大家好
我们在 NFC 读取器设计中遇到了辐射发射测试问题。
当 NFC 卡直接放置在读卡器顶部（平行，在天线正上方）时，我们无法通过 13.56 MHz 谐波的辐射发射测试，违反了约 3-4 dB 的限制。如果我们将卡移至读卡器上方约 1 厘米处，测试就会通过。卡片高出 7 厘米，也能通过。有没有办法在不减少最大读取距离的情况下减少谐波辐射？如能就软件优化提出任何建议，我们将不胜感激。
卡在读卡器顶部：
卡片位于读卡器上方 1 厘米处：
感谢并致意
乌特库
你好@utqq
LPCD 通过轮询和待机模式实现低功耗，而 DPC 通过限制电流来控制功率。对于您的具体问题，DPC 可能更有效。
不过，40.68 MHz 和 67.8 MHz 的谐波发射超过了限值。我们建议您尝试调整截止频率和带宽。请参阅 AN12549（第 3.1.2 节和 3.1.3)了解详情。您还可以使用在线 NFC 天线工具（NFC - NXP Community）调整天线网络参数，如下图所示：
在我们的软件中，LPCD 和 DPC 同时启用，系统似乎正常工作。它在某些情况下会造成问题吗？
此外，在启用 DPC 后，我们还观察到读卡器正上方放置卡片时，EMI 有明显改善。不过，40.68 MHz 和 67.8 MHz 的谐波仍然非常接近极限。您对如何进一步减少这些谐波有何建议？
你好@utqq
LPCD 和 DPC 不能同时启用。
你好@utqq
您可以通过寄存器 0x56 读出 TXLDO 的电流和VDDPA 的电压，然后计算功率。
在不使用 EMVCo 测试 PICC 的情况下，我们如何测量或估算传输到 NFC 卡的功率？
你好@utqq
建议启用 DPC。但在启用 DPC 之前，需要进行校准。