你好！
在阅读 MPC5777C 参考手册的“第 24 章 RAM 控制器 (PRAMC)”时，我有以下问题：
1 - 什么是 64 位 WRP4 读取突发？
2 - 什么是 2-1-1-1 响应？
3 - 既然有可能执行突发写入，那么后期写入缓冲区的用途是什么？后期写入缓冲区是否会将单拍写入事务合并为多拍突发事务？
4 - PRAMC 提供了在将 RAM 读取数据返回到系统总线之前添加可选读取等待状态的可能性。“寄存器RAM读取数据是什么意思”？这些数据会在哪里注册？在哪种情况下，为读取访问添加等待状态会有益？
5 – PRAMC 或 SRAM 是否有行缓冲区来存储存储器阵列中最后访问的行？DRAM 有这种资源，但我不确定 SRAM 是否也有这种资源。
6-DRAM 遵循 JEDEC 标准来定义其命令，例如激活命令 (ACT) 和列地址选通 (CAS) 命令。MPC5777C SRAM 是否遵循此标准，并且因此可以使用相同的命令？
顺祝商祺！
Matheus
3）那么延迟写入缓冲区是一种比SRAM更快的内存吗？如果是，那么后期写入缓冲区是通过什么技术制作的？
4)参考手册说，PRAMC 的功能之一是具有“可配置的读取访问时序（零个或一个可编程的等待状态），允许在大范围的频率目标中使用”。如果没有要求使用这个可选等待状态，为什么 RM 说可选等待状态允许在大范围的频率目标中使用？
1）4 拍包裹爆破。包装意味着首先读取需要的数据。例如，如果需要Word2，则顺序如下：Word2 - Word3 - Word0 - Word1
2) 读取第一个数据需要 2 个周期（上例中的 Word2），然后读取每个字需要 1 个周期（Word3 - Word0 - Word1）
3) 延迟写入缓冲区允许不等到写入周期结束。从 CPU 端，数据只是写入 SRAM 并终止。稍后再进行物理存储至 SRAM。
4）这意味着增加了 1 个时钟周期（那里有一个缓冲区），但我没有看到任何好处。据我所知，没有必要使用它。
5、6）不是静态RAM，不是动态RAM。它的工作方式不同。