こんにちは、
外部放熱のため、データシートの推奨値に従ってVPRE外付けMOSFETを設定しました。入力電圧が16Vで周囲温度が120℃の場合、このMOSFET（VT200）のCASE温度は138℃まで上昇し、非常に高温になります。
このMOSFETの温度を下げる方法を検討しています。同じモデルのMOSFETをVT200に並列接続し、GCTLを使って両方のMOSFETを同時に駆動することは可能でしょうか。こうすることで、外付けMOSFETの電力を半分に削減できます。この解決策について、あるいはより良い提案があれば、ぜひご意見をお聞かせください。よろしくお願いします。
BR、テッド
こんにちは@Ted_Qiao 、
外部 PMOS の合計ゲート電荷または入力静電容量は指定されていません。したがって、ソリューションは機能するはずです。チャネル抵抗の正の温度係数により各デバイスの温度がバランスされるため、MOSFET を並列に使用することは安全です。必要に応じて、ヒートシンクを追加することも検討してください。
よろしくお願いいたします。
パベル
こんにちは@Ted_Qiao 、
あなたのアプローチは興味深いようですが、この構成は S32M2xx マイクロコントローラのハードウェア設計ガイドラインにも、その他の公式リソースにも記載されておらず、どの評価ボードにも実装されていないため、その有効性を確認できません。
注意：回答が解決策としてマークされると、元のクエリはシステム内でアクティブに追跡されなくなります。私は更新に関する購読メールのみを受信しますが、時々それを見逃してしまうことがあります。
さらにサポートが必要な場合は、新しいクエリを作成するのが最善の方法です。
よろしくお願いいたします。
パベル
ご返信ありがとうございます。
S32M276XX システムの消費電力を減らす方法について、もう一つ質問したいと思います。
以下の解決策の実現可能性についてお伺いしてもよろしいでしょうか?
Qpmos_vpre を削除し、DCDC コンバータに置き換えたいと思います。DCDC コンバータはバッテリーから電力を取得し、VPRE ピンに直接接続して 6.4V タイプを生成します。
この DCDC コンバータには Enable ピンがあるため、出力は S32M276XX によって制御できます。動作電圧範囲内（例：> 9V）の場合、DCDC は SOC によって有効化され、<9V の場合、DCDC は停止し、電流は MCU によって内部的に生成されます（低電圧降下、低消費電力）。
以下のブロックも確認し、この解決策についてのコメントをお願いします。
ありがとう、そして良い一日を！
