主题:有关 S32K348GHT1MPCST 电源域解耦和布局指南的问题
您好,NXP团队,
我目前正在使用S32K348GHT1MPCST(172 HDQFP-EP)设计 PCB,并在查看《硬件设计指南》。如果您能澄清以下有关 V11、V15 和 V25 功率域的问题,我将不胜感激。
根据解耦电容引脚排列图,四个 V11 引脚连接到同一 V11 网络。
该指南为 COUT_V11 指定了 2.2 µF 的电容。
图表显示
请您澄清一下:
对于不使用外部 NPN 镇流器晶体管和 VRC_CTRL 功能的设计:
你有 S32K348GHT1MPCST (172 HDQFP-EP) 的电源和去耦网络的参考原理图或 PCB 布局示例吗?
感谢您的支持。
致以最诚挚的问候,
Jay
根据解耦电容引脚排列图,四个 V11 引脚连接到同一 V11 网络。
对于 S32K3,所有 V11 引脚都应使用所需的本地电容连接在一个公共 PCB 网络上,但现有文档没有指定数字最大走线长度,也没有明确要求专用的 V11 平面。
该指南为 COUT_V11 指定了 2.2 µF 的电容。
对于 S32K3,优先将每引脚 V11 去耦电容放置在最靠近各自的 V11 引脚的位置,并将 COUT_V11 作为本地散装/旁路电容置于普通短路 V11 网络上,但我无法证实 COUT_V11 必须处于物理中心位置的任何要求
图表显示
请您澄清一下:
这是推荐的参考设计。为每个V11/V15使用一个CDEC电容应该不是问题,也不会有任何明显的缺陷或改进。
4.对于不使用外部 NPN 镇流器晶体管和 VRC_CTRL 功能的设计:
这不是强制性的;
这是可以接受的。
你有 S32K348GHT1MPCST (172 HDQFP-EP) 的电源和去耦网络的参考原理图或 PCB 布局示例吗?
唯一相关的设计是 S32K3X8EVB-Q289,尽管不是 172 封装,但仍具有参考价值。
你好@jay1127
这是不允许的,因为它超出了设计规范。
你好@jay1127
这不是强制性的。
VDD_HV_A 和 VDD_HV_B 是两个独立的功率域。
可以使用同一电源将 VDD_HV_A 和 VDD_HV_B 连接在一起。
不过,也可以使用不同的电压,例如,VDD_HV_A 使用 5V,VDD_HV_B 使用 3.3V。
如果不向 VDD_HV_B 供电,会有问题吗?
我还有一个问题。
我的理解是,VDD_HV_A 是一个电源输入引脚。设计外部电路/布局时,VDD_HV_A 是否应连接到 VDD_HV_B?
我不完全确定我的理解是否正确,因此希望您能予以澄清。
你好@jay1127
对于 S32K3,我可以验证的记录要求是 “将电容器尽可能靠近相应的电源和接地引脚”,而不是要求它们必须位于封装下方的严格要求。
在 EVB 上,旁路电容放置在非常靠近 MCU 封装的地方(封装下方)。
是否建议将此放置位置作为 S32K3 系列的设计指南?
或者只要旁路电容位于相应的电源引脚附近,将旁路电容放在 PCB 的顶部是否可以接受?