2407439_zh-CN

Yes

S32K146 SRAM ECC 在 SRAM 读取时自动纠错？

我使用的是S32K146。冷启动时，我将 32 位值 0 写入所有 SRAM（以初始化相关的伴随式位）。

我一直认为，如果我读取一个 SRAM 位置，而 ECC 检测到单个比特损坏，那么 ECC 系统会将更正后的值返回给 MCU，并通过写回 SRAM 位置来更正该 SRAM 位置。另一位同事则认为情况并非如此，他表示：“更正后的值会传递给 MCU，但翻转后的位会保留在 SRAM 中，直到被重新写入。”

谁的说法正确？如果是对方，那么我应该从哪里获取更正后的值，然后将其写回SRAM？这是否需要使用ERM单比特错误中断？我可以看到 EARn 寄存器指示了错误的 SRAM 地址，但没有看到 EDRn (?) 寄存器具有正确的值。

总之，我只需要知道如果检测到单比特错误，如何纠正 SRAM 位置。我希望它能通过读取位置信息自动完成。如果真是这样，我就可以有效地忽略单比特纠错，就好像它们从未存在过一样，只出于好奇才使用中断来统计纠错的总数。这也意味着我可以执行“分片读取 SRAM 中的所有数据”作为 CBIT 活动的一部分，从而在发生第二次损坏并可能导致双位不可恢复错误之前，自动快速修复任何单比特错误。

我注意到 S32K1xx 参考手册第 32 节“PRAMC”提到了自动校正 SRAM，但 S32K146 上没有 PRAMC。我注意到第 35.1.3.1 节还提到单比特 ECC 错误会自动纠正，但这指的是 NVM，而不是 SRAM。我在 S32K14x 的参考手册中没有找到任何明确的说明，即读取 SRAM 位置时如果出现单比特错误，将把更正后的值返回给 MCU，并将更正后的值写回 SRAM 位置。是否有这样的参考手册章节？

我注意到 AN12522 rev 0 第 2.3 节提到了检测和反应时间。我拍摄这张照片是为了指示发生的单比特故障（闪电箭头），但该故障要过一段时间才能被检测到（故障检测时间，在第一次读取该位置时），然后才能被纠正（故障反应时间）。目前还不清楚该反应（校正）是否对 MCU “无形地”发生，即自动修复 SRAM 位置（写入）并将修复后的值返回给 MCU（通过数据总线）。

谢谢！

达伦