大家好：
我在我的项目（S32K144）中调用 SDK flash init API，然后调用 Flash erase 和 Flash write。然后我发现 Flash 中的一些数据变成了 0xFF。然后我尝试在 Flash 初始化和 Flash 擦除/写入之间添加延迟，然后数据就正常了。然后我尝试检查 while (!(FTFC->FSTAT & FTFC_FSTAT_CCIF_MASK)); 而不是使用延迟函数。但它还是失败了。所以，我想知道是否需要延迟一段时间，等待闪存模块在硬件层完成初始化。
BR
洛基
嗨@Loky ，
你使用的是哪个驱动程序版本？
不建议使用旧版 SDK 驱动程序；应改用 RTD 驱动程序。
Flash_Init 函数不会修改闪存内容。
擦除和写入功能已经在内部轮询 CCIF 标志，因此无需在应用程序代码中轮询它。
您观察到的现象可能与缓存或闪存预取缓冲区有关。请尝试禁用它们（PCCCR、OCMDR0），并检查问题是否仍然存在。
此致，
丹尼尔
嗨，丹尼尔：
这是我们目前使用的SDK Flash驱动程序版本。我的同事告诉我，S32K144 只有 SDK Flash 驱动程序，没有 RTD 驱动程序。能否简要解释一下SDK驱动程序出了什么问题？如果您有S32K144 RTD驱动程序，能否分享给我？
我尝试了您提到的方法（禁用缓存），但没有成功。
当上电复位或低压检测RESET时，我会将一些信息记录到闪存中，并且同一扇区中还有一些其他数据。我将读取所有行业数据，更新信息并重写该行业相关内容。但我有一些新的发现。我发现读取闪存之前数据就已经是 0xFF 了。如果在执行擦除或写入指令时闪存意外断电，再次上电后，该扇区中的数据是否会变为 0xFF？我会继续调查这个问题，也许是我的软件出现了漏洞。
BR
洛基
嗨@Loky ，
该SDK是过时的软件。NXP 现在提供 RTD 驱动程序，其中也包括 Flash 驱动程序，包括 MCAL 层和与传统 SDK 等效的底层 IP 层。
您可以点击此处下载RTD软件包：
https://www.nxp.com/webapp/swlicensing/sso/downloadSoftware.sp?catid=SW32K1-RTD44-D
请确保您使用的是 RTD 发行说明中指定的兼容版本的 S32 Design Studio。
你是否也禁用了预取缓冲区？
OCMDR0 – 程序闪存预取缓冲区
OCMDR1 – 数据闪存预取缓冲区
如果在擦除或编程操作进行期间闪存意外断电，NXP 无法保证数据完整性。受影响的闪存内容将变为未定义状态，并且可能包含 ECC 错误。
考虑使用模拟 EEPROM 功能。
它是为此目的而优化的。
请参阅 AN11983 – 使用 S32K1xx EEPROM 功能
https://www.nxp.com/docs/en/application-note/AN11983.pdf
第五章 S32K1xx 电压骤降检测
第六章 S32K1xx 新快速写入模式
此致，
丹尼尔
嗨，丹尼尔：
谢谢你寄来的RTD包裹，我明天会查看。
我还没试过禁用预取缓冲区。你是说在擦除并写入闪存之前，我应该同时禁用缓存和预取吗？我也会试试。
是的，我今天确实遇到了一个无法纠正的 ECC 错误，它触发了硬故障。除了在设备通电后再次擦除该扇区之外，还有其他方法可以解决这个 ECC 问题吗？我认为这种方法不适用于我目前的软件设计。
谢谢你的建议。我将与同事们讨论模拟EEPROM。
BR
洛基
嗨，丹尼尔：
我很高兴地告诉大家，我们已经找到了根本原因，因为在断电期间 VCC-5v 不稳定，MCU 在低电压下反复 RESET，导致软件在初始化期间擦除闪存，但无法写入闪存。
BR
洛基