DEVKIT-MPC5744P Rev Aに関連する資料はどこで見つけられますか? こんにちは、 入手可能なDEVKIT-MPC5744Pクイックスタートガイド（QSG）は、Rev Bのみに関連しているようです。 また、現在ウェブサイトで公開されているドキュメントはRev B版のみのようです。 DEVKIT-MPC5744P Rev Aバージョンのハードウェアドキュメントとクイックスタートガイドを教えていただけますか? よろしくお願いします。 Re: Where can I find materials related to the DEVKIT-MPC5744P Rev A? こんにちは、 これは現在、一般公開されていません。SO、社内でそれを要求しました。 よろしくお願いいたします。 ピーター Re: Where can I find materials related to the DEVKIT-MPC5744P Rev A? こんにちは、 私はそのガイドを書いたエンジニアと話していました。 これは彼が見つけることができた中で最も古いバージョンだ。 よろしくお願いいたします。 ピーター

J-Link Plus V10を使用したカスタムi.MX8MPボードでのDDRストレステスト こんにちは、 i.MX8M Plus(MIMX8ML8DVNLZAB)をベースにしたカスタムボードを搭載し、Micron LPDDR4メモリ(MT53E256M32D2FW-046 AIT)を搭載しています。 i.MX用設定ツールを使用してDDR設定を生成し、生成されたファイルをU-Bootに統合しました。起動時に現在表示されるメッセージは以下のとおりです。 U-Boot SPL 2024.04 DDRINFO: start DRAM init DDRINFO: DRAM rate 4000MTS Training FAILED DDRのキャリブレーションとストレステストを実施したいと考えています。 しかし、私のカスタムボードにはUSB OTGポートがないため、DDR Toolユーザーガイドに記載されている通常のUSB HIDダウンロード方法は使えません。 私は以下を持っています： セガー J-Link Plus V10 JTAGアクセスが正しく動作している UARTコンソールが利用可能です J-Linkを通じたCortex-M7への接続が成功しました MSCALE DDRツールでは接続タイプとしてSERIALしか選択できません 。JTAGのオプションは見当たりません。 私の質問は以下のとおりです。 Segger J-Link Plus V10を使用して、i.MX8MPカスタムボード上でDDRキャリブレーションとストレステストを実行することは可能ですか？ i.MX8MP用のDDRストレステストツールのJTAGバージョンはありますか？ DDRテストイメージはUSB HIDではなくJ-Link経由で読み込むことはできますか? USBダウンロードインターフェースがないカスタムボードに対して、NXPが推奨する代替手順はありますか? 再開まで今しばらくお待ちください。 Re: DDR Stress Test on custom i.MX8MP board using J-Link Plus V10 こんにちは、 いいえ、DDRチューニング用のシリアルダウンロード以外のソリューションは提供していません。新しいデザインの初期開発段階では、このインターフェースを利用できることをお客様に強くお勧めします。これは、当社のほぼすべてのツールにとって、それが必須要件となっているためです。 よろしくお願いいたします。 アルド。

High Drive Strength on S32K3 The S32K3XX reference manual talks about the "drive-strength enable" bits, but doesn't appear to define what this means - the closest reference I can find is that it seems correlated with maximum frequency supported by certain pins (page 42 of the S32K3XXRM/Section 4.4.1) Is there something explicit in terms of maximum current draw or other things I should be aware of for why I should or should not enable "drive-strength"? Re: High Drive Strength on S32K3 GPIO-Standard: Switching up to 10 MHz High drive-strength not supported. Slew-rate control not supported. — GPIO-Standard plus: Switching up to 25 MHz  Supports high drive-strength. Slew-rate control not supported. — GPIO-Medium: Switching up to 50 MHz  Supports high drive-strength. Supports slew-rate control. — GPIO-Fast: Switching up to 120 MHz Supports high drive-strength. Supports slew-rate control. Re: High Drive Strength on S32K3 Yes, that is exactly the text of the section I cited in my question. That doesn't tell me why I should or shouldn't enable "drive strength" - it just tells me that some pins support it, and that some switching rates are related to it. If I were driving an LED with it, would it be capable of sinking more current? How much more current? Is it purely a slew-rate change? Is there a reason not to enable it, if the pin supports it? Will my chip dissipate more heat if I enable it? Re: High Drive Strength on S32K3 Hardware Design Guidelines for S32K39x, S32K37x and S32K36x Microcontrollers Re: High Drive Strength on S32K3 Hi The S32K3XX Reference Manual (S32K3XXRM) states that the Pad Type "GPIO-Standard" does not support high drive strength, whereas "GPIO-Standard Plus", "GPIO-Medium", and "GPIO-Fast" support high drive strength. For GPIO Pad Type, please refer to the S32K344_IO Signal Table, specifically column H, in the Excel attachment S32K344_S32K324_S32K314_IOMUX.xlsx provided with the S32K3XXRM. Best Regards, Robin ------------------------------------------------------------------------------- Note: - If this post answers your question, please click the "ACCEPT AS SOLUTION" button. Thank you! - We are following threads for 7 weeks after the last post, later replies are ignored Please open a new thread and refer to the closed one, if you have a related question at a later point in time. -------------------------------------------------------------------------------

Getting Started with USB Audio on i.MX boards Introduction The Audio Device Class Definition applies to all devices or functions embedded in composite devices that are used to manipulate audio, voice, and sound-related functionality. This includes both audio data (analog and digital) and the functionality that is used to directly control the audio environment, such as Volume and Tone Control. https://www.usb.org/sites/default/files/audio10.pdf  Diagnosis Solution

RT1160（外部SDRAMおよびウェイトピン付きSRAM搭載） 私はRT1160を外部16ビットSDRAMと16ビットSRAM（FPGA通信用）と組み合わせて使用しています。SRAMインターフェースは、待機ピン付きのSRAM読み書き操作(SRAM)として非同期モードとして構成されます。待機信号がSDRAMのリフレッシュタイミングと競合して何らかの問題を引き起こすのではないかと考えています。SDRAMにコードを書き込んで、SRAM ASYNC書き込み時にwaitピンを約10ms以上ローレベルに保つようにテストしましたが、時々約1msで終了してしまうことがあり、その理由はわかりません。 SDRAMとSRAMの両方を使う場合に制限があるのでしょうか?ご協力いただきありがとうございます。 Re: RT1160 with external SDRAM and SRAM with wait pin こんにちは 約1ミリ秒で終了するとおっしゃっていますが、具体的に何を指しているのでしょうか？SRAMへの書き込みはエラーを返すのか、それともハードフォルトに入るのか？これはどのくらいの頻度で起こりますか？ 以下のテストを手伝ってもらえますか? 1. 内部メモリ（SDRAMではない）からコードを実行し、長時間かかる非同期SRAM書き込みを繰り返します。 2. 内部メモリからコードを実行したまま、同じテストを再度実行しますが、今回はSDRAMを有効にした状態でアイドル状態にします。 3. 最初に述べたとおりにテストを実行しますが、SRAM待機信号をアクティブに保持します。 さらに、上記の検査を含めて、以下の点を確認してもらえますか? 転送中にSRAM信号を監視できますか? 各テストのSTEMCイントラレジスタ値を教えてもらえますか? 結果を教えてください。 よろしくお願いします、 パブロ

Pad/Mux Control for ADC Hello. We are currently developing the firmware for a custom i.MX8X carrier board. For the ADC_IN0 - ADC_IN5, we are currently unsure what the pad/mux control configurations should be, specifically for the sw_config field. If we set the field value to "Default," does it automatically configure it to the mux mode that the pad is set to (i.e. automatically adjusted to ADC versus if we were to change it to the GPIO)? Would setting it to "Default" be a good choice, or is there a better field selection for the ADC pins? i.MX 8 Family | i.MX 8QuadMax (8QM) | 8QuadPlus Re: Pad/Mux Control for ADC Hello, “Default” does NOT adapt to mux mode and is not ADC-aware. For ADC pins on i.MX8X, explicitly configure the pad control to disable all pulls/keepers and minimize digital influence. Best regards/Saludos, Aldo.

S32K324のVREFH こんにちは、NXP チームの皆様、 回路には3.3Vで動作するS32K324マイクロコントローラを使っています。マイクロコントローラ内のVREFHピン自体は3.3V(VDD_HV_A / VDD_HV_B)に接続されています。データシートに、VREFH電圧レベルに関する注記がありました。 しかし、ハードウェアデザインガイドラインのドキュメントにはこのコメントは記載されていません。 どなたか、データシートに記載されているノートの意義について説明してもらえますか? ありがとうございます。 ヘマント Re: VREFH for S32K324 こんにちは、 @JulesW さん。 データシート（表3、動作条件）によると、VREFHは最低2.97Vに制限されているため、これは仕様外となります。 BR、ダニエル Re: VREFH for S32K324 VREHがVDD_HV_Aよりもはるかに低い場合、例えばVDD = 3.3Vの場合にVREFH = 2.5Vとなる場合はどうなるでしょうか？ Re: VREFH for S32K324 ADCの結果は飽和状態になるだろう。 注入電流は、ピンあたり3mAに制限する必要があります。 BR、ダニエル Re: VREFH for S32K324 こんにちは、ダニエルさん。 ご回答ありがとうございます。 ADCの入力電圧がADCのVREFHよりも大きい場合、どうなりますか？マイクロコントローラのADCに過電圧保護や飽和機構があるかどうか? Re: VREFH for S32K324 こんにちは、ヘマントさん。 VREFH参照は必ずしもVDD_HV_A/VDD_HV_Bにコネクテッドする必要はありません。 しかし基準はVDD_HV_Aにクランプされるため、電圧はVDD_HV_A + 0.1Vを超えてはならず、0.1VはRF信号専用です。 HWDGの改訂版においてC、仕様書も見つけることができます: よろしくお願いいたします。 ダニエル

RT1160 with external SDRAM and SRAM with wait pin I am using the RT1160 with external 16-bit SDRAM and 16-bit SRAM(for fpga communication).  The SRAM interface is configure as SRAM Read/Write Operation in ASYNC Mode with Wait Pin. I wonder If the wait signal will conflic with SDRAM refresh timing to cause some issue. We've test  it to let our code in SDRAM and let wait pin keep low about 10ms or longer in SRAM ASYNC write,  sometimes it will end at about just 1ms and don'tknow why.   can we use in that way or ther have some limitation when using both SDRAM and SRAM device. Thanks for your help. Re: RT1160 with external SDRAM and SRAM with wait pin Hi  What are you referring to when you mention that it will end at about 1 ms? Does the SRAM write return an error, or does it enter a hard fault? How often does this happen? Could you please help me test the following? 1. Run the code from internal memory (not SDRAM) and repeat the long asynchronous SRAM write. 2. While still executing the code from internal memory, run the same test again, but this time with SDRAM enabled but idle. 3. Run the test as you originally mentioned, but with the SRAM wait signal held active. Additionally, could you check the following during these tests (including the ones mentioned above) Could you monitor the SRAM signals during the transfer? Could you share the SEMC INTR register values for each test? Please let me know your results. Best Regards, Pablo

庭を育てよう2 動作ガイド：すぐに速く歩く方法 Roblox Grow a Garden 2でそれなりの時間を費やしてプレイしたことがある人なら、カタツムリのような速度でしか進まない苦痛を既に知っているはずだ。稀な突然変異イベント情報が発生し、誰よりも先にその種を確保しなければならない時や、温室泥棒があなたの努力を奪おうとする時、一秒一秒が重要だ。ベーススピードで止まっていると、巨大なプロットの進むのが面倒に感じることもあります。 幸いなことに、デフォルトの歩行サイクルで満足する必要はありません。永続的なパッシブバフ、素早く使える消耗品スプリント、マップを横断する面白い物理グリッチなど、移動速度を瞬時に最大化する方法がここにあります。 永続的なスピードブースト：バニースタック戦略 基本速度を確実に、かつ永続的に向上させたいなら、ゲームのペットシステムを深く掘り下げてみる必要がある。受動的なスピードにおいて、文句なしの王者といえばウサギのペットだ。 装備しているアクティブなウサギのペット1匹につき、移動速度に+5のボーナスが加算されます。ゲーム開始当初は、最大3匹のペットを同時に装備できます。最初から3匹のバニーで構成されたフルチームを編成することで、即座にスピードボーナス+15を獲得でき、移動速度が劇的に向上します。 これらの小さなスピードデーモンを手に入れるには、主に二つの方法に絞られます。 地図をよく見てください。ウサギは世界にランダムに出現し、20,000シェックルで一括購入できます。 ガチャで運試しをしてみましょう。コモンエッグから孵化させることができ、孵化率はかなり高い30%です。 部隊が揃ったら、装備したウサギにペットトイを適用して、基礎ステータスをさらに強化することでパッシブ移動上限をさらに高めることができます。 一時的なスピードアップ：キノコとテレポート 時には、常に高速で走る必要はなく、侵入者を追いかけたり、タイマーが切れる前に店まで全力疾走したりするために、瞬時に猛烈な加速力が必要になることもある。そこで装備品や消耗品が重要になってくるのです。 スピードマッシュルーム：手っ取り早く効果を得たいなら、ギアストアに行ってスピードマッシュルームを1,500シェックルで購入しましょう。これを飲むと短時間、速度が大幅に向上するので、緊迫した状況に最適です。 テレポーターレンチ：お金に余裕があるなら、ギアストアでテレポーターレンチを購入するために18,000シェケルを貯めましょう。この伝説のアイテムを使えば、歩くという行為を完全に省略し、瞬時に少しだけ前方に瞬間移動することができる。 楽しい代替案：セレストベリーの物理グリッチ シェックルが少なくてもハイパースピードで移動したいなら、オリジナルから引き継がれた構造物理のバグを活用できます。多少の手間はかかるが、結果は驚くほど素晴らしい。 まず、巨大な植物を育てる必要があります。セレストベリーはこれに最適ですが、竹のような高レベルで重い植物であればどれでも構いません。スーパーサイズ化するには、複数のベーシックスプリンクラーとアドバンストスプリンクラーを植物の周りにグループ化して、理想的には12〜14kg程度の巨大な重さに成長させます。 巨大植物が完全に成長したら、収穫して直接手に装備してください。 発射を発動するには、カメラ視点をスイッチに切り替えてください。目的地とは完全に反対方向を向き、後退キーを押し続け、Shift Lockをオンにして、ジャンプキーを連続してタップします。巨大な果実がキャラクターモデルと相互作用する奇妙な衝突ジオメトリのせいで、ゲームの物理挙動が壊れ、狂った速度でマップ上に激しく後方に吹き飛ばされます。 ウサギの軍隊を編成するにしても、キノコを買い溜めるにしても、巨大なベリーを使ってゾーンを飛び回るにしても、もう遅い歩行速度に我慢する必要はありません。予算に合った方法を選び、区画を駆け回りましょう。

i.MX 93 CAN1 复用文档不匹配 NXP社区的各位朋友，大家好！ 在研究一些技术问题时，我们发现当前版本的 i.MX 93 参考手册与其旧版本之间存在 MUX 模式不匹配的问题。 相关 CPU 焊盘为 PDM_STREAM0（引脚 J17），其当前参考手册（修订版）中对此有详细说明。7、2026-02-10）将 MUX 模式选项 6 描述为 CAN1_TX： 而旧版参考手册（2023）以及当前的 i.MX 配置工具（v 26.03）则显示的是 CAN1_RX 函数： 您能否解释一下这个不匹配的原因？ 谢谢你， 马丁 Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch 你好@voipacHW ， 查看文档中的更改后，我没有在该页上找到任何与修改相关的注释。目前看来，这似乎是个印刷错误。 我目前正在等待内部团队的确认，但根据现有信息，这很可能只是一个笔误。 此致， 查维拉 Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch 嗨@Chavira ， 感谢你的回复。 是的，请您在从同事那里得到确认信息后与我们联系。 如果确认是拼写错误，我建议在当前的参考手册中进行修正。 谢谢你， 马丁

S32K388 FXOSC GM_SEL 推荐值（适用于 8/16/20/40 MHz 晶体） NXP社区的各位好， 我正在做一个 S32K388 项目，并配置 FXOSC（快速晶振（晶体振荡器））。我在参考手册中看到 GM_SEL 用于选择 FXOSC 放大器的跨导，但我找不到将晶体频率与 GM_SEL 值对应起来的清晰推荐表。 当前配置： 晶体：16 MHz 无源晶体 GM_SEL = 12 (0xC，~0.7016x) EOCV = 157 OSC_BYP = 0（晶体模式） COMP_EN = 1 对于 16 MHz 的频率，这种方法效果很好。 我的问题：我希望支持多种晶体选项：8 MHz、16 MHz、20 MHz 和 40 MHz。 请问谁能分享一下各个频率的推荐GM_SEL值？或者能否提供一份 NXP 应用笔记或表格，其中提供了这方面的指导？ 具体来说： 对于每个标准 FXOSC 频率（8/16/20/40 MHz），是否有推荐的 GM_SEL 值？ 对于 20 MHz 晶体，为了获得可靠的振荡，GM_SEL 是否应该从 12 增加到 15（最大值）？ GM_SEL 的选择主要取决于晶体频率、ESR、负载电容，还是所有这些因素？ 任何指导或参考资料都将不胜感激。 顺祝商祺！ Re: S32K388 FXOSC GM_SEL recommended values for 8/16/20/40 MHz crystals 嗨@xlele 在《S32K3 MCU 通用硬件设计包》中包含的《S32K3xx 微控制器硬件设计指南》修订版 E2 的 3.2 节中提到，“当 GM > 5 × gmcrit 时，晶振（晶体振荡器）电路可提供非常安全稳定的振荡”，并且还定义了 gmcrit 的计算方法。 此外，在 S32K3xx 数据手册第 14 版的 11.4 节中，针对 ALC 禁用模式，提供了 GM = 4'b0010 的通用推荐设置。 最后，例如，如果根据晶体规格，需要跨导 G = 12 mA/V 来确定 CTRL[GM_SEL] 值： 12 mA = 18.5 mA × N N = 12 mA / 18.5 mA = 0.6486 寄存器设置支持的最近值对应于 CTRL[GM_SEL] = 1010b → 0.6681× BR，VaneB

S32K388 ADC VREH 你好， 我的应用中使用的是S32K388。我想利用芯片的ADC来测量模拟电压。我给 VDD_HV_A 和 VDD_HV_B 提供 3.3V 电压，通常我使用 2.5V 高精度电压基准作为 ADC 的基准电压（当我使用专用 ADC IC 时）。如果可以的话，我希望继续使用相同的电压基准。 查看 S32K388 的数据手册时，我发现 VREFH 需要介于 2.97V 和 5.5V 之间（第 20 页），并且 VREFH 始终 <= VDD_HV_A。 我还注意到表 38 中给出的精度数据适用于 VDD_HV_A - 1.5V >= VREHF >= VDD_HV_A + 0.1V 的情况。 您是否确认我不能使用 2.5V 的参考电压，而需要为我的应用寻找至少 3.0V 的参考电压？或者 VREFH = 2.5V 且 VDD_HV = 3.3V我会没事的吗？ 顺祝商祺！ 朱尔斯 Re: S32K388 ADC VREH 你好， 这将超出规格，因为根据数据手册，VREFH 的最小值限制为 2.97 V。 正如你所写，你需要找到至少达到指定最低标准的参考文献。 数据手册中的注释 [5] 似乎对 VDD_HV_A = 5V 有效。 BR，彼得 Re: S32K388 ADC VREH VREFH ADC 高参考电压 [1][6] 最小值 2.97典型值3.3或 5.0 最大 5.5V VREFL ADC 低参考电压 [1] -0.10 0.1V 如果将 VREFH ADC 高参考电压设置为 2.5V，则表示该值超出规格范围，介于 2.97V 和 5.5V 之间。ADC功能将失败

S32K388 ADC VREH こんにちは、 私はS32K388をアプリケーションに使っています。チップのADCを使ってアナログ電圧を測定したいと思っています。私はVDD_HV_AとVDD_HV_Bに3.3Vを供給し、通常、ADCの基準電圧には2.5Vの高精度電圧リファレンスを使用します（専用のADC ICを使用する場合）。可能であれば、同じ電圧基準を引き続き使用したいと考えています。 S32K388のデータシートを見ると、VREFHは2.97V～5.5V（p20）の範囲である必要があり、常にVREFH≦VDD_HV_Aである必要があることがわかります。 表38に示されている精度値は、VDD_HV_A - 1.5V >= VREHF >= VDD_HV_A + 0.1V の場合に有効であることがわかります。 この目的で2.5Vの基準電圧を使えず、私のアプリケーションに最低でも3.0Vの基準値を見つける必要があることを確認していただけますか?または、VREFH = 2.5V、VDD_HV = 3.3Vの場合私は大丈夫でしょうか？ よろしくお願いいたします。 ジュールズ Re: S32K388 ADC VREH こんにちは、 データシートによると、VREFHは最低2.97Vに制限されているため、それは仕様外となります。 ご指摘のとおり、指定された最低限の基準を満たす参考文献を見つける必要があります。 データシートの注記[5]はVDD_HV_A = 5Vの場合に有効であると思われます。 BR、ペトル Re: S32K388 ADC VREH VREFH ADC高基準電圧[1][6] 最小2.97標準値3.3または 5.0 最大5.5V VREFL ADC低基準電圧[1] -0.10 0.1V VREFH ADCの高基準電圧に2.5Vを設定した場合、その値は2.97V～5.5Vの範囲外であることを意味します。ADC機能が失敗します

VREFH 用于 S32K324 您好，NXP团队： 我的电路中使用的是工作电压为 3.3V 的 S32K324 微控制器。微控制器中的 VREFH 引脚与 3.3V (VDD_HV_A / VDD_HV_B) 本身相连。我在数据手册中看到了关于 VREFH 电压等级的说明。 但在硬件设计指南文档中并未提及这一点。 请问有人能解释一下数据手册中提到的注释的含义吗？ 谢谢！此致敬礼！ 赫曼斯 Re: VREFH for S32K324 嗨@JulesW ， 这不符合规格，因为根据数据表（表 3，工作条件），VREFH 的最小值限制为 2.97 V。 BR，丹尼尔 Re: VREFH for S32K324 如果 VREH 远低于 VDD_HV_A，例如，VDD = 3.3V 时，VREFH = 2.5V 会怎样？ Re: VREFH for S32K324 ADC结果将达到饱和。 每个引脚的注入电流必须限制在 3mA 以内。 BR，丹尼尔 Re: VREFH for S32K324 嗨，丹尼尔， 谢谢你的回复。 如果ADC的输入电压大于ADC的VREFH会发生什么情况？微控制器的ADC是否有过压保护或饱和保护机制？ Re: VREFH for S32K324 你好，Hemanth， VREFH 参考电压不必连接到 VDD_HV_A / VDD_HV_B。 但参考电压被钳位在 VDD_HV_A，因此电压不得超过 VDD_HV_A + 0.1V，而这 0.1V 仅用于射频信号。 在 HWDG rev.C 中，您也可以找到相关规格说明： 此致， 丹尼尔

IW610 - WLANアクティビティインジケーター ちょっと質問ですが、LEDを駆動するためにWLANの活動インジケーター(点滅や切り替え)として「誤用」される可能性のあるGPIOピンや機能はありますか? 私の知る限り、専用の機能がなく、ホストのウェイクアップ機能を使うというアイデアも機能しません。なぜなら、ホストが本当にスリープしている時だけ有効だからです。 Re: IW610 - WLAN Activity Indicator ありがとうございます。私もドキュメントから得た内容ですが、何か見落としている点があるのか聞きたかったのです。 私は誤って、HOST WAKE UPが入ってくるデータに対してイベント情報を発生させるために悪用される可能性があると信じていました。しかし、そのGPIO信号はホストが実際にスリープしている場合にのみ使えるので、それも使えません。 Re: IW610 - WLAN Activity Indicator こんにちは、 あなたの調子が良いといいのですが。一般的なWLANトラフィック/アクティビティを示すためのGPIOまたは代替ピン機能はありません。利用可能なGPIO機能は標準インターフェース、共存信号、リセット、ウェイク/割り込み信号です。 実際の実装はホスト側から行う必要があります(例:ドライバやネットワークの活動に基づくソフトウェア駆動のLED制御)。 よろしくお願いいたします。 リカルド

VREFH for S32K324 Hi NXP Team, I am using the S32K324 microcontroller operating at 3.3V for my circuit. The VREFH pin in the microcontroller is connected with 3.3V (VDD_HV_A / VDD_HV_B) itself. In the datasheet, I saw a note regarding the VREFH voltage levels. But in the hardware design guidelines document this comment is not mentioned. Can somebody please explain the significance of the note mentioned in the datasheet. Thanks & Regards Hemanth  Re: VREFH for S32K324 HI @JulesW, That would be out of specification, as VREFH is limited to a minimum of 2.97 V according to the datasheet (Table 3, Operating Conditions). BR, Daniel Re: VREFH for S32K324 What if the VREH is much lower than VDD_HV_A, typically VREFH = 2.5V for a VDD = 3.3V? Re: VREFH for S32K324 The ADC result would be saturated. The injection current must be limited to 3mA per a pin. BR, Daniel Re: VREFH for S32K324 Hi Daniel, Thanks for the response. What happens if the input voltage of an ADC is greater than the VREFH of the ADC? Whether the microcontroller's ADC have any overvoltage protection or saturation mechanisms? Re: VREFH for S32K324 Hi Hemanth, The VREFH reference does not have to be connected to VDD_HV_A / VDD_HV_B. But the reference is clamped to VDD_HV_A, therefore, the voltage must not exceed VDD_HV_A + 0.1V, and the 0.1V is for RF signal only. In the HWDG rev.C, you can find the specification too: Regards, Daniel

INJ1 and INJ3 waveforms differ on FRDMPKPT2000EVM – how to make them consistent? Hello everyone, I am currently working with the S32K144-Q100 board and FRDMPKPT2000EVM, running the S32K144_PT2000_EXAMPLE project to drive a Bosch HDEV 5.1 injector (1.5Ω, Peak & Hold type). The problem: INJ1 and INJ3 have different current waveforms. Both injectors are the same model and connected to the same type of load. What I have already tried: In the main function, I called send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); and send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc1, 0x00); – no change in the waveform. I changed the value of flash_enable (address 0x100) in PT2000_ch1_config[20] to 0x0008 – still no change. My questions: What is the purpose of send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00);? Why do INJ1 and INJ2 have the same waveform, but INJ1 and INJ3 have different waveforms? What code do I need to add or modify to make INJ3 match INJ1? Any guidance would be greatly appreciated! Thanks in advance, D1ego PT2000 FRDMPKPT2000EVM  Re: INJ1 and INJ3 waveforms differ on FRDMPKPT2000EVM – how to make them consistent? Hello D1ego, The command send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00) only controls the microcore behavior (enable/reset/override). It does not define the injector current waveform, so no visible change is expected. In PT2000, injector outputs are controlled by microcores grouped into banks (with separate code/data RAM) → Different banks can run different current profiles. Please refer to the AN5186.  In the example project: INJ1 and INJ2 share the same bank/microcode → identical waveform INJ3 is assigned to a different bank → different waveform Therefore, the behavior is expected and not caused by a fault. To make INJ3 match INJ1: Ensure INJ3 uses the same configuration and microcode as INJ1: Copy the corresponding Data RAM configuration (PT2000_chX_config[]) Ensure the same microcode is loaded for that bank With Best Regards, Jozef

FRDMPKPT2000EVM 上的 INJ1 和 INJ3 波形不同——如何使它们保持一致？ 大家好， 我目前正在使用 S32K144-Q100 板和 FRDMPKPT2000EVM，运行 S32K144_PT2000_EXAMPLE 项目来驱动 Bosch HDEV 5.1 喷油器（1.5Ω，峰值保持型）。 问题： INJ1 和 INJ3 的电流波形不同。这两个喷油器是同一型号，并且连接到同一种负载。 我已经尝试过： 在主函数中，我调用了 send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); 和 send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc1, 0x00); – 波形没有变化。 我将 PT2000_ch1_config[20] 中的 flash_enable（地址 0x100）的值更改为 0x0008 – 仍然没有变化。 我的问题： send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); 的目的是什么？ 为什么 INJ1 和 INJ2 的波形相同，而 INJ1 和 INJ3 的波形不同？ 我需要添加或修改哪些代码才能使 INJ3 与 INJ1 匹配？ 非常感谢您的指导！ 提前感谢！ D1ego PT2000 FRDMPKPT2000EVM Re: INJ1 and INJ3 waveforms differ on FRDMPKPT2000EVM – how to make them consistent? 你好 D1ego， 该命令 send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00) 仅控制微核行为（启用/RESET/覆盖）。 它不定义喷油器电流波形，因此预计不会有明显的改变。 在 PT2000 中，喷油器输出由分组到库中的微核控制（具有独立的代码/数据 RAM）。 → 不同的库可以运行不同的我的。请参考AN5186 。 在示例项目中： INJ1 和 INJ2 共享同一个库/微码 → 波形相同 INJ3 被分配到不同的库 → 不同的波形 因此，这种行为是预期之内的，并非故障所致。 使 INJ3 与 INJ1 匹配： 确保 INJ3 使用与 INJ1 相同的配置和微码： 复制相应的数据 RAM 配置（PT2000_chX_config[]） 确保为该银行加载相同的微码 最诚挚的问候， 约瑟夫

RT1160 带有外部同步动态随机存取存储器(SDRAM)和 SRAM，以及等待引脚 我正在使用 RT1160，搭配外部 16 位 同步动态随机存取存储器(SDRAM) 和 16 位 SRAM（用于 FPGA 通信）。SRAM 接口配置为异步模式下的 SRAM 读/写操作，并带有等待引脚。我怀疑等待信号是否会与同步动态随机存取存储器(SDRAM)刷新时序冲突，从而导致一些问题。我们测试过，让代码在同步动态随机存取存储器(SDRAM)中运行，并在 SRAM 异步写入时让等待引脚保持低电平约 10 毫秒或更长时间，但有时会在大约 1 毫秒后结束，不知道为什么。 我们可以这样使用吗？或者说同时使用同步动态随机存取存储器(SDRAM)和SRAM设备会有一些限制吗？感谢您的帮助。 Re: RT1160 with external SDRAM and SRAM with wait pin 你好 你提到的“大约1毫秒后结束”指的是什么？SRAM 写入操作是返回错误，还是进入硬故障？这种情况发生的频率如何？ 请问您能帮我测试一下以下功能吗？ 1. 从内部存储器（不是 同步动态随机存取存储器(SDRAM)）运行代码，并重复长时间异步 SRAM 写入。 2. 在仍然从内部存储器执行代码的情况下，再次运行相同的测试，但这次启用同步动态随机存取存储器(SDRAM)但使其处于空闲状态。 3. 按照你最初提到的方法运行测试，但要保持 SRAM 等待信号处于激活状态。 此外，能否在这些测试期间（包括上述提到的测试）检查以下内容？ 能否在传输过程中监控 SRAM 信号？ 能否分享一下每次测试的 SEMC INTR 寄存器值？ 请告诉我你的结果。 此致， 巴勃罗

ADC 的衰减器/多路复用器控制 你好。我们目前正在为定制的 i.MX8X 板开发固件。对于 ADC_IN0 - ADC_IN5，我们目前还不确定焊盘/多路复用器控制配置应该是什么，特别是对于 sw_config 字段。 如果我们将字段值设置为“默认”，它是否会自动将其配置为焊盘设置的复用模式（即）？自动调整到 ADC 与将其更改为 GPIO 相比如何？ 将其设置为“默认值”是否是一个好的选择，或者对于 ADC 引脚是否有更好的字段选择？ i.MX 8 系列 | i.MX 8QuadMax (8QM) | 8QuadPlus Re: Pad/Mux Control for ADC 你好， “默认”模式不适应多路复用模式，也不支持ADC。 对于 i.MX8X 上的 ADC 引脚，明确配置焊盘控制以禁用所有上拉/保持器，并最大限度地减少数字影响。 此致敬礼/Saludos， 阿尔多。