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S32K14x SRAM ECC注入示例<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=utf-8" />

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详细描述：
此示例显示了 SRAM ECC 注入。
默认情况下，在对 SRAM_U 区域中的位置进行读取访问时会注入双位 ECC 错误。
这可以通过 SRAM_U 和 DOUBLE_BIT 宏来改变。
ERM 和 MCM 模块都可以检测到错误，并可以调用相应的中断。
虽然只需要 ERM，但为了演示目的，MCM 中断也启用了
其优先级低于 ERM 中断。
首次调用的 ERM 中断会禁用注入机制
这样在堆栈读取访问期间就无法检测到后续错误。
默认的 S32 Design Studio start_up 文件将向量表复制到 SRAM_L 区域。
为了能够在此 SRAM 区域注入 ECC 错误并调用中断，
复制被 __flash_vector_table__ 符号禁用

在start_up.h中声明文件并在S32K144_64_flash链接器文件中定义。
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测试硬件：S32K144EVB-Q100
单片机：S32K144 0N57U
调试器：S32DSR1
目标：internal_FLASH
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