さまざまなRF低電力デバイス、さまざまなラインアップ<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=utf-8" />
Demo
NXPは、RF低電力デバイスの完全なポートフォリオを持っています。これには、次のものが含まれます。
- RF設計用のドライバーとプリドライバー
- スモールセルソリューション用の出力RFデバイス
- トランシーバー・アプリケーション向けの低ノイズ・アンプ (LNA)
デモ/製品機能
MMZ27333B 2W BTSドライバーアンプ
- 1500 – 2700 MHz動作
- P1 dB = 33 dBm
- ゲイン = 36 dB @ 2600 MHz
- LTE 10 MHz ACLR = 20 dBm で - 48 dBc
- 4 x 4 mm QFN パッケージ
MMG30271B 1/2 W BTSプリドライバーGPA
- 300 – 4000 MHz動作
- P1dB = 27dBm
- ゲイン = 17dB (2600 MHz)
- ICC=135mA
- SOT89パッケージ
MMG30301B 1 W BTSプリドライバーGPA
- 900 – 4300 MHz動作
- P1 dB = 30 dBm
- ゲイン = 16 dB @ 2600 MHz
- ICC=280mA
- SOT89パッケージ
NXPの推奨事項
MMZ27333B
MMG30271B
MMG30301B





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