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NXP S32M276CHABMKHSR 構造に関する質問

NXPの技術者さん、こんにちは。

こちらはMelecs Wuxiのテッドです。お会いできて嬉しいです。

S32M276 ICの構造について質問があります。(お願いします。添付ファイル（回路図 - S32M276）を参照してください。

設計はデータシートの推奨通りに行い、9ピンVDD_AE10、12ピン、25ピン、37ピンVDD_HV_Aをビーズで接続しました。私の理解では、9ピンVDD_AE10 P5V出力電圧は内部レギュレーターで生成され、その後VDD_HV_AピンのMCUダイに供給されます。

しかしL300を外したところ、その後PCBAは通常通り動作できました。

そこで質問ですが、VDD_AE10ピンとVDD_HV_Aピンは内部で接続されているのでしょうか?そうでなければ、L300システムを取り外した後もシステムが動作し続けることになり、それは理にかなっていません。

Re: NXP S32M276CHABMKHSR Structure question

こんにちは、テッドさん。

L300を取り外した場合、VDD_HV_Aで測定される電圧はいくつになりますか？

MCU側の電源領域VDD_HV_Aは、すべてのGPIOがVDD_HV_Aにクランプされているため、MCU側とAE側で共有されるGPIOを通じて電力供給されている可能性が高いです。言い換えれば、VDD_HV_Aはどのピンにも電圧がVDD_HV_Aより高ければ電源を供給できます。したがって、VDD_HV_A = VDD_AE10 - Vf と測定するべきであり、VDD_HV_A = VDD_AE10 と測定するべきではありません。

ありがとうございました。

BR、ダニエル

Re: NXP S32M276CHABMKHSR Structure question

こんにちは、ダニエルさん。

ご返信ありがとうございます。

つまり、VDD_AE10とVDD_HV_Aは内部的に繋がっているということですか?

そして私はこの文の意味が理解できませんでした

[そして、VDD_AE10を測ってください。- VDD_HV_Aで心室計を測定してください。- これは装置を傷つける可能性があります。]

もう少し説明していただけますか?

Re: NXP S32M276CHABMKHSR Structure question

こんにちは、テッドさん。

AEダイはVDD_AE10を生成します。
AE側では、VDD_AE10はAEポートの電源であり、すべてのポートはVDD_AE10にクランプされます。
MCU側では、VDD_HV_AはMCUポートの電源で、すべてのポートはVDD_HV_Aにクランプされています。
これら2つの金型は相互に接続されている。

もし任意のMCUポートの入力電圧がクランプのVDD_HV_A + Vfより高ければ、VDD_HV_A領域は注入された電流によって電力供給されます。そしてVDD_AE10を測定してください。VDD_HV_AのVfを測ってください。これはデバイスを傷める可能性があります。

よろしくお願いいたします。
ダニエル

Re: NXP S32M276CHABMKHSR Structure question

こんにちは、ダニエルさん。

ご返信ありがとうございます。

L300を取り外した状態で、VDD_HV_Aの電圧を測定したところ4.98V、VDD_AE10の電圧を5.02Vと測定しました。

ですから、VDD_HV_AとVDD_AE10は内面的に繋がっていると言ってもいいでしょうか。

そして、それらを接続して低インピーダンスにする必要があります。