你好
我们目前的配置如下
SoC：恩智浦 i.MX8QX6 (MIMX8QX6AVLFZAC)
LPDDR4：美光 MT53E768M32D2ZW-046 (AIT:C)
Yocto 版本：walnascar-6.12.34-2.1.0
我们正在尝试使用通用更新实用程序刷新 imx-启动-imx8qxp-mek-sd.bin-flash_spl 镜像。
在闪存过程中，工具会卡住，最终报告LIBUSB_ERROR_NO_DEVICE，导致闪存过程无法完成。
已进行故障排除
为了找出问题所在，我们尝试了以下方法：
使用先前版本中的较旧 imx-启动 二进制文件进行了测试：
LF_v6.6.52-2.2.2_images_IMX8QXPC0MEK
LF_v5.15.32-2.0.0_images_IMX8QXPC0MEK
使用了最新版本的 UUU 工具
多次重复闪光过程
然而，行为却没有改变。
可疑原因
在审查了存储器设备规格后，我们的内部调查表明，SoC DDR 控制器配置与实际的 LPDDR4 设备之间可能存在 DDR 地址行配置不匹配。
根据美光数据表，存储设备使用行地址 R [16:0]（17 行）。
不过，根据 SoC 文档，DDR 控制器似乎最多支持16 条行地址线 (R0-R15)。
由于这种差异，我们怀疑 DDR 控制器配置和存储器设备地址方案之间可能存在不匹配。
问题
LPDDR4 配置中的行地址不匹配是否会导致 UUU 刷新过程在早期启动期间因 LIBUSB _ERROR_NO_DEVICE 而停止？
如果这是可能的原因，那么在 i.MX8QX6 上正确配置这个 LPDDR4 设备的 DDR 参数的推荐方法是什么？
配置是否应使用恩智浦提供的DDR工具/RPA工具生成，还是有适用于该特定存储设备的参考配置？
如能提供任何指导或建议，将不胜感激。
谢谢！
你好@Yogesh_
我在我的 imx8qxp 板上进行了测试。没有发生任何问题。我使用以下命令闪存 flash.bin 文件。
uuu -b emmc .\imx-boot-imx8qxpc0mek-sd.bin-flash
回答你的问题
Q1& Q2 : 这不会造成这个问题
问题 3：你应该为动态随机存取存储器(DRAM) 配置正确的参数。然后重新编译新的 flash.bin 文件。但正如你所说你的 动态随机存取存储器\(DRAM\) 行数为 17，但是 imx8qxp 支持的最大行大小为 16。因此，请更换另一个 16 行的动态随机存取存储器(DRAM)。这意味着，为了支持最大 4GB (32Gb) LPDDR4 密度，配置必须为 16 行 2 级
B.R
您能否提出其他解决方案来解决 UUU 工具挂起/卡住的问题？我已经尝试过旧版本和最新版本的UUU工具，但我仍然遇到同样的错误。
感谢您的反馈，
我附上了 Yocto 生成的 imx-启动-imx8qx p-mek-sd.bin-flash_spl 和 flash.bin 图像的日志。flash.bin 是使用 RPA 工具配置的，使用 SCFW 移植套件构建，并且正在成功启动。
你好@Yogesh_
请勿使用以下命令
sudo uuu -v -b emmc_all imx-boot-imx8qxp-mek-sd.bin-flash_spl
使用以下代码：
uuu -b emmc imx-boot-imx8qxp-mek-sd.bin-flash_spl
1.尝试在 Windows 操作系统下运行 uuu 工具
2.分享以下命令的结果：
uuu -lsusb
B.R
你好@Yogesh_
运行以下命令后结果如何？
uuu -lsusb
B.R