我们尝试使用 ISSI IS43LQ32512A-046BLI 2GB RAM。校准后，在配置为 2000MHz 的memcpy SSN armv8_x32 测试中，RAM 出现故障。
如果我将内存配置为 1500MHz，它就能通过所有测试。
有人使用过这种 LPDDR4 内存吗？它与 IMX8M PLUS 兼容吗？
你好@TMpieye
您是否使用 DDR 配置工具运行校准？如果是，.请共享您的配置页面和故障日志文件。
B.R
IS43LQ32512A-046BLI（ISSI 2GB LPDDR4X 同步动态随机存取存储器(SDRAM)）通常与恩智浦 i.MX 8M Plus 处理器兼容，前提是它符合 LPDDR4/LPDDR4X 内存的 JEDEC 标准。但是，你的memcpy SSN armv8_x32测试在2000MHz（但通过了 1500MHz）时失败的问题并不少见，可能源于配置、板设计或校准方面的挑战，而不是根本的不兼容性。
兼容性确认
- i.MX 8M Plus 支持高达 4266 MT/s（2133MHz 时钟）的 LPDDR4/LPDDR4X 内存，IS43LQ32512A-046BLI 工作频率高达 2133MHz（4266 MT/s 数据速率），与恩智浦的规格一致。
- 恩智浦的社区论坛证实，类似的 ISSI LPDDR4X 部件（例如，IS46LQ32512A-046BLA2，这是您的型号的汽车变体）与 i.MX 8M Plus 兼容，前提是它们遵循 JEDEC 规范。只要配置得当，用户都能顺利实施。
导致 2000MHz 频率测试失败的潜在原因
根据恩智浦和嵌入式论坛上的类似报告：
- 定时/配置不匹配：i.MX 8M Plus DDR 控制器需要 RAM 的 SPD/数据表提供精确的时序参数（如 CAS 延迟、tRCD、tRP）。在 2000MHz 时，您的校准可能无法完全优化 ISSI 部件的规格（例如，在更高的速度下，CL=32，RL=14）。将频率降至 1500MHz 可降低压力和通过率，但这表明调谐未达到最佳状态。
- 板设计问题：信号完整性问题，如走线长度不匹配、阻抗错误或功率解耦不足，可能会导致较高速度失效。使用示波器检查 DQ/DQS 线路上是否有反射或噪音。
- 校准限制：i.MX 8M Plus 使用恩智浦的 DDR 工具进行校准。如果您的脚本或设置基于 Micron/Samsung 参考（在 EVK 中很常见），则它们可能与 ISSI 的特征不符。使用 ISSI 专用参数重新运行校准。
- 功率/温度：在 2000MHz 时，较高的电流消耗可能会导致电压下降或过热，从而使 memcpy 测试（强调顺序读/写）失败。
有人使用过这种内存吗？
- 是的，有记录的实施方案：
- 在恩智浦社区话题中，用户已将类似的ISSI LPDDR4X（例如 IS46LQ 系列）集成到用于工业应用的定制i.MX 8M Plus板上，在微调后实现了高达2133MHz的稳定运行。
- 嵌入式Linux/电路板支持包开发人员报告说，在基于Yocto的版本中成功使用了ISSI部件，但通常使用自定义的DDR初始化脚本来处理512M x 32的组织（16Gbit密度）。
解决问题的建议
- 验证数据表对齐：
- 下载ISSI数据表（IS43/46LQ32512A系列），将时序参数与恩智浦的i.MX 8M Plus RM（参考手册，第13.5节DDR控制器）进行比较。
- 内存的主要规格：2133MHz 最大时钟、LVSTL 接口、1G x 16 组织（双通道 x32 总计）。
- 重新运行校准：
- 使用恩智浦的DDR 测试工具或SCFW DDR 配置工具进行 ISSI 特定压力测试。
- 从 1600MHz 开始，逐渐增加到 2000MHz，同时监测眼图。
- 如果使用 U-启动/Linux，请使用正确的时间更新设备树 (.dtb)（例如 mx8mp-ddrc-devfreq.dtsi）。
- 董事会级别的检查：
- 确保 VDDQ = 1.1V、VDD2 = 0.6V，采用干净的解耦（电容靠近引脚）。
- 使用信号完整性模拟器（如 HyperLynx）验证迹线。
- 用更低的温度或更好的冷却方式进行测试，以排除热节流。
- 如果仍然失败
- 通过恩智浦的社区或票务系统联系恩智浦支持人员——提供您的校准日志和电路板原理图。
- 考虑改用美光 MT53E512M32D2NP（恩智浦 EVK 默认值）等经过验证的内存进行比较。
总的来说，内存是兼容的，但你的 2000MHz 故障很可能是设置问题。如果你分享更多细节（例如校准日志或电路板原理图片段），我可以帮助进一步排除故障！
我建议通过消息应用程序联系 +8526583 (7594)；从他那里获得 EOL 文件，然后提出建议。他能帮助你
感谢你的支持
在附件中，我向您发送了配置文件 .xls和测试日志。
使用配置工具 V 13.1 时结果相同。也许我们对 IS43LQ32512A-046BLI 的配置有误？能否提供正确的配置（*.ds 文件）？我们的硬件设计是关于 LPDDR4 接口的评估板的 1:1 副本。
此致
托比亚斯
你好@TMpieye
请使用以下链接下载我们的 DDR 配置工具，然后使用 configure 2GB 动态随机存取存储器(DRAM) 运行 ddr 测试。
B.R
你好@TMpieye
请使用以下设置运行 DDR 测试。
B.R
你好@TMpieye
真奇怪。请分享您的 DDR 配置工具 v25.12 故障日志
B.R
你好@TMpieye
您使用我们的 DDR 配置工具进行压力测试了吗？从你的日志文件来看，配置工具的输出结果似乎与之不符。同时使用最新的工具版本 v25.12。
B.R
这是 Stresstest 的日志。我们的 4GB ISSI IS43LQ32K01S2A-046BLI 也遇到了同样的问题。
我们使用 Mscale DDR 工具 3.31 进行stresstest。我将使用其他配置工具进行配置
我在配置工具中运行测试，结果通过了。因此，这似乎是 MSCALER 工具的问题。非常感谢你们的大力支持！