你好
我有一块带有 QSPI NOR 闪存的自定义 S32G399A 板（标准连接，类似于 RDB3 原理图）。
我想强制从 QSPI NOR 启动，所以我按照 E VB 上 QSPI_BOOT_CFG 的 AN13456（S32G3 启动流程）所附的 Excel 表中的建议值和参考手册中的fuse map，将 Ocotp_Ip_Example_S32G399A_M7 （来自 RTD）改编为 熔断启动熔丝 。这篇文章附有代码片段和我参考的文档！
每次写入 BOOT_CFG 后，我都立即使用 Ocotp_Ip_ReadEFuse()验证是否成功，结果发现值被正确更新（0x2000000C 和 0x00000010）。
然而，现在
- 主板无法从 NOR 启动。
- 串行下载模式不再响应（" 无法在 S32 Flash Tool 上与目标设备建立通信 "）。
- JTAG 调试器 (PE Micro) 报告"GDB 服务器无法与目标处理器建立连接" 。
您能帮忙找出根本原因吗？
你好@wael_b、
感谢您联系我们并详细描述了您的问题。就我所见，您打算配置以下内容：
在 BOOT_CFG1 中：
在 BOOT_CGF2 中，FUSE_SEL 位，因此 RCON 值取自熔丝，而不是从芯片外部的串行/并行值中获取。请告诉我是否正确理解了您的配置。
当您尝试以串行模式连接（用于闪存和调试）时，是否使用了这种配置？请注意，BOOT_MOD1 和 BOOT_MOD2 的值与 FUSE_SEL 为 0 时的效果不同。
请告诉我您使用的 BOOT_MOD 1 和 2 的值。
谢谢！
你好，感谢您的答复！
我确认使用了正确的 BootMod，FUSE_SEL = 1！
经过检查，我们发现 BOOT_CFG1 的位 15（这是 启动 excel 中的 " 不在乎 " 字段）正在配置 XOSC 模式（在配置熔丝后，我们丢失了 MCU 的 XTAL 和 EXTAL 引脚上的 XOSC 时钟信号）
因此，在我们当前的熔丝配置中，由于位 15 为零，我们处于显然不支持的 XOSC 差分旁路模式（查看随附的屏幕截图）) 你确认在我们的例子中 Bit 15 不
应该为零吗？
请支持我们进行第二次配置，因为我们还有一块没有配置熔丝的工作板！
谢谢。
你好@wael_b、
问题在于，S32G_Bootconfigwords_EVB.xlsx 中显示的配置是针对 EVB/RDB 板的，而且，它本应在 RCON 位中进行配置，这些位是可重新配置的。正如你在 excel 表单底部看到的那样，对于不在乎的部分，最好查看参考手册：
例如，如果你检查 SD_BOOT_CFG，你会看到很多 " 不在乎 " 位，但是 " 不起作用 " 特别针对 EVB/RDB 板中的 SD 配置，并不是这些位本身没有任何影响。
关于 AN13456 中提到的不支持的配置，我需要内部检查以了解更多细节。
作为参考，我在内部文档中找到了以下内容：
”
BOOT_CFG1 的 XOSC BYPASS MODE 位用于选择 FXOSC 模块的外部时钟源模式。FXOSC 模块可从三种时钟源模式中选择一种作为输入。三种时钟源模式分别是晶体（元器件）模式、（外部）差分（时钟源输入）模式和（外部单端时钟源）旁路模式。当客户使用无源晶体（工作于晶体模式）或有源差分时钟振荡器（工作于差分模式）作为 FXOSC 输入时，应将 XOSC BYPASS MODE 设置为 0。 在这种情况下，如果没有其他进一步设置，FXOSC 默认将输入视为工作于晶体模式。
否则，如果客户使用单端数字时钟源（在 BYPASS 模式下工作）作为 FXOSC 输入，则应设置 XOSC BYPASS MODE 1。
”
因此，BOOT_CFG1:15 的值取决于设计的配置方式。例如，使用 0 需要像在 RDB3 板中一样使用外部振荡器：
对于你没有熔断 S32G3 熔丝的板，我建议使用 RCON 启动来测试适合你设计的配置，正如你从 fuse map 表中看到的那样，确切的配置将取决于 QSPI 内存的类型以及振荡器的配置方式。
如果您需要更多支持，请告诉我。
你好 alejandro_e
我正在和 @wael_b 在同一个板上工作，它说的是 excel 文件吗：
XOSC 旁路模式选择：如果 XOSC 配置熔丝未熔断，则选择 XOSC 模式。
0- 差分
1- 晶体或单旁路模式
因此，当 BOOT_CFG[15] =0 时，它处于差分模式、
但如果 =1，则要么是晶体模式，要么是单旁路模式
我想知道是哪份文件说 BOOT_CFG[15] =0 可以与晶体正常工作？
在板外我们有与 EVK 相同的晶体，在设置 BOOT_CFG [15] =0 之后，时钟源消失了，所以我相信 MCU 在等待这种差模晶体而不是驱动被动晶体。如果我说错了，请指正。
同样不可能使用 RCON，我们只能用熔丝启动它。所以我希望你能向我们建议如何使用熔丝启动我们的板（它基于 evk 同一个闪光灯的水晶）。
您好@alejandro_e,
感谢您的支持！根据您建议的配置，我们有两种情况：
- 情况 1：
BOOT_CFG1 -> 0x2000800C：
第 29、15、3、2 位 = 1，其余为 0。
BOOT_CFG2 -> 0x17：
位 4、2、1、0 = 1，其余为 0。
在这种情况下，JTAG 可以正常工作（使用推荐的串行配置，FUSE_SEL = 1），但是当我们尝试在 S32FT 中上传目标和算法时，出现了一个错误：
" 错误：无法与目标设备建立通信。"
另外，XTAL 没有显示任何信号！
这种行为是否与 " XOSC_GM_SEL：相关 XOSC 模式 " Bits 8 到 11 中的 GM Sel值 BOOT_CFG2 有关？ - 案例 2：
我们使用 BOOT_CFG1 在第二块板上进行了配置-> 0x2000800C
还有 BOOT_CFG2-> 0x0 F：
位 0,1,2,3 = 1 因为我们没有断开
FUSE _SEL 熔丝你认为这个 案例可以恢复吗？
你可以在这里查看参考手册中关于 GM_SEL 的屏幕截图！
你好，@haythemLtifi和@wael_b、
很抱歉这么晚才回复，我终于收到了内部团队的信息，他们与我分享了以下内容：
”
S32G3 不支持差分模式。我们建议客户使用晶体模式。
配置 Crystal 模式有两种方法：
- 当XOSC 配置 无效时，将XOSC BYPASS MODE SELECTION（XOSC 旁路模式选择）设为1 - 晶体模式。
- 当XOSC 配置 有效时，将XOSC MODE设置为11 - 晶体模式。
我们建议使用第二种配置，因为它能提供更高的稳定性。
“
XOSC 配置的有效性由 BOOT_CFG2[0]决定。
我还需要确认你的主板是否可以恢复。
你好@wael_b、
下面是我的回答：
- 案例 1.对于晶体模式，应根据以下公式配置 GM_SEL：
alejandro_e_0-1768496877959.png,
- 其中：
- gm：最小跨导值
- ESR：等效串联电阻
- f:晶体频率
- C0： 晶体的寄生电容
- C1： 晶体的额定负载电容
- 其中：
- 您还可以查看 S32G3 数据表 Rev4 中表 26 的一些示例：
alejandro_e_1-1768498294702.png
- 我还检查了我们提供的示例项目中的配置。在这些数据上，我们使用1100b - 0.631×。
- 鉴于跨导是时钟信号的一种放大，使用 0 会导致芯片无法工作是合理的。我没有亲自测试过，所以如果更改 GM_SEL 的值对您的设置有任何影响，请告诉我。
- 对于案例 2。我的理解是，这将取决于 BOOT_CFG_LOCK 的值，如 fuse map 的 MISC 表所示：
alejandro_e_2-1768498657315.png
- 理论上，如果锁定位为 00 或 01，您应该可以覆盖这些值。不过，我没有亲自做过测试，因此对其效果并不完全了解。
对于案例 1，你提到从串行启动是有效的，我假设在那个设置中 FXOSC 确实有输出信号，对吗？
在 QSPI 启动时，您在应用程序中使用的是 RTD 吗？还是你在使用完全自定义的软件？
谢谢！
您好，@haythemLtifi、
关于测试，我可以做，但现在不行，我下周再做。
我会让你们知道我从振荡器上看到了什么。
谢谢
你好，@haythemLtifi、
您可以使用 S32DS 中的时钟视图修改该值：
更新代码后，更改应在以下文件中生效：
如《SW 启用指南》所述，在以该结构为参数运行 Clock_Ip_Init() 时，该更改将生效。
如果有帮助，请告诉我
你好 、
很显然，我们相差 7 个小时，所以我想问你几个问题，明天 Wael 会重新回答你的其他问题：
- 您提到的代码中的 gm 值是 0b1100 ，如何更改？是在时钟启动功能中吗？
或者我可以使用图形界面进行更改？我想将其设置为 0b1111 ，如何操作？
现在，当我测量 exTal 引脚上的晶体时，我看到的直流电压几乎在 800mv 左右，不知道晶体是否无法正常工作或者因为我没有使用有源探头，你能否在 EVK 上使用普通探头测量波形然后告诉我开启板后会看到什么？运行代码时
对于串行运行的板，当我们使用启动模式 0 和 1 选择串行时，我们会看到 Extal 的直流电压为 800 mv 差不多（它不是真正的信号波，但会振荡）
你好 @alejandro_e，
回复这个问题：" 在 QSPI 启动时，在你的应用程序中，你在使用 RTD 吗？还是你在使用完全自定义的软件？" = > 是的，我使用的是 RTD 示例，而不是自定义软件。
我有一些问题！
-你能帮我理解启动过程文档中的这一部分吗？（参见随附的屏幕截图）
-另外，是否有专用的.bin 可以下载到 或非 Flash 或 SD 卡启动中？
- 我从 IVT 生成的 Siul_Dio_ToggleLed 应用程序大小为 5.3Mb，这有问题吗？
你好，@haythemLtifi、
感谢您提供的信息。说白了，在这个问题上，你不需要我再提供任何支持了，对吗？
你好、
我们发现了或非的问题，默认 bootROM 时钟为 30Mhz，在超时（500 毫秒）之前下载 S32G339A 的内存是不够的，我们取消了添加 QSPI 配置以将 bootROM 时钟提高到 200Mh 的选项，这就解决了问题。
感谢你的支持
你好@wael_b、
感谢您提供的信息，并对迟复表示歉意。关于时钟测试，我会尽快进行，并与大家分享测试结果。
关于你最后的问题，没有专用的二进制文件可以下载到闪存或 SD 卡中，请记住，对于闪存，你需要在 0x0000 中对 IVT bin 进行编程，而对于 SD 卡，你需要在 0x1000 中对其进行编程。
关于二进制文件的大小，我刚刚用 S32G3 的 dio 示例做了一个快速的 IVT bin，它是 530M，大小应该不是问题。
也许我没有正确理解您的问题，如果我没有回答您的问题，请告诉我。
要测试二进制文件是否正确加载并由 bootROM 对其进行解析，你可以做的一件事是添加一个能开启板上的 LED 的 DCD，例如，请查看 S32G3 HSE 演示应用程序，任何版本都应该可以运行，例如在 0.2.51.0 版本中，你可以查看附录 11 部分。S32 DS — 生成 DCD 映像以开启 VDD_EFUSE 和系统 RAM 初始化，对于您的问题，相关部分是 VDD_EFUSE 步骤。如果你不熟悉，DCD 是一组非常简单的寄存器指令，你可以在程序开始执行之前添加，因此，如果你在添加 DCD 后看到板上的 LED 亮起，你可以确定你的二进制已正确加载并由 bootRoM 解析。
你好，@haythemLtifi、
太好了，谢谢你告诉我。
如果您今后遇到任何问题，请创建一个新的帖子，我们将很乐意为您提供帮助。
顺祝商祺！
是的，我们很好，谢谢。