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Yes

A5M36TG140_バイアスシーケンス

製品に関するマターについて、明確にしておきたいことがあり、問い合わせをするためにこのメールを書いています。

データシート（7 ページ）の「正しいバイアスシーケンス - ターンオン」セクションには、次のシーケンスが記載されています。

GaN TRバイアス設定
LDMOSバイアス設定

ただし、現在のバイアスシーケンスは次のとおりです。
LDMOSバイアス設定（80 mA / 40 mA）
GaNピーキング電圧設定
50 Vを印加し、GaNキャリアバイアスを設定する
RF信号を適用する

このバイアスシーケンスが GaN TR の信頼性や損傷に何らかの影響を及ぼす可能性があるかどうか、製造元に問い合わせたいと思います。

ご確認いただければ幸いです。

再開まで今しばらくお待ちください。

ジョシュ

Re: A5M36TG140_Biasing Sequence

こんにちは！

提案されたバイアスシーケンスでは、GaN ゲートを明示的に完全にオフにする前に、GaN ドレイン電圧を印加します。
このアプローチは追加のハードウェア保護を含むシステムでは機能する可能性がありますが、A5M36TG140 データシートで推奨されているシーケンスではありません。
データシートに記載されているシーケンスにより、高いドレイン電圧が印加される前に GaN デバイスが完全にオフになることが保証されます。これにより、意図しないドレイン電流を防ぎ、電気的ストレスを軽減し、デバイスを長期的な損傷から保護することができます。

データシートの推奨事項と異なるバイアスまたはデバイアスのシーケンスは、指定された動作条件外であり、正しい動作と長期的な信頼性が保証されないため、システムレベルで慎重に検討および検証する必要があります。

Re: A5M36TG140_Biasing Sequence

こんにちは、

ご支援ありがとうございます。

よろしくお願いいたします。

ジョシュ