust MWをビルドしました。 cmake ../simw-top \ -DPTMW_Applet=SE05X_C \ -DPTMW_SE05X_Ver=07_02 \ -DPTMW_Host=iMXLinux \ -DPTMW_SMCOM=T1oI2C \ -DPTMW_HostCrypto=OPENSSL \ -DPTMW_RTOS=Default \ -DPTMW_mbedTLS_ALT=None \ -DPTMW_SCP=SCP03_SSS \ -DPTMW_FIPS=None \ -DPTMW_SBL=None \ -DPTMW_SE05X_Auth=PlatfSCP03 \ -DPTMW_Log=Default \ -DCMAKE_BUILD_TYPE=Release \ -DPTMW_SE_RESET_LOGIC=1 Plug & Trust MWディレクトリから i.MX 8Mの/rootにsimw-top/demos/linux/common/openssl30_sss_se050.cnfをコピーしました。 設定環境変数をエクスポートしました。 export OPENSSL_CONF=/root/openssl30_sss_se050.cnf SE051とSCP03が正しく動作することを確認するため、se05x_Minimalを実行しました。それは成功した。 App :INFO :Running bin/se05x_Minimal App :INFO :If you want to over-ride the selection, use ENV=EX_SSS_BOOT_SSS_PORT or pass in command line arguments. App :INFO :PlugAndTrust_v04.07.01_20250519 App :INFO :Using default PlatfSCP03 keys. You can use keys from file using ENV=EX_SSS_BOOT_SCP03_PATH sss :INFO :atr (Len=35) (snip) App :INFO :mem=17196 App :INFO :se05x_Minimal Example Success !!!... App :INFO :ex_sss Finished libsssapisw.so 写した。libsss_pkcs11.so、そして/usr/local/lib/に libsssProvider.so。（注：/usr/local/lib/ は、/root/openssl30_sss_se050.cnf の [nxp_prov_sec] セクションで指定されているパスです。） se05x_Minimalを再度実行しました。今回は、以下のエラーが発生して失敗しました。 エラー出力: App :INFO :Running bin/se05x_Minimal App :INFO :If you want to over-ride the selection, use ENV=EX_SSS_BOOT_SSS_PORT or pass in command line arguments. App :INFO :PlugAndTrust_v04.07.01_20250519 App :INFO :Using default PlatfSCP03 keys. You can use keys from file using ENV=EX_SSS_BOOT_SCP03_PATH sss :INFO :atr (Len=35) (snip) App :INFO :If you want to over-ride the selection, use ENV=EX_SSS_BOOT_SSS_PORT or pass in command line arguments. App :INFO :Using default PlatfSCP03 keys. You can use keys from file using ENV=EX_SSS_BOOT_SCP03_PATH sss :INFO :atr (Len=35) (snip) sss :ERROR:Error in RAND_pseudo_bytes scp :WARN :nxEnsure:'status == kStatus_SSS_Success' failed. At Line:121 Function:nxScp03_AuthenticateChannel sss :ERROR:Could not set SCP03 Secure Channel App :ERROR:sss_session_open failed App :WARN :nxEnsure:'kStatus_SSS_Success == status' failed. At Line:240 Function:OSSL_provider_init smCom :ERROR:phNxpEseProto7816_DecodeFrame Max retry count reached!!! smCom :ERROR:phNxpEseProto7816_Transceive Transceive failed, hard reset to proceed smCom :ERROR: phNxpEse_Transceive phNxpEseProto7816_Transceive- Failed smCom :ERROR: Transcive Failed sss :WARN :nxEnsure:'retStatus == SM_OK' failed. At Line:7977 Function:sss_se05x_channel_txn sss :WARN :nxEnsure:'ret == SM_OK' failed. At Line:7839 Function:sss_se05x_TXn sss :WARN :APDU Transaction Error: Error (0xFFFF) scp :ERROR:GP_InitializeUpdate Failure on communication Link FFFF scp :ERROR:nxScp03_GP_InitializeUpdate fails with Status 3C3C0000 sss :ERROR:Could not set SCP03 Secure Channel App :ERROR:sss_session_open failed App :ERROR:ex_sss_session_open Failed App :ERROR:!ERROR! ret != 0. OpenSSLプロバイダーが設定によって正常にロードされると、(おそらくRAND_pseudo_bytesに関連する)何かがSCP03チャネルの確立を壊すようです。 同様の現象に遭遇した方、または他にどのような設定が不足しているかご存知の方はいらっしゃいますか？ ご協力ありがとうございます。 Re: EdgeLock SE051: se05x_Minimal fails with SCP03 errors after loading OpenSSL Provider こんにちは、 @Uc_S さん。 適切なバージョンのopensslを設定しましたか？以下のオプションをご利用ください。 -DPTMW_OpenSSL=3_0 ちなみに、テスト目的で、より詳細なデバッグ情報を取得するために、詳細ログを有効にしてください。 -DPTMW_Log=詳細 すてきな一日を、 カン ------------------------------------------------------------------------------- 注記： この投稿があなたの質問への回答になっている場合は、「正解としてマーク」ボタンをクリックしてください。ありがとうございます! - 前回の投稿から7週間Threadをフォローしており、その後の返信は無視しています もし後で関連する質問があれば、新しいThreadを開き、閉じたThreadを参照してください。 ------------------------------------------------------------------------------- Re: EdgeLock SE051: se05x_Minimal fails with SCP03 errors after loading OpenSSL Provider アドバイスをいただき、本当にありがとうございました。あなたの言う通りでした。 問題の根本原因は、CMakeの設定ファイルに「-DPTMW_OpenSSL=3_0」オプションが欠落していたことでした。 「-DPTMW_OpenSSL=3_0 -DPTMW_Log=Verbose 」を追加してMWを再構築したところ、問題は完全に解決しました。結果は以下のとおりです。 ステップ6を実行しても、エラーは発生しなくなりました。期待どおりに「App :INFO :mem=17196」が出力されます。 また、ログレベルを元の設定(「-DPTMW_Log=Default」に設定しても、アプリケーションは完璧に動作し、「App :INFO :mem=17196」を出力することも確認しました。 このトピックは解決したとマークします。

MU経由でHSEファームウェアをインストールする際にS32K3の復旧に問題が発生する 現在、`S32K3_HSE_DemoExamples`に含まれる`S32K344_Advanced_SecureBoot`デモを基に、HSEを使用してS32K344/S32K314上でセキュアブート機能を開発しています。機能開発のほとんどは完了しており、デバッグも無事に進めています。私たちの設定プログラムでは、ED25519を使ってBM、FBL、APPの署名を計算し、指定されたアドレスにフラッシュで書き込み、これら3つのアプリケーション(BMは起動前のSMR、FBLとAPPは起動後のSMR)ごとにSMRとCRを設定しています。しかしながら、いくつか不明瞭な点があり、皆様のご協力をいただければ幸いです。現在、HSEのFULL_MEM形式を使用しています。 すべてのアプリケーションバイナリの署名を計算するためにED25519アルゴリズムを使用しているため、設定プログラムの実行に時間がかかります。プログラムが終了する前に予期せず停電が発生した場合、HSEは回復不能なエラー状態に陥ることがわかっています。電源の再投入やファームウェアの再フラッシュを行っても、HSEはホストからの要求に一切応答しなくなった。レジスタ `0x4039C028` (HSE_CONFIG_GPR3) を確認すると、値が `0xC0` であることがわかります。ビット 0 が `0` になっていることから、HSE ファームウェアが SBAF によって消去された可能性があることがわかります。電源投入後、MU0 FSRレジスタも「0」になります。そこで、HSEファームウェアの再インストールを試みました。通常のIVTベースのインストール方法はもはや機能しないため、MUインターフェース経由で設置を試みました。 ドキュメントで説明された手順をシミュレートしましたが、ピンクイメージのSRAMアドレスをMU Txレジスタに書き込む(ステップ5)すると、HSE_CONFIG_GPR3の値がすぐに「0xC2」から「0xC0」へと変化し、ビット1が「1」から「0」に変わり、期待される成功応答「0xDACACADA」は一切受け取れないことがわかりました。 また、フォーラムでも同様の問題について言及しました： S32K3_HSEのMUインストールAB_SWAPプロセスが正しくありません。ステップ5の直後に機能的なリセットを試みましたが、リセット後も新しいHSEファームウェアはインストールできませんでした。 このような腐敗したHSE状態をどのように扱い、回復すればよいかアドバイスいただけますか? 何か調整が必要な場合はお知らせください。 Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU こんにちは@chengjinwang あなたが共有してくれたプロジェクトのソースファイルは暗号化されているため、読み取ることができません。暗号化されていないプレーンファイルを含むバージョンを提供してください。 数日前に、MUインターフェース経由でHSE AB_SWAPファームウェアを復元するTrace32スクリプトを作成し、すぐにFULL_MEMバージョン用に修正しました。私の環境では正常に動作しており、0xDACACADAという応答を受信しています。 ピンク色の画像の位置を書き込んだ後、次の操作を行うまでに約1.5秒待ちますか？この遅延はFULL_MEMのインストール手順には明示的に記載されていませんが、AB_SWAPバージョンでは必須です。これが問題かもしれません。 もしTrace32を使っているなら教えてください。スクリプトを共有します。 よろしくお願いいたします。 ルーカス Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU こちらが私がMU経由でHSE FWをインストールするために使っているリカバリープログラムです。何が問題か見てくれないか? Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU 添付ファイルは、私が現在使用しているプロジェクトの暗号化されていないバージョンです。テストには、S32K344チップ、PEデバッガ、および添付ファイルにあるS32DSプロジェクトを使用しています。ピンク色の画像を書き込んだ後、SBAFから正常な応答が得られるまで数秒待ってみましたが、それでもうまくいきませんでした。機能リセットを直接実行しても効果はありませんでした。添付プロジェクトのMUインストールルーチンに問題がないか確認していただけますか? Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU 私は自分のボードでそのプロジェクトをテストしました。まず、起動ファイル内のRAM初期化を修正する必要がありました。ピンク色のファイルをRAMにコピーする際にハードフォルトが発生したためです。これらのHSEデモの例ではRAMの初期化があまり良くないので、私は次のような簡単な修正を行いました: lukaszadrapa_0-1782288292132.png PemicroデバッガはRAMを自動的に初期化し、機能リセット時でもRAM内容が保持されるため、おそらくこの問題は見られなかったでしょう。しかし、電源を入れても動作しなかった。デバッグにはTrace32を使っていたので、最初から気づきました。 次にIVTを修正しました。ピンクのファイルへのポインタを削除し、最初のリセット後に自動的にインストールされず、Muでインストールを確認できるようにしました。 そして結果として、0xDACACADAという値が得られ、ファームウェアはMU経由でインストールされました。つまり、手順は明らかに正しいのです。 問題は、なぜあなたの側ではうまくいかないのかということです。 お使いのデバイスのSBAFのバージョンは何ですか？0x4039_C020 のダブルワードを読み取ってください。 よろしくお願いいたします。 ルーカス Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU これが私が読んだ結果です。 捕获.PNG Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU さらに、現在弊社ではHSE FWバージョン0.2.55.0を使用しています。 Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU こんにちは、 @lukaszadrapa さん。この問題はまだ解決していません。そちらで何か進展がありましたら、お知らせください。ありがとう。 Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU 返信が遅くなり申し訳ありません。 お使いのSBAFバージョンは0.15.0で、HSEファームウェア0.2.55.0と完全に互換性があります。これには何の問題もありません。 私のテストでは、サービスHSE_SRV_ID_ERASE_FWを使ってファームウェアを完全に消去したので、パッシブパーティションには有効なバックアップがありません。 あなたの場合、バックアップは利用可能なように見えるので、フローが異なるかもしれません(なぜうまくいかないのかはわかりません)。あなたのコードを見ると、スワップのみが実装されていないことがわかります。コードを追加してみてはどうですか?これで問題が解決するかもしれない。 lukaszadrapa_0-1782893943072.png よろしくお願いいたします。 ルーカス Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU ありがとう！SWAP要求を直接実行することで、HSEファームウェアの復元に成功しました。しかし、ずっとFULL_MEMファームウェアを使っていたのに、なぜ最終的にAB_SWAPで復元されたのか疑問です。 Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU それは面白い。正直に言うと、私は間違いを犯しました。多くのお客様を行き来していて、なぜかあなたがAB_SWAPを使っていて、FULL_MEMを使っていると思っていたのです。そうでなければ、お勧めしません。2つの可能な説明が考えられます。ファームウェアの有効なバックアップがまだ残っているなら、MUの手順に記載されていなくても「swap」コマンドがFULL_MEMバージョンでも動作する可能性があるFULL_MEM。2つ目は、リカバリーアプリケーションによる機能リセットによりSBAFがファームウェアを完全に消去し、インストールが成功したというものです。よく分かりません。再現して確認するのはかなり難しいです。

RDBESS774A3EVBに関するお問い合わせ - コネクタ（J1_1とJ1_3）の入れ替えによる基板の損傷 こんにちは、 現在、 RDBESS774A3EVB セルモニタリングユニット(CMU)ボード(MC33774Aバッテリー・セルコントローラ搭載)を50セルのバッテリーパック構成に接続して評価しています。 先日、テスト中に偶発的な接続ミスが発生しました。誤って、 J1_1 （上側のセット）とJ1_3 （下側のセット）のセルコネクタセットを入れ替えてしまいました。 事件発生時に以下の行動が観察された。 初期イベント: コネクタを交換した直後、セル36で激しいショートが発生し、外部の配線/トレースが焼き切れてしまいました。 その後の行動: ミスが分かった後、正しいコネクタ位置で同じ基板にバッテリーパックを再接続しました。 二次的な挙動：正しい接続が確立されるとすぐに、基板上の複数のバランス抵抗（R_balance）が過熱して焼損し始めました。 このシナリオに基づき、以下の質問に関して貴社の技術的な見識をお聞かせいただければ幸いです。 Q1: 最初の出来事でJ1_1とJ1_3のコネクタが交換され、MC33774A ICや関連回路に壊滅的な内部損傷を引き起こしましたか? Q2: 2回目の(正しい)接続中に複数のバランス抵抗が焼き切れたのは、最初の事故によるMC33774A IC内部の損傷(例:内部FETブレークダウンやゲートドライバーのオン状態の停止)が直接原因と考えてよいのでしょうか? Q3: 損傷したMC33774A ICと焼失したすべてのバランス抵抗を交換すれば、RDBESS774A3EVB基板は完全に機能し安全な状態に戻せるのでしょうか?他に重要な補助部品(ESD/ゼナー保護ダイオードやアイソレータ回路素子など)は、メインICと併用して点検または交換すべきものはありますか? Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) こんにちは@guoweisunさん 50個のセルすべてを1つのコネクタに接続したわけではありません。その代わりに、当社の50セルシステムは、3つの異なるセルコネクタを備えた3つの独立したセグメントに分割されています。 1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 Initial Event ERROR: CONNECTOR SWAP1 2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION2 Subsequent Action: NORMAL CONNECTION 初期イベントエラー:コネクタ 交換 2 その後の動作:通常接続 Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) guoweisun_0-1782106495796.png 50*3.6V を追加したのが間違いだったということですか？MC33774の最初の部分で、C17とグランド間の電圧は？ Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) こんにちは@guoweisunさん ハードウェアの完全なセーフティを確保し、配線トラブルを防ぐために、50SバッテリーパックをRDBESS774A3EVBに配線する中間の 「CSUブリッジボード」 を設計しました(3つのMC33774A AFEをデイジーチェーンに配置しています)。 添付の回路図(CSUBridge_Connector.png と CSUBridge_Block Diagram.png)を確認して、ピンのマッピングや接続戦略が正しいか確認していただけますか? CSUBridge_Block Diagram.png CSUBridge_Connector.png   Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) これ以上問題は見つからないようですが、GDN1、GND2、GND3のポジショニングに注目してください。 Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) 皆様の継続的なサポートに感謝いたします。まず、実際のハードウェア構成におけるAFEのスタッキング順序を明確にし、認識のずれがないようにしたいと思います。 AFE1（J1_1）は高電圧ステージ（セル37～50）用に指定されています。 AFE3（J1_3）は低電圧ステージ（セル1～18）用に指定されています。 添付の画像は、我々の最近の調査結果と、現在直面している重大な問題点をまとめたものです。 最初の事件に関する以前の質問や、新しいボードに関する新たな問題について、具体的な回答をいただけるとありがたいです。 【パート1：最初のボードに関する回顧的な質問】 Q1: 最初のJ1_1とJ1_3のコネクタ交換が、その最初のイベント情報でMC33774A ICや関連回路に壊滅的な内部損傷を引き起こしましたか? Q2: 2回目の(修正済み)接続時に複数のバランシング抵抗が焼き切れたのは、最初の事故によるMC33774A IC内部の損傷(例:内部FETブレークダウンやゲートドライバーがON状態で固着した)が直接原因と考えてよいのでしょうか? Q3: 損傷したMC33774A ICと焼失したすべてのバランス抵抗を交換すれば、RDBESS774A3EVB基板は完全に機能し安全な状態に戻せるのでしょうか?他に重要な補助部品(ESD/ゼナー保護ダイオードやアイソレータ回路素子など)は、メインICと併用して点検または交換すべきものはありますか? 【パート2:新しいボード】 上記で述べた正しいスタッキング順序（高電圧をAFE1/J1_1、低電圧をAFE3/J1_3）に従って、全く新しいRDBESS774A3EVBボードを使用してシステムをテストしました。 しかし、コネクテッド直後に 煙が発生し、高電圧セグメント(セル37–50 / AFE1)のバランスIC(MC33774A)が再び損傷しました。 接続が意図通りにマッピングされていた(HighからHigh、LowからLow)なのに、なぜ新しいボードがAFE1段階で即座に故障したのか、分析を手伝っていただけますか? cmu_connection_normal.png Re: Inquiry regarding RDBESS774A3EVB - Board Damage due to Swapped Connectors (J1_1 and J1_3) こんにちは@guoweisunさん 現在、複数のバッテリーセルグループの連続接続中にバランスICが損傷する深刻な問題に直面しています。 グループ1セクション(14セルを監視)の未使用チャネルに関するNXPのローカル技術アドバイスに従い、未使用ピンはバランシングIC入力で直接終了しました: CB15-18をCB14に接続してショート コネクテッド CT15-18がCT14にショートした 以下に、当社の試験手順とそれに対応する結果の詳細を示します。 テスト1:単一グループ接続(グループ1のみ) 手順:グループ1のみを接続しました。これは最も高い電位セグメントであるセル37からセル50にかけて(合計14セル、合計電圧は50V）。 結果：基板は正常に動作しました。私たちはすべての電池の電圧を正確に読み取ることができました。GND_1に対するVBAT_1の測定電圧は約50Vで安定していた。異常は観測されなかった。 テスト2:フル3グループ接続(シーケンシャル電源アップ) 手順:3つの細胞群すべてを同時に接続しましたが、厳格な下から上への挿入順序に従い、グループ3(下のセル)からグループ1(上のセル)へと進みました。 結果：接続が完了すると、抵抗器R1_1（10オーム）付近で煙と目に見える焦げが発生しました。さらなる損傷を防ぐため、直ちに電源を遮断し、基板を点検した。 事後分析および損傷分析： VBAT_1とGND_1間の短絡：電気的テストにより、VBAT_1とGND_1の間に完全な短絡が発生していることが判明しました。この電源ラインはバランス調整ICに直接接続されているため、内部のシリコン故障を疑いました。 抵抗器R1_1：10オームの抵抗器が断線（オープン回路）していることが判明しました。 CTおよびCBピン：CTピンとCBピンの両方を検査しましたが、これらのピンには物理的または電気的な損傷は検出されませんでした。 バランス調整抵抗器：外部セルバランス調整抵抗器をすべて点検しました。すべて損傷なく正常な状態です。 ICの根本原因検証：問題を切り分けるために、バランス調整ICを基板から取り外しました。実装されていないICをテストしたところ、VBATピンとGNDピンの間に恒久的な内部短絡が発生していることが確認された。 NXPサポートへの質問: グループ1が個別に電源を入れると構成が問題なく動作するのを考えると、3つのグループすべてが順番に接続されている場合、バランシングIC内でVBATからGNDへの内部故障を引き起こす原因は何でしょうか? 未使用ピン(CB15-18からCB14、CT15-18からCT14)をショートさせる終端方式が、マルチチップデイジーチェーンのホットプラグ時に予期せぬ過渡状態やラッチアップ状態を引き起こす可能性はありますか? この故障モードを軽減するために、具体的にどのようなホットプラグ保護、TVS調整、または電源投入シーケンスの制約を実装する必要がありますか？ この問題の分析と解決策の提案にご協力ください。 CMU_1st_group_damage.jpg

NFCカードを大量印刷するためのアドバイス NFCコミュニティの皆さん、こんにちは！ クレジットカードサイズのType 4A NFCカードを、カスタム印刷を施した上で、10枚から200枚（場合によってはそれ以上）まとめて注文したいです。カードも印刷も高品質でなければなりません。カナダへの迅速な配送も必要です。 このような用途でおすすめできる会社やサプライヤーはありますか?この件に関しては、良いグループと長期的な関係を築きたいと思っています。 ご回答に感謝申し上げます。 Re: Advice for bulk printing NFC cards こんにちは、 @isenki さん。 あなたの調子が良いといいのですが。 タグ/カードの供給については、NTAG 424 DNA製品ページの「デザインリソース>エンジニアリングサービス」セクションをご覧ください。ここではタグおよびリーダーメーカー、ソリューションプロバイダ、システムインテグレーターのお問い合わせを見つけることができます。この製品をサポートする追加のパートナー商品を探すには、パートナー市場をご覧ください。 よろしくお願いいたします。 エドゥアルド。

i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について Toradex社のVeridin i.MX8Mplusを弊社で採用しております。 その際に、SoMの電源操作にSOM_PW_ON信号を入力しています。(i.mx8MPlusSoCのONOFF信号に直結)。※添付のオシロスコープの波形を参照してください。 V1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.pngV1-1B_tool0_OFF.png   SoM側の回路構成上High(1.8V)となるはずが起動後800msec程度、約0.3～0.4Vの中間電位となってしまします。 SoC側のONOFF信号としてのこの電位(0.3から0.4V)がどう扱われるのかを知りたいです。 データシートやリファレンスマニュアルには記載がありませんでした。 ONOFFの短時間の(<5s)操作ではシャットダウンに移行するケースがあるかと思いますが、操作の判定としてはHigh⇒Lowのエッジ及び、Lowの継続時間が条件となりますでしょうか その詳細な時間についてもmim/maxの時間を教えて頂きたいです。 i.MX 8M | i.MX 8M Mini | i.MX 8M Nano Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について i.MX8M Plusの場合、ONOFFはレベルホールドボタン入力として処理され、0/50/100/500 msの条件と5/10/15秒の強制オフタイミングが設定可能で、観測された0.3～0.41.8V ONOFFネット上のVは、利用可能な入力閾値のドキュメントによって最も一貫して論理低と解釈されます。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について 回答ありがとう御座います。 > 観測された0.3～0.41.8V ONOFFネット上のVは、利用可能な入力閾値のドキュメントによって最も一貫して論理低と解釈されます。 ちなみに、論理低と解釈される電圧閾値についても教えて頂けますでしょうか？ また、論理低と解釈される場合、起動後800msec程度ONOFFは論理低がが続き、論理高に変化します。 その場合、ボタン入力があったと判定されるのでしょうか？ 心配しているのはボタン入力により、起動直後にシャットダウン移行の判定となるケースがないかという事です。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について > ちなみに、論理低と解釈される電圧閾値についても教えて頂けますでしょうか？ 申し訳ございません。論理高と解釈される電圧閾値が知りたいです。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について 回答ありがとう御座います。 > 観測された0.3～0.41.8V ONOFFネット上のVは、利用可能な入力閾値のドキュメントによって最も一貫して論理低と解釈されます。 ちなみに、論理高と解釈される電圧閾値についても教えて頂けますでしょうか？ また、論理低と解釈される場合、起動後800msec程度ONOFFは論理低がが続き、論理高に変化します。 その場合、ボタン入力があったと判定されるのでしょうか？ 心配しているのはボタン入力により、起動直後にシャットダウン移行の判定となるケースがないかという事です。 NXP TechSupport担当者様 本件如何でしょうか？ もう一点追加で質問ですが、 ONOFFはレベルホールドボタン入力として処理され、0/50/100/500 msの条件 の所ですが、デフォルトは0となっていると思います。この場合、ノイズ等で一瞬、論理高もしくは論理低の閾値を超えた場合はレベルホールドされる事となりますでしょうか？ このデフォルト設定では、ノイズを受けた場合に一瞬でも現状レベルホールドしている論理と逆の論理判定となるものが入った場合に誤動作する可能性があるのかを心配しております。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 様 何件か質問追加質問しております。 お手数ですがご回答をお願い致します。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 様 確認状況いかがでしょうか？ 回答をお願いします。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について メッセージを逃してすみません。確認をお手伝いしますし、来週返信します。 素敵な一日をお過ごしください Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 様 お世話になります。 パル技研　毛利です。 そろそろ1週間が経過しますが、回答の状況いかがでしょうか？ よろしくお願いいたします。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @ShujiMouri i.MX8MPの場合、ONOFFピンはNVCC_SNVS電源グループに属し、リセット状態「PU付き入力」を持つGPIOタイプの入力として記載されています。該当するGPIO DC入力ロー仕様は以下のとおりです。 VIL(max)=0.3× VDD V I L( max) = 0.3 × V D D 表では、低レベル入力電圧を最小値 = -0.3 と指定している。Vmax = 0.3 × VDD 。 したがって、ONOFFが1.8V SNVS I/Oドメインから給電される場合、保証される論理ローしきい値は次のようになります。 0.3×1.8 V=0.54 V 0.3 × 1.8 V = 0.54 V したがって、観測されるONOFF電圧はおよそ0.3〜0.4です。Vは論理ローとして解釈されます。 これがボタン入力とみなされるかどうかについてですが、はい、ONモードに入った後もONOFFピンが十分に低いままであれば、有効なONOFFボタンイベントとして扱うことができます。 800msの低レベルは、設定された通常のボタンデバウンス時間を超えているため 通常のONOFFボタンイベントとして認識できます 。 ハードウェアの緊急強制シャットダウンを直接引き起こしてはならない なぜなら、それには約 5秒 。 起動直後にシステムがシャットダウンするかどうかは、通常のONOFFイベントのソフトウェアやPMICの処理によります。ONモードでは、GNDとの短い接続が、ソフトウェア制御可能な電源停止を開始するための割り込みを生成します。もしブートソフトウェアやOSパワーキーハンドラがその割り込みを電源オフ要求として扱う場合、起動後に意図しないシャットダウンが発生する可能性があります。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 様 お手数ですが、こちらの質問についても回答をお願いいたします。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 様 回答ありがとうございます。 本質問でお聞きしたかったのは ONOFF pinが論理低の状態で起動した場合に、ボタン入力として判定されるのかということです。 弊社での確認では 確認された挙動としてはONOFF pinが論理高の状態で起動し10ms～20ms後に論理低に移行した場合に、起動直後シャットダウンに移行するケースがありました。 論理低の状態で起動した場合には、起動直後シャットダウンに移行するケースは確認されていません。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 様 質問させて頂いた内容の回答についてお願いします。 Re: i.MX8MplusのFinite-State Machine (FSM)について @Rita_Wang 様 ONOFF pinが論理低の状態で起動した場合に、ボタン入力として判定されるのかということです。 こちらの質問については如何でしょうか？

MCXN547 - ZephyrでOTAを確保する こんにちは、 私はMCXN947を使ったプロジェクトに取り組んでいます:Core0にはZephyr、Core1にはベアメタル(Zephyrイメージ内に埋め込み)です。内部フラッシュのファームウェアサイズは~800KBで、残りはMCUboot + OTAスロットに割り当てられています。 EUサイバーレジリエンス法（CRA）に準拠した、安全なOTAアップデートを実装する必要があります。できれば外部メモリは使用しないことが望ましいです。 SB3のフォーマットを調べましたが、いくつか疑問があります: - ゼファーと互換性がありますか? - 画像の受信と検証に外部メモリが必要ですか? この構成にはどのような解決策をお勧めしますか？ よろしくお願いします。 ボード設計 ブートROM|ブート|フラッシュ コアとメモリ MCX N セキュリティ（EdgeLock | セキュアブート | OTP） Re: MCXN547 - Secure OTA with Zephyr こんにちは、 @Jorini さん。 投稿ありがとうございます！ 1. ZephyrはSB3ファイルをネイティブでサポートしていないので、ROM APIを使って処理できます。 2. 実装によります。MCX N94x Over-The-Air(OTA)アップデート by SB3ファイルに関するアプリケーションノート:外部フラッシュを使ってSB3ファイルを保存・処理し、その後に二次画像領域を上書きしてください。 もし署名済みのファームウェアのバージョンだけを管理したいなら、mcubootからZephyrで直接管理できます:ZephyrでMCUbootをビルディングし使用する方法 Re: MCXN547 - Secure OTA with Zephyr こんにちは、 良い代替案のように思えます。とにかく、MongooseがSB3に対応しているのか、また外部メモリが必要なのか知りたいです。 Re: MCXN547 - Secure OTA with Zephyr こんにちは、 MCXN947 + Zephyrプロジェクトでは、Mongoose Web ServerとそのOTA機能を組み合わせて利用できます。MCXN947 OTAサポートがあり、アップデートは非アクティブなフラッシュエリアに直接書き込まれます。 以下はZephyrの上MCXN947サンプルプロジェクトです。そこから始めてください。 https://mongoose.ws/wizard/#/output?board=mcxn947&ide=Zephyr&rtos=baremetal&file=README.md ワークステーションにダウンロードするには、そのURLにアクセスし、「設定」タブから「ソースコードジェネレーター」セクションのディレクトリを選択し、ページ右上の青い「C/C++コード生成」ボタンをクリックしてください。 このプロジェクトは、Mongooseを搭載した最新のダッシュボードを備えており、ボードに新しいファームウェアをアップロードするためのボタンが含まれています。 プロジェクトを開き、`mongoose_config.h`に以下を追加してください。 #define MG_OTA MG_OTA_MCXN #define MG_IRAM __attribute__ ((noinline, section(".ramfunc"))) 署名付きファームウェアの場合は、キーを生成し、Mongoose の `resources/sign.js` を使用してイメージに署名します。Mongooseの公式リポジトリで見つかりました。 node sign.js キー生成ツール node sign.js sign firmware.bin `keygen`は公開鍵の定義を出力します。それを`mongoose_config.h`に追加してください。あまりにも： #define MG_OTA_PUBLIC_KEY { /* 生成された 64 バイトの公開鍵 */ } それだけで署名付きイメージを生成するのに十分でしょう。Mongoose OTAの機能や画像署名に関するさらなるドキュメントについては、このドキュメントページにアクセスできます。 お知らせ：私はMongooseの開発チームの一員です。この情報があなたの作業の助けになれば幸いです。 Re: MCXN547 - Secure OTA with Zephyr MongooseはSB3を使用しておらず、OTA機能はSB3アップデートフローを使用するよりもはるかにシンプルな代替手段です。署名済みのファームウェアイメージを受け取り、フラッシュメモリの後半に書き込み、署名を検証し、その後2つのフラッシュパーティションを交換します。次の起動時に新しいファームウェアイメージが実行されます。

S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU We are currently developing secure boot functionality on the S32K344/S32K314 using HSE, based on the `S32K344_Advanced_SecureBoot` demo from the `S32K3_HSE_DemoExamples`. We have completed most of the feature development and can debug through successfully. In our configuration program, we calculate signatures for the BM, FBL, and APP using ED25519, write them to specified addresses in flash, and configure the SMR and CR for these three applications (BM as pre‑boot SMR, FBL and APP as post‑boot SMR). However, we have encountered some unclear issues and would appreciate your help. We are currently using the FULL_MEM form of HSE. Because we use the ED25519 algorithm to compute signatures for all application binaries, the configuration program takes a long time to execute. If a power failure occurs unexpectedly before the program finishes, we find that HSE enters an unrecoverable error state. Neither power‑cycling nor re‑flashing the firmware makes HSE respond to any host requests anymore. By checking the register at `0x4039C028` (HSE_CONFIG_GPR3), we see the value is `0xC0`; bit 0 has become `0`, which indicates that the HSE firmware may have been erased by SBAF. After power‑up, the MU0 FSR register is also `0`. We therefore tried to re‑install the HSE firmware. Since the normal IVT‑based installation method no longer works, we attempted installation via the MU interface. We simulated the steps described in the documentation, but found that after writing the SRAM address of the Pink Image into the MU Tx register (step 5), the value in HSE_CONFIG_GPR3 immediately changes from `0xC2` back to `0xC0` – i.e., bit 1 goes from `1` to `0` – and we never receive the expected success response `0xDACACADA`. We also referred to a similar issue on the forum:S32K3_The MU installation AB_SWAP process of HSE is incorrect. . We tried performing a functional reset immediately after step 5, but after the reset the new HSE firmware still cannot be installed. Could you please advise how to handle and recover from such a corrupted HSE state? Let me know if you need any adjustments. Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU Hi @chengjinwang  I’m unable to read the source files in the project you shared because they are encrypted. Please provide a version with plain (unencrypted) files. A few days ago, I created a Trace32 script to recover the HSE AB_SWAP firmware via the MU interface, so I quickly modified it for the FULL_MEM version. It works on my side - I receive the 0xDACACADA response. Do you wait approximately 1.5 seconds after writing the pink image location before performing any further actions? This delay is not explicitly mentioned in the FULL_MEM installation procedure, but it is required for the AB_SWAP version. This could be the issue. If you are using Trace32, let me know and I can share my script. Regards, Lukas Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU Here is the recovery program I'm using for HSE FW installation through MU; could you take a look and see what's wrong? Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU The attached file is the unencrypted version of the project I am currently using. For my tests, I am using the S32K344 chip, a PE debugger, and the S32DS project in the attachment. I tried waiting a few seconds after writing the Pink image to receive a successful response from SBAF, but that did not work either. Performing a functional reset directly also did not work. Could you please check if there are any issues with my MU installation routine in the attached project? Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU I tested the project on my board. First, I had to fix RAM initialization in startup files because I got hardfault when the pink file was copied to RAM. The RAM initialization is not the best one in these HSE demo examples, so I did quick fix like this: lukaszadrapa_0-1782288292132.png Pemicro debugger initializes the RAM automatically and RAM content is retained over functional resets, so you probably did not see this issue. But it would not work after power-on. I used Trace32 for debugging, so I saw it right at the beginning. Then I modified IVT – I removed pointer to the pink file, so it is not installed automatically after first reset and I can confirm installation via MU. And the result – I got 0xDACACADA and the firmware is installed via MU. So, the procedure is obviously correct. The question is why it does not work on your side. What is the SBAF version on your device? Please read double word at 0x4039_C020. Regards, Lukas Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU Additionally, we are currently using HSE FW version 0.2.55.0. Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU This is the result I read. 捕获.PNG Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU hello, @lukaszadrapa . I haven't resolved this issue yet. If you have any progress on your end, please let me know. Thank you. Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU Thank you! I successfully restored the HSE firmware by directly triggering a SWAP request. However, what puzzles me is that I had been using the FULL_MEM firmware all along—so why was the firmware restored via AB_SWAP in the end? Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU I’m sorry for delayed response. You have SBAF version 0.15.0 which is fully compatible with HSE firmware 0.2.55.0. There’s no problem with this. For my test, I erased the firmware completely using service HSE_SRV_ID_ERASE_FW, so there’s no valid backup in passive partition. In your case, it looks like the backup is available, so the flow may be different (not sure why this does not work). I can see in your code that swap only is not implemented. Could you try to add it to your code? This could solve the problem. lukaszadrapa_0-1782893943072.png Regards, Lukas Re: S32K3 recovery issue when install HSE fw via MU That’s interesting. Frankly speaking, I made a mistake – I’m jumping between a lot of customers and I was somehow under impression that you use AB_SWAP, not FULL_MEM. Otherwise I would not recommend it. I can see two possible explanations – if there’s still valid backup of the firmware, it is possible that the “swap” command works also for FULL_MEM version even if it is not described in the MU procedure for FULL_MEM. Second option is that functional resets triggered by your recovery application forced SBAF to erase the firmware completely and then the installation was successful. Not really sure, this is quite hard to reproduce and confirm...

Kinetisファミリー製品でHCI_bbを使い、DTMモードにアクセスする方法 この記事は2部構成です。 パート1:HCI_bbバイナリをKinetis製品にフラッシュする方法(こちらがKW38の例です)。 パート2:R&S CMW270を用いたRF測定の実施 添付ファイル2点： - bci_black_box.bin (zipファイル) - mbed_WinSerial.exe（zipファイル） パート1:HCI_bbバイナリをKinetis製品にフラッシュする方法(こちらがKW38の例です)。 HCI_bbアプリケーションの例は以下のSDKフォルダにあります: christophe_menard_0-1620204656370.png USBケーブルを使ってFRDM-KW38ボードをPCに接続してください。 FRDM-KW38ボードはハードディスクとして認識されます。ディスク 😧 この例では。 hci_black_box_frdmkw38.bin ファイルを選択し、このファイルを FRDM-KW38 (D:) にドラッグアンドドロップします。 christophe_menard_1-1620204656478.png KW38は、100%に達すると点滅します。 christophe_menard_2-1620204656494.png FRDM-KW38ボードはDTMモードで使用できる状態になっています。 パート2:R&S CMW270を用いたRF測定の実施 FRDM-KW38ボードはUSBケーブルを使ってR&S CMW270に接続できました。 hci_bbはKW38をDTMモードに設定します。 CMW270はDTMコマンドを送信することで通信できました。 注意:FRDM-KW38ボードを検出するには、CMW270にmbedWinSerialドライバー(この記事に添付)をインストールする必要があります。 Re: How to use the HCI_bb on Kinetis family products and get access to the DTM mode 私はKW36(特定のアプリケーションハードウェア、開発ボードではありません)でDTMテストを行おうとしています。このテストの全プロセスや、このテストに必要なファームウェアやツールのリストを教えていただけませんか?

使用PN5190进行2型标签仿真 我们有一个定制的 Linux 平台，我们已成功使 PN5190 用作读卡器。 现在我们想尝试让它作为 Type 2 标签工作，以便（尽可能快地）向点击它的任何智能手机发送 URL。 NFCReaderLibrary 中是否有可供我参考的示例来实现此功能？ 如果不行，请问您能否指导我如何实现这个目标？ Re: Type 2 Tag Emulation with PN5190 您好，先生， 非常感谢您对我们产品的关注。 遗憾的是，我们的 NFC 阅读器库中只有 Type 4 标签的主机卡模拟示例。 示例是 8_HCE_T4T。   Fabian_R_1-1782166840649.png 希望这些信息对您有所帮助。