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RT1160（外部SDRAMおよびウェイトピン付きSRAM搭載）

私はRT1160を外部16ビットSDRAMと16ビットSRAM（FPGA通信用）と組み合わせて使用しています。SRAMインターフェースは、待機ピン付きのSRAM読み書き操作(SRAM)として非同期モードとして構成されます。待機信号がSDRAMのリフレッシュタイミングと競合して何らかの問題を引き起こすのではないかと考えています。SDRAMにコードを書き込んで、SRAM ASYNC書き込み時にwaitピンを約10ms以上ローレベルに保つようにテストしましたが、時々約1msで終了してしまうことがあり、その理由はわかりません。

SDRAMとSRAMの両方を使う場合に制限があるのでしょうか?ご協力いただきありがとうございます。

Re: RT1160 with external SDRAM and SRAM with wait pin

こんにちは

約1ミリ秒で終了するとおっしゃっていますが、具体的に何を指しているのでしょうか？SRAMへの書き込みはエラーを返すのか、それともハードフォルトに入るのか？これはどのくらいの頻度で起こりますか？

以下のテストを手伝ってもらえますか?

1. 内部メモリ（SDRAMではない）からコードを実行し、長時間かかる非同期SRAM書き込みを繰り返します。

2. 内部メモリからコードを実行したまま、同じテストを再度実行しますが、今回はSDRAMを有効にした状態でアイドル状態にします。

3. 最初に述べたとおりにテストを実行しますが、SRAM待機信号をアクティブに保持します。

さらに、上記の検査を含めて、以下の点を確認してもらえますか?

転送中にSRAM信号を監視できますか?

各テストのSTEMCイントラレジスタ値を教えてもらえますか?

結果を教えてください。

よろしくお願いします、
パブロ