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さまざまなRF低電力デバイス、さまざまなラインアップ<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=utf-8" />

Demo

NXPは、RF低電力デバイスの完全なポートフォリオを持っています。これには、次のものが含まれます。

  • RF設計用のドライバーとプリドライバー
  • スモールセルソリューション用の出力RFデバイス
  • トランシーバー・アプリケーション向けの低ノイズ・アンプ (LNA)

 

 

デモ/製品機能

MMZ27333B 2W BTSドライバーアンプ

  • 1500 – 2700 MHz動作
  • P1 dB = 33 dBm
  • ゲイン = 36 dB @ 2600 MHz
  • LTE 10 MHz ACLR = 20 dBm で - 48 dBc
  • 4 x 4 mm QFN パッケージ

MMG30271B 1/2 W BTSプリドライバーGPA

  • 300 – 4000 MHz動作
  • P1dB = 27dBm
  • ゲイン = 17dB (2600 MHz)
  • ICC=135mA
  • SOT89パッケージ

MMG30301B 1 W BTSプリドライバーGPA

  • 900 – 4300 MHz動作
  • P1 dB = 30 dBm
  • ゲイン = 16 dB @ 2600 MHz
  • ICC=280mA
  • SOT89パッケージ

NXPの推奨事項

MMZ27333B

MMG30271B

MMG30301B

 

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通信インフラストラクチャ
タグ(1)
評価なし
バージョン履歴
最終更新日:
‎01-06-2026 02:25 AM
更新者: