KV30的低功耗唤醒电流

[yaoXin]

  在使用KV30VFM64这款芯片的低功耗模式时，如果使用的低功耗模式为Vlls0，且在进入低功耗模式前，把所有管脚都配置为高阻状态，使用LLWU模块的管脚唤醒，通过配置地址0x040D即FOPT寄存器，使得唤醒后使用LPBOOT模式载入Flash中的程序（复位函数SystemInit()为默认，进入main后程序执行相关唤醒操作），如下图所示：

  我的问题是：这种低功耗模式下的配置是唤醒电流最小的吗，是否还需要其它配置？（实测时唤醒最大有200uA的电流，希望降低到10uA以内）

[jingpan]

Hi @yaoXin ,

你可以参照一下datasheet的table 5. VLPR模式下最低功耗也要0.63mA。我觉得要降到10uA是不可能的，这时候flash和CPU/RAM都要消耗电流的。

Regards,

Jing

[yaoXin]

    看Table5中的Idd电流，只有在Vllsx低功耗模式下保持电流才能小于10uA，但它在唤醒后必定会复位并通过LPBOOT而进入VLPR模式，那么唤醒电流无法减小。

  看用户手册，这款芯片还支持进入LLSx模式，它能保持SRAM中的数据，并且唤醒后也不会复位，而是进入睡眠前的模式。如果睡眠前是VLPR模式，睡眠后是LLs3模式，唤醒后再进入VLPR模式，这种情况下由于省去了Flash载入，是不是功耗会更低？Table5中并没有LLsx模式的工作电流，能帮查下这种低功耗模式下LLs3/2/1/0的工作电流吗？

[jingpan]

Hi,

都是VLPR模式跑，不会有什么变化的。启动是一刹那的事，不会有影响。只有LLS2和LLS3模式。它们的功耗在表格里有。没有LLS1/LLS0.

Regards，

Jing

[yaoXin]

1.都是VLPR模式跑，不会有变化。是指LLS3模式唤醒和VLLS0模式唤醒，唤醒电流都一样是吗，不用考虑唤醒时Flash载入程序的差异导致的功耗？

2.表格是指数据手册中的table5吗，我在官网上下载2020年的数据手册，table5中没有发现LLS3/2的工作电流描述。

[jingpan]

Hi,

It seems KV30 datasheet hasn't this data. You can refer to KV31 datasheet.

Regards,

Jing

[yaoXin]

  是的，KV31数据手册中有描述，不过我的问题还是没有解释清楚，我关注的的是：唤醒瞬间，到MCU稳定工作的唤醒电流。

   从手册的描述上看，睡眠是VLLSx模式时，唤醒瞬间走LPBOOT或正常BOOT，会由于Flash代码载入速度不同，有不同的唤醒电流，我实测也是如此。如果低功耗模式是LLS3/2模式，唤醒瞬间会直接跳转到：进入低功耗代码处执行，省去了Flash载入程序过程，那么在唤醒后都是VLPR模式的情况下，是不是LLS3/2比VLLSx模式唤醒电流更低。（数据手册中没有唤醒电流相关的描述）

[jingpan]

Hi,

没有唤醒瞬间电流的数据。瞬间的电流大小没有太大意义，而且也很难测量。你可以在vdd上加大一些的电容来平滑一下。LLS的功耗要比VLLS大，对靠电池供电的长期工作的设备来说，这才更重要吧。

Regards