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はい

MPC5746C 闪存写入解释

你好

我正在使用 MPC5746C 控制器，我注意到无法擦除小于 16KB 的数据块（请参阅此帖子：MPC5746 擦除和写入查询 - NXP Community）。

但 MCU 只能写入小于 16 KB 的数据块，而且只有在扇区已被擦除的情况下才能写入。就我而言，我写的是 4KB 的连续块，两次编程之间可能相隔几分钟、几小时或几天。

我想通过引用 MCU 参考手册或任何恩智浦文档的某些部分，向我的同事解释 MCU 的哪些功能可以实现这种行为。

我在参考手册（MPC5746C 参考手册，修订版 6.1，2019 年 1 月）中找到了这段摘录：" 读取嵌入式闪存会返回一页 256 位的数据，这些数据可能会缓冲在闪存控制器的迷你缓存
中。闪存编程可按双字（64 位）、页（256 位）或四页（1024 位）
。
逐块擦除闪存。"

从这段摘录中，我是否可以得出这样的结论：如果一个 16 KB 的数据块被擦除，我是否可以以每双字、每页或每四页的方式写入该数据块，直至其最后一个地址？只要我不试图对已编程的地址进行编程。

我没找到哪里说过要先擦除闪存才能编程。这是因为 NXP 决定不描述闪存的固有特性吗？

Re: MPC5746C Flash Write explanation

从这段摘录中，我是否可以得出这样的结论：如果一个 16 KB 的数据块被擦除，我是否可以以每双字、每页或每四页的方式写入该数据块，直至其最后一个地址？

- 是的，你说得对。

我没找到哪里说过要先擦除闪存才能编程。这是因为 NXP 决定不描述闪存的固有特性吗？

- 这是所有闪存的基本原理。如果在编程前没有擦除，则称为过度编程，在某些情况下也会使用这种方法（EEPROM 仿真）。