有三种方法可以运行配置工具：从 S32DS、从终端和 JTAG 以及从命令行。
S32DS方法
1）确保EVB已通电并通过PEMicro（Universal Multilink）或Lauterbach连接到PC
2）启动S32DS for Vision
3）文件 -> 新建 -> S32V DDR配置项目
4）输入项目名称，例如“DDR_Config_test”。单击“下一步”
5）展开“S32V”并选择“S32V_234”
6) 单击“完成”以使用默认设置生成项目，或者，如果您愿意，可以查看或调整更多项目设置，单击“下一步”。为了本次演示，我们单击“下一步”。
a. 选择要应用设置的 DDR 控制器。为了演示，我们将其保留为默认值（第一个 DDR 控制器）
b.有一个选项可以从文件导入设置
c.板设置允许您从预定义配置列表中进行选择，每个 NXP S32V234 评估板都有一个配置
i. S32V234_EVB 适用于 LPDDR2（SCH28899 和 SCH28292（旧板））
二。X_TR_DVAL_625 用于 DDR3（SCH28662（旧板））
三。S32V234_NXP_EVB适用于SCH29288（S32V234-EVB2）
四、自定义允许选择更多选项。请参阅用户手册以了解更多详细信息
d.对于本次演示，我们选择 S32V234_EVB
e.单击“完成”
7）生成项目将需要几分钟。您将收到一个提示，要求您撰写 S32V DDR 配置透视图。单击“是”。
8）现在项目已生成，您可以在项目资源管理器中看到它
9）注意S32V DDR配置视角的组件和组件检查器视图。
10）从组件视图中选择组件“MMDC_0:Init_MMDC
11）在组件检查器窗口中，您可以看到所有的配置设置。您可以在此处修改设置。对某些高级设置所做的更改也可能会导致某些低级设置发生变化。设置更改后会自动运行一些一致性检查，如果配置无效，则会触发错误消息。
一个。有关高级设置影响低级设置的示例，请尝试将“内存类型”从 LPDDR2 更改为 DDR3。您可以看到突发长度、列地址宽度和行地址宽度已经改变。
b.以无效配置的一致性检查为例，尝试将 CAS 读取延迟值 (MDCFG0) 从 8 更改为 12（鼠标悬停工具提示显示的有效范围为 3-11），您将看到出现错误。改回 8，错误就消失了。
12）打开配置寄存器视图。窗口 -> 显示视图 -> 其他 -> 处理器专家 -> 配置寄存器。这显示了设置在内存映射中的显示方式。当您更改设置时，这里的值将更新，受影响的行将突出显示。通过更改组件选择器窗口的 MDCTL 中的列地址宽度来尝试。同样，您可以尝试在配置寄存器视图中手动更改值，并查看组件选择器窗口中的设置是否也更新。
*提示：在搜索栏中输入视图名称以便更快地找到它
13）所有设置更改完成后，即可生成代码。按下组件视图中的“生成处理器专家代码”按钮。生成的.c和.h文件将出现在配置项目的“Generated_Code”文件夹中。这些可以复制到您的应用程序项目中。
14) 返回组件检查器视图，其中有导入和导出设置的选项卡。导入设置选项卡将允许您导入现有的设置文件，如新项目向导中所示。从“导出设置”选项卡中，您可以生成用于存储或共享的设置文件。包含每个受支持的 NXP EVB 的 MMDC_0 和 MMDC_1 设置文件，可位于“C:\NXP\S32DS_Vision_v2.0\eclipse\ProcessorExpert\Optimization\resources\S32V\Boards”，然后选择特定板的文件夹。
建议这些文件采用 CodeWarrior Register Text 格式。
15）现在选择“验证”选项卡（某些视图，例如配置寄存器，可以最小化以获得更好的视图）。在这里我们可以对所做的配置设置进行验证。现在是再次检查硬件连接的好时机。
16) 选择连接方法（PEMicro 或 Lauterbach，取决于您的设置）。我们将使用系统：S32V234；PEMICRO
17）按“连接到目标”
18) 勾选一个场景对应的方框。例如，选择“读取延迟校准”
19）选择“选择测试”选项卡
20）您可以从列表中选择测试。要查看测试背后的脚本，只需双击名称即可。为了加快操作速度，还提供了 ELF 文件版本。
21) 选择您想要执行的测试并按“开始验证”。例如选择“Write-Read-Compare-Elf”、“Walking Ones Elf”和“Walking Zeros Elf”。
22) 这些测试将尝试不同的值并确定哪些值有效，哪些无效。测试完成后，选择最佳值并将其写回项目配置设置。要查看值的变化，请转到“属性”选项卡并找到“PHY 读取延迟线配置”或恢复“配置寄存器”视图并查看值的变化。
23）对于每个测试，您可以在“摘要”选项卡的“测试结果”部分中看到发生的错误。还有更新的配置寄存器部分，其中显示寄存器和写入该寄存器的新值。有关错误的更多详细信息，请参阅“日志”选项卡，其中显示运行的每个测试的日志。最后有一个脚本选项卡，其中显示包含测试设置的每个测试的脚本。每个测试框都有颜色以反映测试结果。单击不同的按钮会导致下面的显示发生变化并显示该测试的结果。
24) 写入延迟校准测试场景与读取延迟校准测试场景非常相似，但写入延迟线配置将被更新。
25) 操作 DDR 测试运行相同的测试，但配置中的值没有改变。您可以将其设置为多次重复运行以测试稳定性。
终端窗口方法（JTAG）
这将检查 MMDC 模块中已上传的设置
1）确保 EVB 已通电并通过 PEMicro（通用多链路）或 Lauterbach（加载测试应用程序）连接到 PC，并通过 USB 电缆进行串行通信（用于终端访问）。
2）在S32DS中，创建一个简单的项目
a.文件->新建->S32DS应用程序项目
b.输入名称“测试”
c.选择 S32V234 Cortex-A53
d.下一个
e. 取消选中核心 2-4 的复选框
f.结束
3）设置调试配置
a. 运行->调试配置…
b.选择 test_A53_1_PNE
c.将 C/C++ 应用程序更改为 C:\NXP\S32DS_Vision_v2.0\utils\ddr_stresstool\ddr-test-uboot-jtag-s32v234.elf
d.选择“调试器”选项卡
e. 点击“高级选项”
f.启用初始化脚本复选框
g.浏览以查找 C:\NXP\S32DS_Vision_v2.0\eclipse\plugins\com.pemicro.debug.gdbjtag.pne_3.1.3.201709051622\win32\gdi\P&E\supportFiles_ARM\NXP\S32Vxxx\S32V234M100_DDR.mac
h.好的
4）单击“调试”。您将看到错误消息，表明无法找到源文件。这是预料之中的。
5）打开终端（例如PuTTY.exe）并使用已连接到 EVB 的 USB 端口连接串行线，速度设置为 115200、8 个数据位、1 个停止位，无奇偶校验或流控制。
6）单击S32DS调试器中的“恢复”。
7）在终端窗口中，您将看到测试脚本已启动。
8）选择MMDC通道（例如，对于MMDC1输入1）
9）选择DDR密度（例如，输入6表示32MB）
10）输入“y”接受DDR校准
11）输入“y”接受533MHz的DDR频率
12) 等待并观察测试完成。
13) 测试完成后，显示结果。您必须根据显示的信息手动更新您的设置。
14) 接下来，您可以选择运行 DDR 压力测试。
