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A5M36TG140_偏置序列

我写这封信是想咨询一个与产品有关的问题，我们想澄清一下。

根据数据表（第 7 页），在 "正确的偏置顺序 - 接通 "部分，描述了以下顺序：

GaN TR 偏置设置
LDMOS 偏置设置

不过，我们目前的偏置顺序如下：
LDMOS 偏置设置（80 mA / 40 mA）
GaN 峰值电压设置
应用 50 V 电压，然后设置 GaN 载波偏置
应用射频信号

我们想请教制造商，这种偏压顺序是否会对氮化镓 TR 的可靠性或损坏产生潜在影响。

如蒙确认，将不胜感激。

感谢您的支持。

乔希

Re: A5M36TG140_Biasing Sequence

您好！

建议的偏置序列在明确将氮化镓栅极完全关闭之前施加氮化镓漏极电压。
这种方法可能适用于包含附加硬件保护的系统，但不是 A5M36TG140 数据表中推荐的顺序。
数据表中描述的顺序可确保在施加任何高漏极电压之前完全关闭 GaN 设备。这有助于防止意外的漏极电流，减少电气压力，并保护设备免受长期损坏。

任何与数据手册建议不同的偏置或去偏置顺序都超出了规定的工作条件，必须在系统层面进行仔细审查和验证，因为正确的操作和长期的可靠性是无法保证的。

Re: A5M36TG140_Biasing Sequence

你好

感谢您的支持。

此致，

乔希