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EB サンプル プロジェクトを使用してフラッシュ メモリを操作中にエラーが発生しました。

現在、EBを使用してDFlashの読み書き操作を設定し、EBが提供するデモを使用して読み書き操作を行っています。しかし、txbufferとrxbufferのデータが対応しない、または一部のメモリ位置に対応するデータが書き込まれていないという状況に遭遇します。

現在の環境

デバイス: S32K312 172ピン

RTD: SW32K3_S32M27x_RTD_R21-11_6.0.0_D2506

動作セクター: 0x100A0000

圧縮ファイルには、mem および fls (XDM ファイル) の設定ファイルと main.c が含まれています。

Re: 使用EB示例工程操作Flash出现读写错误

こんにちは@TWL

わかりました。この解決策は役に立ちました。「解決策を承認」をクリックして、他のユーザーの参考としてご利用ください。

Re: 使用EB示例工程操作Flash出现读写错误

ご提供いただいた通り、メモリアクセスコードの消去と書き込みアドレスを変更したところ、システムを操作できるようになりました。ありがとうございます。

Re: 使用EB示例工程操作Flash出现读写错误

こんにちは@TWL

MCRS->RWE をチェックして、RWE エラーが原因であるかどうかを確認できます。 Senlent_0-1758866698359.png

テスト前にこの画像の設定を参照できます。

Senlent_2-1758869264584.png

同様の問題に対する参考ソリューション

https://community.nxp.com/t5/S32K/S32K341-Issue-with-Mem-43-INFLS-on-S32DS3-6-2-and-RTD6-0-0/mp/2138...




Re: 使用EB示例工程操作Flash出现读写错误

こんにちは@TWL

1. 提供された設定ファイルにはまだエラーが含まれています。次の変更を加えました。

Senlent_0-1758852955612.png

2. CACHE を有効にしました。

Senlent_1-1758853017694.pngSenlent_2-1758853026103.png

テスト結果:

Senlent_3-1758853053276.png

添付ファイルはコンパイルされた ELF ファイルです。自分でテストすることができます。

Re: 使用EB示例工程操作Flash出现读写错误

こんにちは!

XDMファイルを再送信しました。一方、MEMを使用してPFLASHから読み出す際に、0x00400000~0x004FFFFFの範囲でハードフォールトが発生しました。そこで、EBの設定を変更し、アドレス0x00500000以降の読み書きを許可しましたが、それでも読み書き時にデータが書き込まれなかったり、誤ったデータが読み取られたりするなどのエラーが発生していました。

圧縮パッケージには、xdm、main、および ld ファイルが含まれています。

Re: 使用EB示例工程操作Flash出现读写错误

こんにちは@TWL

提供された構成ファイルを開いたところ、一致しておらず、間違っていることがわかりました。

Senlent_0-1758779255592.png


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最后更新:
‎11-21-2025 05:47 PM
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