嗨，团队、
这是关于 RT1170 控制器的电源排序。
我们参考了 RT1170 控制器 EVKB 的设计，将其应用于一个医疗应用中。我们计划从外部向控制器供电，有几个问题如下。
根据数据，RT1170 的电源顺序如下。
- VDD_SNVS_IN 电源必须先于其他电源打开，或与 VDD_LPSR_IN 和 DCDC_IN 电源连接（短路）。
- 如果使用钮扣电池为 VDD_SNVS_IN 供电，则应确保在接通其他电源之前连接好钮扣电池。
- 建议使用 RC 延迟电路提供 DCDC_IN 稳定和 DCDC_PSWITCH 之间的延迟。RC 总延迟应为 5 - 40 毫秒。
- DCDC_IN 必须在 0.3 x RC 范围内达到最低 3.0 V。
- 从 DCDC_IN 稳定在 3.0 V min 到 DCDC_PSWITCH 达到 0.5 x DCDC_IN (1.5 V) 的延迟时间必须至少为 1 ms。
- 其他功率域的上电压摆率规格为 360 V/s — 36 kV/s。
- 确保 VDD_LPSR_DIG 优先于 VDD_SOC_IN 供电。
1:) 这些条件是我们需要在外部实现还是有内置选项，所以如果我们给出相应的银行电压就可以了。？
2:)您是否遵循了这些条件，还是根据您的申请进行了修改。
3:) W.R.T 上电复位除了软件控制之外是否可能有冗余。
现在，我看到外部晶体选择了 2 个晶体，如下所示
是否有专门针对 rt1170 控制器的外部晶体设计文件可供参考。
1:) 对于 24MHz 和 32kHz 晶体，除了数据表中的建议外，您在选择元器件时还考虑了哪些参数。
2:)对于两块晶体，你分别选择了 9pF 和 8pF 的负载电容，为什么？
3:)根据 Cload 公式，理论上一个晶体的 CL1=Cl2 值为 6pF（24MHz），另一个为 4pF（32kHz），但您为 24MHz 晶体选择了 4.7pF，为 32kHz 晶体选择了 18pF。
4:)此外，32kHz 晶体 CL1 和 CL2 是作为 DNP 制成的，我想知道其中的原因。
开机顺序
1) 这些条件需要从外部实现。
2) 必须始终遵守这些条件，否则可能会出现问题。可以通过使用内部 DCDC 和这样的功率图来满足这些要求：
或使用外部 PMIC PF5020，顺序如下：
3) 强烈建议在 POR 上使用 IC，这样我们就可以确保它在加电过程中保持钳位。
晶体
晶体选择参数列于硬件开发指南表 4。时钟配置。
CL 是通过制造商获得的。
如本文件所述，计算时还应考虑杂散电容：AN3208.fm
我不知道 CL 采用 DNP 的原因，它在 EVK 上运行良好；但请考虑到 EVK 的目标是评估，对于产品设计，最好遵循硬件开发指南。
BR,
Omar