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S32K388 FXOSC GM_SEL 推荐值（适用于 8/16/20/40 MHz 晶体）

NXP社区的各位好，

我正在做一个 S32K388 项目，并配置 FXOSC（快速晶振（晶体振荡器））。我在参考手册中看到 GM_SEL 用于选择 FXOSC 放大器的跨导，但我找不到将晶体频率与 GM_SEL 值对应起来的清晰推荐表。

当前配置：

晶体：16 MHz 无源晶体
GM_SEL = 12 (0xC，~0.7016x)
EOCV = 157
OSC_BYP = 0（晶体模式）
COMP_EN = 1
对于 16 MHz 的频率，这种方法效果很好。

我的问题：我希望支持多种晶体选项：8 MHz、16 MHz、20 MHz 和 40 MHz。

请问谁能分享一下各个频率的推荐GM_SEL值？或者能否提供一份 NXP 应用笔记或表格，其中提供了这方面的指导？

具体来说：

对于每个标准 FXOSC 频率（8/16/20/40 MHz），是否有推荐的 GM_SEL 值？
对于 20 MHz 晶体，为了获得可靠的振荡，GM_SEL 是否应该从 12 增加到 15（最大值）？
GM_SEL 的选择主要取决于晶体频率、ESR、负载电容，还是所有这些因素？
任何指导或参考资料都将不胜感激。

顺祝商祺！

Re: S32K388 FXOSC GM_SEL recommended values for 8/16/20/40 MHz crystals

嗨@xlele

在《S32K3 MCU 通用硬件设计包》中包含的《S32K3xx 微控制器硬件设计指南》修订版 E2 的 3.2 节中提到，“当 GM > 5 × gmcrit 时，晶振（晶体振荡器）电路可提供非常安全稳定的振荡”，并且还定义了 gmcrit 的计算方法。

此外，在 S32K3xx 数据手册第 14 版的 11.4 节中，针对 ALC 禁用模式，提供了 GM = 4'b0010 的通用推荐设置。

最后，例如，如果根据晶体规格，需要跨导 G = 12 mA/V 来确定 CTRL[GM_SEL] 值：
12 mA = 18.5 mA × N
N = 12 mA / 18.5 mA = 0.6486
寄存器设置支持的最近值对应于 CTRL[GM_SEL] = 1010b → 0.6681×

BR，VaneB