下一代非易失性存储器， MRAM
随着制程技术的不断进步，将传统闪存集成到28纳米及以下世代的微控制器中变得越来越困难。因此，许多公司正在考虑用非易失性存储器（NVM）来替代闪存，用于其下一代微控制器。其中一种替代方案是磁阻随机存取存储器（ MRAM ），这是一种利用磁性来存储数据的下一代非易失性存储器。
恩智浦半导体和台积电将携手推出业界首款采用16nm FinFET工艺的汽车嵌入式MRAM 。
https://www.nxp.jp/company/about-nxp/newsroom/NW-NXP-AND-TSMC-DELIVER-FIRST16NM-FINFET-MRAM
恩智浦半导体将在其最近发布的S32K5系列汽车微控制器中采用MRAM。
https://www.nxp.jp/products/S32K5
以下是MRAM与现有闪存相比的一些一般特性：
|
特征 |
MRAM |
闪存 |
|
重写速度 |
高速 |
晚的 |
|
重写电阻 |
非常高 |
有限的 |
|
数据保留期限 |
几十年 |
几年到十年 |
|
即时的 |
高（接近DRAM） |
低（带写入延迟） |
・MRAM极快的写入速度不仅在产品开发过程中非常便捷，还能显著缩短大规模生产线上的程序写入时间，从而降低生产成本。我们相信，这也有助于实现高速处理，并在执行FOTA时降低功耗。
・与闪存不同，MRAM 无需先擦除数据即可覆盖写入，这使得软件开发成为可能。
此外，MRAM 的重写次数远高于闪存，因此无需区分程序和数据记录用途，使用起来更加灵活。在某些情况下，它还可以用作速度稍慢的 SRAM。
概括
-虽然下一代主流汽车系统非易失性存储器的发展在一定程度上取决于未来的市场趋势，但我们相信，由于工艺小型化而实用性提高的 MRAM 无疑是下一代产品的领先候选者。
=========================
我们目前无法回复此帖子“评论”部分的评论。
对于由此造成的不便，我们深表歉意。如有任何疑问，请参阅“ NXP技术问题-如何联系我们（日语博客） ”。
（如果您已经是恩智浦的分销商或与恩智浦有合作关系，您可以直接询问负责人。）
随着制程技术的不断缩小，将传统闪存集成到28纳米及以下世代的微控制器中变得越来越困难，因此许多公司正在考虑用非易失性存储器（NVM）来替代闪存，用于其下一代微控制器。MRAM 就是这样一种非易失性存储器。
本文介绍了MRAM的特性。
（阅读时间：5分钟）