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KE18F512VLH16 ECC RAM 单比特纠错

我有一个与@sean_dvorscak前几天的帖子（ KE1 ECC RAM 单比特纠错）相关的后续问题。

@Celeste_Liu回复道：
如果要实现可选的清理功能，请根据实际访问大小或清理粒度来对齐访问，而不是盲目地依赖原始的 MCM_LMFAR 值。此外，除非您已正确对齐地址并确认访问大小有效，否则请勿使用固定的 4 字节访问。

MCM_LMFATR[PEFSIZE] 能否用于确定访问大小？如果可以，能否将其与 MCM_LMFAR 结合使用，以实现读取-正确-写回操作？例如，如果 MCM_LMFATR[PEFSIZE] 为 3'b000，表示 8 位访问，我能否从 MCM_LMFAR 指示的地址执行 8 位读取，然后对同一地址执行 8 位写入以纠正错误？同样地，如果 MCM_LMFATR[PEFSIZE] 为 3'b010，表示 32 位访问，我是否可以对 MCM_LMFAR 指示的地址执行 32 位写入，而无需担心对齐问题？

Re: KE18F512VLH16 ECC RAM Single Bit Correction

你好@rseigle77 ，

我已看过你的帖子。我需要一些时间来调查这个问题，一旦有更多信息，我会尽快回复您。

BR

塞莱斯特

Re: KE18F512VLH16 ECC RAM Single Bit Correction

嗨@Celeste_Liu - P7 是最终应用程序的名称。

Re: KE18F512VLH16 ECC RAM Single Bit Correction

你好@rseigle77 ，

关于您的问题，我需要将其上报给内部团队进行进一步调查。根据我们的流程，请提供最终应用程序名称。

谢谢您的合作。

BR

塞莱斯特

Re: KE18F512VLH16 ECC RAM Single Bit Correction

@Celeste_Liu你好，请问这件事有任何进展吗？

Re: KE18F512VLH16 ECC RAM Single Bit Correction

你好@rseigle77 ，

抱歉，我还没有收到内部回复。

我会再次跟进此事，并将其作为我的首要任务。一旦收到回复，我会立即通知你。

BR

塞莱斯特

Re: KE18F512VLH16 ECC RAM Single Bit Correction

感谢@Celeste_Liu的回复，但这并没有回答我关于MCM_LMFATR[PEFSIZE] 的问题：

“ MCM_LMFATR[PEFSIZE] 能否用于确定访问大小？如果可以，能否将其与 MCM_LMFAR 结合使用，实现读取-纠错-写回操作？例如，如果 MCM_LMFATR[PEFSIZE] 为 3'b000，表示 8 位访问，我能否先从 MCM_LMFAR 指示的地址读取 8 位数据，然后再向同一地址写入 8 位数据以纠正错误？类似地，如果 MCM_LMFATR[PEFSIZE] 为 3'b010，表示 32 位访问，我能否直接向 MCM_LMFAR 指示的地址写入 32 位数据而无需考虑对齐问题？”

Re: KE18F512VLH16 ECC RAM Single Bit Correction

你好@rseigle77 ，

感谢您的耐心等待。我收到了内部回复。

ECC“纠错”是指将纠正后的数据返回给CPU，而不是修复存储在SRAM中的底层位。自动修复需要单独的擦除/回写机制。

使用软件清理的推荐流程：

ECC在读取时纠正数据。
引发单比特错误中断/状态。请参阅 RM 6.3.1.1确定中断源。MCM_LMPECR [ER1BR] =1
软件读取故障地址。MCM_LMPEIR [PEELOC] = 5'h08 - 来自 SRAM_L 的 1 位可纠正 ECC 事件，MCM_LMFAR 指示故障地址。
软件会将更正后的值写回原地址。
生成并存储新的 ECC 综合征。

BR

塞莱斯特