i.MX 93 CAN1 复用文档不匹配 NXP社区的各位朋友，大家好！ 在研究一些技术问题时，我们发现当前版本的 i.MX 93 参考手册与其旧版本之间存在 MUX 模式不匹配的问题。 相关 CPU 焊盘为 PDM_STREAM0（引脚 J17），其当前参考手册（修订版）中对此有详细说明。7、2026-02-10）将 MUX 模式选项 6 描述为 CAN1_TX： voipacHW_0-1781789044248.png 而旧版参考手册（2023）以及当前的 i.MX 配置工具（v 26.03）则显示的是 CAN1_RX 函数： voipacHW_3-1781789377931.png voipacHW_2-1781789238035.png 您能否解释一下这个不匹配的原因？ 谢谢你， 马丁 Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch 你好@voipacHW ， 查看文档中的更改后，我没有在该页上找到任何与修改相关的注释。目前看来，这似乎是个印刷错误。 我目前正在等待内部团队的确认，但根据现有信息，这很可能只是一个笔误。 此致， 查维拉 Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch 嗨@Chavira ， 感谢你的回复。 是的，请您在从同事那里得到确认信息后与我们联系。 如果确认是拼写错误，我建议在当前的参考手册中进行修正。 谢谢你， 马丁 Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch 你好@voipacHW ， 内部团队已确认这确实是一个笔误。 感谢您提醒我们注意此事并提出宝贵意见。我们感谢您 收到反馈后，我们将在参考手册的下一版中纠正该问题。 此致， 查维拉

S32K388 FXOSC GM_SEL 推荐值（适用于 8/16/20/40 MHz 晶体） NXP社区的各位好， 我正在做一个 S32K388 项目，并配置 FXOSC（快速晶振（晶体振荡器））。我在参考手册中看到 GM_SEL 用于选择 FXOSC 放大器的跨导，但我找不到将晶体频率与 GM_SEL 值对应起来的清晰推荐表。 当前配置： 晶体：16 MHz 无源晶体 GM_SEL = 12 (0xC，~0.7016x) EOCV = 157 OSC_BYP = 0（晶体模式） COMP_EN = 1 对于 16 MHz 的频率，这种方法效果很好。 我的问题：我希望支持多种晶体选项：8 MHz、16 MHz、20 MHz 和 40 MHz。 请问谁能分享一下各个频率的推荐GM_SEL值？或者能否提供一份 NXP 应用笔记或表格，其中提供了这方面的指导？ 具体来说： 对于每个标准 FXOSC 频率（8/16/20/40 MHz），是否有推荐的 GM_SEL 值？ 对于 20 MHz 晶体，为了获得可靠的振荡，GM_SEL 是否应该从 12 增加到 15（最大值）？ GM_SEL 的选择主要取决于晶体频率、ESR、负载电容，还是所有这些因素？ 任何指导或参考资料都将不胜感激。 顺祝商祺！ Re: S32K388 FXOSC GM_SEL recommended values for 8/16/20/40 MHz crystals 嗨@xlele 在《S32K3 MCU 通用硬件设计包》中包含的《S32K3xx 微控制器硬件设计指南》修订版 E2 的 3.2 节中提到，“当 GM > 5 × gmcrit 时，晶振（晶体振荡器）电路可提供非常安全稳定的振荡”，并且还定义了 gmcrit 的计算方法。 此外，在 S32K3xx 数据手册第 14 版的 11.4 节中，针对 ALC 禁用模式，提供了 GM = 4'b0010 的通用推荐设置。 最后，例如，如果根据晶体规格，需要跨导 G = 12 mA/V 来确定 CTRL[GM_SEL] 值： 12 mA = 18.5 mA × N N = 12 mA / 18.5 mA = 0.6486 寄存器设置支持的最近值对应于 CTRL[GM_SEL] = 1010b → 0.6681× BR，VaneB

S32K388 ADC VREH 你好， 我的应用中使用的是S32K388。我想利用芯片的ADC来测量模拟电压。我给 VDD_HV_A 和 VDD_HV_B 提供 3.3V 电压，通常我使用 2.5V 高精度电压基准作为 ADC 的基准电压（当我使用专用 ADC IC 时）。如果可以的话，我希望继续使用相同的电压基准。 查看 S32K388 的数据手册时，我发现 VREFH 需要介于 2.97V 和 5.5V 之间（第 20 页），并且 VREFH 始终 <= VDD_HV_A。 JulesW_0-1781795384342.png 我还注意到表 38 中给出的精度数据适用于 VDD_HV_A - 1.5V >= VREHF >= VDD_HV_A + 0.1V 的情况。 JulesW_1-1781795636960.png 您是否确认我不能使用 2.5V 的参考电压，而需要为我的应用寻找至少 3.0V 的参考电压？或者 VREFH = 2.5V 且 VDD_HV = 3.3V我会没事的吗？ 顺祝商祺！ 朱尔斯 Re: S32K388 ADC VREH 你好， 这将超出规格，因为根据数据手册，VREFH 的最小值限制为 2.97 V。 正如你所写，你需要找到至少达到指定最低标准的参考文献。 数据手册中的注释 [5] 似乎对 VDD_HV_A = 5V 有效。 BR，彼得 Re: S32K388 ADC VREH VREFH ADC 高参考电压 [1][6] 最小值 2.97典型值3.3或 5.0 最大 5.5V VREFL ADC 低参考电压 [1] -0.10 0.1V 如果将 VREFH ADC 高参考电压设置为 2.5V，则表示该值超出规格范围，介于 2.97V 和 5.5V 之间。ADC功能将失败

S32K388 ADC VREH こんにちは、 私はS32K388をアプリケーションに使っています。チップのADCを使ってアナログ電圧を測定したいと思っています。私はVDD_HV_AとVDD_HV_Bに3.3Vを供給し、通常、ADCの基準電圧には2.5Vの高精度電圧リファレンスを使用します（専用のADC ICを使用する場合）。可能であれば、同じ電圧基準を引き続き使用したいと考えています。 S32K388のデータシートを見ると、VREFHは2.97V～5.5V（p20）の範囲である必要があり、常にVREFH≦VDD_HV_Aである必要があることがわかります。 JulesW_0-1781795384342.png 表38に示されている精度値は、VDD_HV_A - 1.5V >= VREHF >= VDD_HV_A + 0.1V の場合に有効であることがわかります。 JulesW_1-1781795636960.png この目的で2.5Vの基準電圧を使えず、私のアプリケーションに最低でも3.0Vの基準値を見つける必要があることを確認していただけますか?または、VREFH = 2.5V、VDD_HV = 3.3Vの場合私は大丈夫でしょうか？ よろしくお願いいたします。 ジュールズ Re: S32K388 ADC VREH こんにちは、 データシートによると、VREFHは最低2.97Vに制限されているため、それは仕様外となります。 ご指摘のとおり、指定された最低限の基準を満たす参考文献を見つける必要があります。 データシートの注記[5]はVDD_HV_A = 5Vの場合に有効であると思われます。 BR、ペトル Re: S32K388 ADC VREH VREFH ADC高基準電圧[1][6] 最小2.97標準値3.3または 5.0 最大5.5V VREFL ADC低基準電圧[1] -0.10 0.1V VREFH ADCの高基準電圧に2.5Vを設定した場合、その値は2.97V～5.5Vの範囲外であることを意味します。ADC機能が失敗します

VREFH 用于 S32K324 您好，NXP团队： 我的电路中使用的是工作电压为 3.3V 的 S32K324 微控制器。微控制器中的 VREFH 引脚与 3.3V (VDD_HV_A / VDD_HV_B) 本身相连。我在数据手册中看到了关于 VREFH 电压等级的说明。 hemanths_0-1688361073670.png 但在硬件设计指南文档中并未提及这一点。 hemanths_1-1688361175410.png 请问有人能解释一下数据手册中提到的注释的含义吗？ 谢谢！此致敬礼！ 赫曼斯 Re: VREFH for S32K324 嗨@JulesW ， 这不符合规格，因为根据数据表（表 3，工作条件），VREFH 的最小值限制为 2.97 V。 BR，丹尼尔 Re: VREFH for S32K324 如果 VREH 远低于 VDD_HV_A，例如，VDD = 3.3V 时，VREFH = 2.5V 会怎样？ Re: VREFH for S32K324 ADC结果将达到饱和。 每个引脚的注入电流必须限制在 3mA 以内。 danielmartynek_0-1688384914242.png danielmartynek_1-1688385147391.png BR，丹尼尔 Re: VREFH for S32K324 嗨，丹尼尔， 谢谢你的回复。 如果ADC的输入电压大于ADC的VREFH会发生什么情况？微控制器的ADC是否有过压保护或饱和保护机制？ Re: VREFH for S32K324 你好，Hemanth， VREFH 参考电压不必连接到 VDD_HV_A / VDD_HV_B。 但参考电压被钳位在 VDD_HV_A，因此电压不得超过 VDD_HV_A + 0.1V，而这 0.1V 仅用于射频信号。 在 HWDG rev.C 中，您也可以找到相关规格说明： danielmartynek_0-1688380987606.png 此致， 丹尼尔

IW610 - WLANアクティビティインジケーター ちょっと質問ですが、LEDを駆動するためにWLANの活動インジケーター(点滅や切り替え)として「誤用」される可能性のあるGPIOピンや機能はありますか? 私の知る限り、専用の機能がなく、ホストのウェイクアップ機能を使うというアイデアも機能しません。なぜなら、ホストが本当にスリープしている時だけ有効だからです。 Re: IW610 - WLAN Activity Indicator ありがとうございます。私もドキュメントから得た内容ですが、何か見落としている点があるのか聞きたかったのです。 私は誤って、HOST WAKE UPが入ってくるデータに対してイベント情報を発生させるために悪用される可能性があると信じていました。しかし、そのGPIO信号はホストが実際にスリープしている場合にのみ使えるので、それも使えません。 Re: IW610 - WLAN Activity Indicator こんにちは、 あなたの調子が良いといいのですが。一般的なWLANトラフィック/アクティビティを示すためのGPIOまたは代替ピン機能はありません。利用可能なGPIO機能は標準インターフェース、共存信号、リセット、ウェイク/割り込み信号です。 実際の実装はホスト側から行う必要があります(例:ドライバやネットワークの活動に基づくソフトウェア駆動のLED制御)。 よろしくお願いいたします。 リカルド

VREFH for S32K324 Hi NXP Team, I am using the S32K324 microcontroller operating at 3.3V for my circuit. The VREFH pin in the microcontroller is connected with 3.3V (VDD_HV_A / VDD_HV_B) itself. In the datasheet, I saw a note regarding the VREFH voltage levels. hemanths_0-1688361073670.png But in the hardware design guidelines document this comment is not mentioned. hemanths_1-1688361175410.png Can somebody please explain the significance of the note mentioned in the datasheet. Thanks & Regards Hemanth  Re: VREFH for S32K324 HI @JulesW, That would be out of specification, as VREFH is limited to a minimum of 2.97 V according to the datasheet (Table 3, Operating Conditions). BR, Daniel Re: VREFH for S32K324 What if the VREH is much lower than VDD_HV_A, typically VREFH = 2.5V for a VDD = 3.3V? Re: VREFH for S32K324 The ADC result would be saturated. The injection current must be limited to 3mA per a pin. danielmartynek_0-1688384914242.png danielmartynek_1-1688385147391.png BR, Daniel Re: VREFH for S32K324 Hi Daniel, Thanks for the response. What happens if the input voltage of an ADC is greater than the VREFH of the ADC? Whether the microcontroller's ADC have any overvoltage protection or saturation mechanisms? Re: VREFH for S32K324 Hi Hemanth, The VREFH reference does not have to be connected to VDD_HV_A / VDD_HV_B. But the reference is clamped to VDD_HV_A, therefore, the voltage must not exceed VDD_HV_A + 0.1V, and the 0.1V is for RF signal only. In the HWDG rev.C, you can find the specification too: danielmartynek_0-1688380987606.png Regards, Daniel

INJ1 and INJ3 waveforms differ on FRDMPKPT2000EVM – how to make them consistent? Hello everyone, I am currently working with the S32K144-Q100 board and FRDMPKPT2000EVM, running the S32K144_PT2000_EXAMPLE project to drive a Bosch HDEV 5.1 injector (1.5Ω, Peak & Hold type). The problem: INJ1 and INJ3 have different current waveforms. Both injectors are the same model and connected to the same type of load. What I have already tried: In the main function, I called send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); and send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc1, 0x00); – no change in the waveform. I changed the value of flash_enable (address 0x100) in PT2000_ch1_config[20] to 0x0008 – still no change. My questions: What is the purpose of send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00);? Why do INJ1 and INJ2 have the same waveform, but INJ1 and INJ3 have different waveforms? What code do I need to add or modify to make INJ3 match INJ1? Any guidance would be greatly appreciated! Thanks in advance, D1ego PT2000 FRDMPKPT2000EVM  Re: INJ1 and INJ3 waveforms differ on FRDMPKPT2000EVM – how to make them consistent? Hello D1ego, The command send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00) only controls the microcore behavior (enable/reset/override). It does not define the injector current waveform, so no visible change is expected. In PT2000, injector outputs are controlled by microcores grouped into banks (with separate code/data RAM) → Different banks can run different current profiles. Please refer to the AN5186.  In the example project: INJ1 and INJ2 share the same bank/microcode → identical waveform INJ3 is assigned to a different bank → different waveform Therefore, the behavior is expected and not caused by a fault. To make INJ3 match INJ1: Ensure INJ3 uses the same configuration and microcode as INJ1: Copy the corresponding Data RAM configuration (PT2000_chX_config[]) Ensure the same microcode is loaded for that bank With Best Regards, Jozef

FRDMPKPT2000EVM 上的 INJ1 和 INJ3 波形不同——如何使它们保持一致？ 大家好， 我目前正在使用 S32K144-Q100 板和 FRDMPKPT2000EVM，运行 S32K144_PT2000_EXAMPLE 项目来驱动 Bosch HDEV 5.1 喷油器（1.5Ω，峰值保持型）。 问题： INJ1 和 INJ3 的电流波形不同。这两个喷油器是同一型号，并且连接到同一种负载。 我已经尝试过： 在主函数中，我调用了 send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); 和 send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc1, 0x00); – 波形没有变化。 我将 PT2000_ch1_config[20] 中的 flash_enable（地址 0x100）的值更改为 0x0008 – 仍然没有变化。 我的问题： send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); 的目的是什么？ 为什么 INJ1 和 INJ2 的波形相同，而 INJ1 和 INJ3 的波形不同？ 我需要添加或修改哪些代码才能使 INJ3 与 INJ1 匹配？ 非常感谢您的指导！ 提前感谢！ D1ego PT2000 FRDMPKPT2000EVM Re: INJ1 and INJ3 waveforms differ on FRDMPKPT2000EVM – how to make them consistent? 你好 D1ego， 该命令 send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00) 仅控制微核行为（启用/RESET/覆盖）。 它不定义喷油器电流波形，因此预计不会有明显的改变。 在 PT2000 中，喷油器输出由分组到库中的微核控制（具有独立的代码/数据 RAM）。 → 不同的库可以运行不同的我的。请参考AN5186 。 在示例项目中： INJ1 和 INJ2 共享同一个库/微码 → 波形相同 INJ3 被分配到不同的库 → 不同的波形 因此，这种行为是预期之内的，并非故障所致。 使 INJ3 与 INJ1 匹配： 确保 INJ3 使用与 INJ1 相同的配置和微码： 复制相应的数据 RAM 配置（PT2000_chX_config[]） 确保为该银行加载相同的微码 最诚挚的问候， 约瑟夫

RT1160 带有外部同步动态随机存取存储器(SDRAM)和 SRAM，以及等待引脚 我正在使用 RT1160，搭配外部 16 位 同步动态随机存取存储器(SDRAM) 和 16 位 SRAM（用于 FPGA 通信）。SRAM 接口配置为异步模式下的 SRAM 读/写操作，并带有等待引脚。我怀疑等待信号是否会与同步动态随机存取存储器(SDRAM)刷新时序冲突，从而导致一些问题。我们测试过，让代码在同步动态随机存取存储器(SDRAM)中运行，并在 SRAM 异步写入时让等待引脚保持低电平约 10 毫秒或更长时间，但有时会在大约 1 毫秒后结束，不知道为什么。 我们可以这样使用吗？或者说同时使用同步动态随机存取存储器(SDRAM)和SRAM设备会有一些限制吗？感谢您的帮助。 Re: RT1160 with external SDRAM and SRAM with wait pin 你好 你提到的“大约1毫秒后结束”指的是什么？SRAM 写入操作是返回错误，还是进入硬故障？这种情况发生的频率如何？ 请问您能帮我测试一下以下功能吗？ 1. 从内部存储器（不是 同步动态随机存取存储器(SDRAM)）运行代码，并重复长时间异步 SRAM 写入。 2. 在仍然从内部存储器执行代码的情况下，再次运行相同的测试，但这次启用同步动态随机存取存储器(SDRAM)但使其处于空闲状态。 3. 按照你最初提到的方法运行测试，但要保持 SRAM 等待信号处于激活状态。 此外，能否在这些测试期间（包括上述提到的测试）检查以下内容？ 能否在传输过程中监控 SRAM 信号？ 能否分享一下每次测试的 SEMC INTR 寄存器值？ 请告诉我你的结果。 此致， 巴勃罗

ADC 的衰减器/多路复用器控制 你好。我们目前正在为定制的 i.MX8X 板开发固件。对于 ADC_IN0 - ADC_IN5，我们目前还不确定焊盘/多路复用器控制配置应该是什么，特别是对于 sw_config 字段。 如果我们将字段值设置为“默认”，它是否会自动将其配置为焊盘设置的复用模式（即）？自动调整到 ADC 与将其更改为 GPIO 相比如何？ 将其设置为“默认值”是否是一个好的选择，或者对于 ADC 引脚是否有更好的字段选择？ i.MX 8 系列 | i.MX 8QuadMax (8QM) | 8QuadPlus Re: Pad/Mux Control for ADC 你好， “默认”模式不适应多路复用模式，也不支持ADC。 对于 i.MX8X 上的 ADC 引脚，明确配置焊盘控制以禁用所有上拉/保持器，并最大限度地减少数字影响。 此致敬礼/Saludos， 阿尔多。

FRDMPKPT2000EVMではINJ1とINJ3の波形が異なります。これらを一致させるにはどうすればよいでしょうか？ こんにちは、みんな、 現在、S32K144-Q100ボードとFRDMPKPT2000EVMを使用して、S32K144_PT2000_EXAMPLEプロジェクトを実行し、Bosch HDEV 5.1インジェクター（1.5Ω、ピーク＆ホールドタイプ）を駆動する作業を行っています。 問題点: INJ1とINJ3は異なる電流波形を持っています。両方のインジェクターは同じモデルで、同じ種類の負荷に接続されています。 私が既に試したこと： メイン関数で send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); と send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc1, 0x00); を呼び出しましたが、波形に変化はありませんでした。 PT2000_ch1_config[20]のflash_enable（アドレス0x100）の値を0x0008に変更しましたが、変化はありませんでした。 私の質問： send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00); の目的は何ですか？ INJ1とINJ2は同じ波形なのに、INJ1とINJ3は異なる波形を示すのはなぜですか？ INJ3をINJ1と一致させるには、どのコードを追加または変更する必要がありますか？ 何かアドバイスをいただければ大変ありがたいです！ よろしくお願いいたします。 D1ego PT2000 FRDMPKPT2000EVM Re: INJ1 and INJ3 waveforms differ on FRDMPKPT2000EVM – how to make them consistent? こんにちは、D1egoさん。 コマンド send_single_PT2000_SPI_Cmd(WRITE, ch1_ctrl_reg_uc0, 0x00) マイクロコアの動作（有効化／リセット／オーバーライド）のみを制御します。 インジェクター電流の波形を定義していないため、目に見える変化は期待されません。 PT2000では、インジェクタ出力はバンクにまとめられたマイクロコアによって制御されており(コード/データRAMは別々です) →銀行によって異なる現在のプロファイルを運用できます。AN5186を参照してください。 サンプルプロジェクトでは： INJ1とINJ2は同じバンク/マイクロコードを共有しているため、波形が同一になります。 INJ3は別のバンクに割り当てられています → 波形が異なります したがって、この動作は想定内のものであり、故障によるものではありません。 INJ3をINJ1と一致させるには： INJ3がINJ1と同じ構成とマイクロコードを使用していることを確認してください。 対応するデータRAM構成（PT2000_chX_config[]）をコピーします。 その銀行に対して同じマイクロコードがロードされていることを確認してください。 敬具、 ヨゼフ

S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送 S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送，使用Lpuart_Uart_Ip_AsyncSend函数进行发送， Re: S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送 Hi@Finnc 分享你的工程，我帮你检查下。 告知我你所使用的硬件，如果不是官方的EVB，告知我你的外部晶振频率是多少。 Re: S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送 软件版本 S32DS 3.6.0  RTD 6.0.0，外部晶振20Mhz Finnc_1-1782090062838.png Re: S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送 Hi@Finnc 我检查你提供的工程并且也测试了，我这里工作是正常的。

IW610 - WLAN Activity Indicator Just a quick question, is there any GPIO pin/functionality which could be "misused" as WLAN activity indicator (blinking/toggling with WLAN traffic) to power a LED? There is no dedicated function for this as far as I could see and the idea to use the HOST WAKE UP functionality for it doesnt work, because it is only enabled when the host really is asleep. Re: IW610 - WLAN Activity Indicator Thank you, that is what I got from the documentation too, but wanted to ask if I had overlooked something. Falsely I believed the HOST WAKE UP could be misused because it can generate events for incoming data. But that GPIO signal is only available if the Host is actually asleep, so it's not usable either. Re: IW610 - WLAN Activity Indicator Hello, Hope you are doing well. There is no GPIO or alternate pin function intended to indicate general WLAN traffic/activity. The available GPIO functions are standard interfaces, coexistence signals, reset, and wake/interrupt signaling. The practical implementation would need to come from the host side (for example, software-driven LED control based on driver/network activity). Best Regards, Ricardo

i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch Hello NXP Community, While going though some technical questions, we came across a MUX Mode mismatch between the current version of i.MX 93 Reference Manual and its older version. The CPU pad in question is PDM_STREAM0 (pin J17) for which the current Reference manual (Rev. 7, 2026-02-10) describes MUX Mode option 6 as CAN1_TX: voipacHW_0-1781789044248.png While the older version of reference manual (2023) as well as the current Config Tools for i.MX (v 26.03) shows CAN1_RX function instead: voipacHW_3-1781789377931.png voipacHW_2-1781789238035.png Would you be able to clarify this mismatch? Thank you, Martin Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch Hi @voipacHW, After reviewing the changes in the document, I did not find any comments associated with the modification on that page. At this point, it appears to be a typographical error. I am currently waiting for confirmation from the internal team, but based on the available information, it is likely just a typo. Best regards, Chavira Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch Hi @Chavira, Thank you for your reply. Yes, please let us know when you will get the confirmation from your colleagues. If the typo is confirmed, I'd suggest fixing it in the current Reference Manual. Thank you, Martin Re: i.MX 93 CAN1 Muxing Documentation Mismatch Hi @voipacHW, The internal team has confirmed that this is indeed a typo. Thank you for bringing it to our attention and for your observations. We appreciate your feedback, and the issue will be corrected in the next revision of the Reference Manual. Best regards, Chavira

S32K388 FXOSC GM_SEL recommended values for 8/16/20/40 MHz crystals Hi NXP community, I am working on an S32K388 project and configuring the FXOSC (Fast Crystal Oscillator). I can see in the reference manual that GM_SEL selects the transconductance of the FXOSC amplifier, but I could not find a clear recommendation table mapping crystal frequency to GM_SEL value. Current configuration: Crystal: 16 MHz passive crystal GM_SEL = 12 (0xC, ~0.7016x) EOCV = 157 OSC_BYP = 0 (crystal mode) COMP_EN = 1 This works fine for 16 MHz. My question: I would like to support multiple crystal options: 8 MHz, 16 MHz, 20 MHz, and 40 MHz. Could anyone share the recommended GM_SEL values for each frequency? Or point me to an NXP application note or table that provides this guidance? Specifically: Is there a recommended GM_SEL value for each standard FXOSC frequency (8/16/20/40 MHz)? For a 20 MHz crystal, should GM_SEL be increased from 12 to 15 (maximum) for reliable oscillation? Does GM_SEL selection depend mainly on crystal frequency, ESR, load capacitance, or all of them? Any guidance or reference would be greatly appreciated. Best regards Re: S32K388 FXOSC GM_SEL recommended values for 8/16/20/40 MHz crystals Hi @xlele  In section 3.2 of the Hardware Design Guidelines for S32K3xx Microcontrollers, Rev. E2, included in the S32K3 MCUs for General Purpose Hardware Design Package, it is mentioned that “the crystal oscillator circuit provides a very safe and stable oscillation when GM > 5 × gmcrit”, and it also defines how gmcrit is calculated. Additionally, in section 11.4 of the S32K3xx Data Sheet, Rev. 14, for ALC disabled mode, a generic recommended setting of GM = 4'b0010 is provided. By last, if for example, according to the crystal specification a transconductance of G = 12 mA/V is required to determine the CTRL[GM_SEL] value: 12 mA = 18.5 mA × N N = 12 mA / 18.5 mA = 0.6486 The closest value supported by the register settings corresponds to CTRL[GM_SEL] = 1010b → 0.6681× BR, VaneB

S32K388 ADC VREH Hello, I am using the S32K388 for my application. I would like to use the ADC of the chip to measure analog voltages. I supply the VDD_HV_A and VDD_HV_B with 3.3V, and usually I use a 2.5V high precision voltage reference for the reference voltage of ADC (when I use dedicated ADCs ICs). If possible I would like to still use the same voltage reference. When looking at the datasheet for the S32K388, I see that the VREFH needs to be between 2.97V and 5.5V (p20) and always VREFH <= VDD_HV_A. JulesW_0-1781795384342.png I also see that accuracy figures given on table 38 are valid for   VDD_HV_A - 1.5V >= VREHF >= VDD_HV_A + 0.1V  JulesW_1-1781795636960.png Do you confirm that I cannot use the 2.5V reference voltage for this purpose and that I need to find a reference of at least 3.0V for my application? Or with VREFH = 2.5V and VDD_HV = 3.3V I will be fine? Best regards, Jules Re: S32K388 ADC VREH Hi, that would be out of specification, as VREFH is limited to a minimum of 2.97 V according to the datasheet. As you wrote you need to find a reference of at least that specified minimum. Seems Note [5] in the datasheet will be valid for VDD_HV_A = 5V. BR, Petr Re: S32K388 ADC VREH VREFH ADC high reference voltage [1][6]    Min2.97    Typical3.3 or 5.0  Max5.5V VREFL  ADC low reference voltage [1]             -0.1               0                        0.1V If you put 2.5V for VREFH ADC high reference voltage, that mean the value is out of spec between 2.97V and 5.5V. The ADC function will fail

IW610 - WLAN 活动指示器 请问一下，是否有任何 GPIO 引脚/功能可以被“误用”为 WLAN 活动指示器（随 WLAN 流量闪烁/切换）来为 LED 供电？ 据我所见，没有专用的功能来实现这一点，而且使用主机唤醒功能的想法也行不通，因为它只有在主机真正处于睡眠状态时才会启用。 Re: IW610 - WLAN Activity Indicator 谢谢，我从文档中也看到了同样的内容，但我想问一下我是否遗漏了什么。 我错误地认为 HOST WAKE UP 可能会被滥用，因为它能够为传入的数据生成事件。但是，只有当主机处于睡眠状态时，该 GPIO 信号才可用，因此也无法使用。 Re: IW610 - WLAN Activity Indicator 你好， 希望你一切都好。没有 GPIO 或备用引脚功能用于指示一般的 WLAN 流量/活动。可用的 GPIO 功能包括标准接口、共存信号、RESET 和唤醒/中断信号。 实际实现需要来自主机端（例如，基于驱动器/网络活动的软件驱动的 LED 控制）。 顺祝商祺！ 里卡多

S32K388 FXOSC GM_SEL 8/16/20/40 MHz水晶発振器の推奨値 こんにちは、NXPコミュニティの皆さん、 私はS32K388プロジェクトに取り組んでおり、FXOSC（高速水晶発振器）の設定を行っています。リファレンスマニュアルにはFXOSCアンプのトランスコンダクタンスを選択するGM_SELが見られますが、クリスタル周波数をGM_SEL値にマッピングした明確な推奨表は見つかりませんでした。 現在の構成: 水晶発振子：16MHz受動水晶発振子 GM_SEL = 12 (0xC、~0.7016x) EOCV = 157 OSC_BYP = 0 (水晶発振モード) COMP_EN = 1 これは16MHzでは問題なく動作します。 質問です:複数のクリスタルオプションをサポートしたいです:8MHz、16MHz、20MHz、40MHzです。 どなたか、各周波数の推奨GM_SEL値を教えてもらえますか?あるいは、この指針を提供するNXPのアプリケーションノートや表を教えてもらえますか? 具体的には： 各標準FXOSC周波数（8/16/20/40MHz）ごとに推奨されるGM_SEL値はありますか？ 20MHzの水晶発振器の場合、安定した発振を得るためには、GM_SELを12から15（最大値）に増やすべきでしょうか？ GM_SEL選択は主に結晶周波数、ESR、静電容量、それともすべてに依存しますか? 何かご助言や参考資料をいただければ大変ありがたいです。 よろしくお願いいたします。 Re: S32K388 FXOSC GM_SEL recommended values for 8/16/20/40 MHz crystals こんにちは、 @xlele S32K3 MCUの汎用ハードウェア設計パッケージに含まれるS32K3xxマイクロコントローラのハードウェア設計ガイドラインRev. E2のセクション3.2には、「クリスタル発振回路はGMが5× gmcrit>時に非常に安全かつ安定した発振を提供する」と記されており、GMがGM計算方法も定義しています。 さらに、S32K3xxデータシート、Rev.14のセクション11.4では、ALC無効モードの場合、GM = 4'b0010という一般的な推奨設定が提供されています。 最後に、例えば、結晶の仕様によれば、CTRL[GM_SEL]値を決定するためにG = 12 mA/Vの相互コンダクタンスが必要な場合： 12 mA = 18.5 mA × N N = 12 mA / 18.5 mA = 0.6486 レジスタ設定でサポートされている最も近い値は、CTRL[GM_SEL] = 1010b → 0.6681× に対応します。 BR、VaneB

When configuring the S32K311 chip's UART, even with simple transmit functions, the control board needs to be powered off and then powered on again each time for it to transmit correctly. When configuring the S32K311 chip's UART, the simple send function requires power cycling through the control board each time it needs to send data correctly. Using the Lpuart_Uart_Ip_AsyncSend function for sending data is preferable. Re: S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送 Hi@ Finnc Share your project details, and I'll check it for you. Please tell me the hardware you are using. If it is not an official EVB, please tell me the frequency of your external crystal oscillator. Re: S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送 Hi@ Finnc I checked the project you provided and tested it; it works fine on my end. Re: S32K311芯片 在配置uart时，简单的发送函数，每次都需要给控制板断电重新上电才能正常发送 Software version S32DS 3.6.0 RTD 6.0.0, external crystal oscillator 20MHz Finnc_1-1782090062838.png