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MQX FlashX 驱动程序 – 如何编写 FlexNVM？

1. 关于 FlexNVM 和 FlashX 的一些基本问题和解答。

1.1 什么是 FlexNVM？

FlexNVM 是额外的独立闪存块，可用作数据闪存、模拟 EEPROM 的非易失性存储器或两者的组合。我将重点介绍本文档中的第一个选项——FlexNVM 将简单地用作数据闪存。

您可以在部件编号的专用位置包含“X”的 MCU 部件中找到 FlexNVM。例如：

MK64F X 512VMD12 包含 1 个程序闪存块 (512 KB) 和 1 个 FlexNVM 块 (128 KB)

MK64F N 1M0VMD12 仅包含 2 个程序闪存块（每个 512 KB）。

有关 FlexNVM 和闪存块的更多详细信息，请参阅您的 MCU 参考手册。例如“闪存大小”章节。

1.2 什么是FlashX？

MQX FlashX 驱动程序提供写入和读取内部闪存的能力。不幸的是，FlexNVM 内存在默认状态下仅部分受支持——一些 BSP 已经实现了模拟 EEPROM（flexnvm 示例代码）的配置和功能。有关更多详细信息，请查看c:\Freescale\Freescale_MQX_4_2\doc\mqx文件夹中的MQX_IO_User_Guide.pdf 。

1.3 我可以将不带 FlexNVM 的 MCU BSP 用于我自己的带有带 FlexNVM 的 MCU 的主板吗？

不建议这么做。但是，您可以使用此 BSP 作为您自己的板 BSP 的基础。请检查MQX_BSP_Cloning_Wizard_Getting_Started.pdf ，MQX_BSP_Porting_Guide.pdf和MQX_BSP_Porting_Example_User_Guide.pdf文档位于C:\Freescale\Freescale_MQX_4_2\doc文件夹中。

1.4 我可以在我的 KSDK 项目中使用 FlashX 吗？

不幸的是，FlashX 驱动程序没有在 KSDK 中实现。KSDK 包含其自己的用于 C90TFS/FTFx Flash 系列的标准软件驱动程序 (SSD)，然而，这只是低级驱动程序，没有像 FlashX 驱动程序那样的高级抽象层。

2. 更新 MQX FlashX 驱动程序以支持 FlexNVM 的过程。

2.1 请备份以下文件： user_config.h 、.h ，init_flashx.c文件flash_ftfl.c和flash_ftfe.c文件。注意： user_config.h ，.h 和 init_flashx.c是 BSP 代码的一部分。

2.2 在user_config.h中启用 FlashX文件定义：

#定义 BSPCFG_ENABLE_FLASHX 1

2.3 更新.h文件：

2.3.1 请检查 MCU 参考手册并根据需要更新 BSP_INTERNAL_FLASH_BASE、BSP_INTERNAL_FLASH_SIZE、BSP_INTERNAL_FLASH_SECTOR_SIZE。通常，当使用不带 FlexNVM 的 BSP 作为自己的 BSP 的基础时，我们必须减少 BSP_INTERNAL_FLASH_SIZE。

2.3.2添加将在内存映射中定义 FlexNVM 的新宏。例如：

#定义 BSP_INTERNAL_FLEXNVM_BASE 0x10000000

#定义 BSP_FLEXNVM_SECTOR_SIZE 0x400

#定义 BSP_INTERNAL_FLEXNVM_SIZE 0x00008000

2.4 更新 BSP 文件夹中的init_flashx.c ：

2.4.1 将 FlexNVM 文件块添加到 _bsp_flashx_file_blocks[] 表中。例如：

// 数据闪存文件块

{ “dflash”，BSP_INTERNAL_FLEXNVM_BASE，（uint32_t）（BSP_INTERNAL_FLEXNVM_BASE + BSP_INTERNAL_FLEXNVM_SIZE - 1）}，

参数为{文件块名称，起始地址，结束地址}。

注意：这是纯软件接口；地址范围不需要适合物理闪存块参数。您可以根据需要组织文件块。

2.4.2如果您使用非 FlexNVM BSP 作为您自己的 BSP 的基础，则必须更改 KinetisX 设备的硬件块图。请在_bsp_flashx_init 结构中将_flashx_kinetisN_block_map 更改为_flashx_kinetisX_block_map。

2.5 更新flash_ftfl.c或flash_ftfe.c文件：

2.5.1 查看 MCU 参考手册，了解您的 MCU 是否具有 FTFL 或 FTFE 闪存模块，并选择适当的文件进行编辑。

2.5.2将 FlexNVM 内存块添加到 _flashx_kinetisX_block_map[] 表中。例如：

{ BSP_INTERNAL_FLEXNVM_SIZE / BSP_FLEXNVM_SECTOR_SIZE，（_mem_size）BSP_INTERNAL_FLEXNVM_BASE，BSP_FLEXNVM_SECTOR_SIZE }, // FlexNVM 块

参数为{扇区数，起始地址，扇区大小}。

注意：这是物理硬件内存块的描述；地址范围必须适合物理闪存块参数。

2.5.3现在我们必须修复 FlexNVM 地址的问题。程序闪存和 FlexNVM 闪存均通过 FTFL_FCCOBn / FTFE_FCCOBn 寄存器进行编程，其中 FCCOB1.. FCCOB3 包含 24 位格式的地址。因此，我们不能直接使用 FlexNVM 地址——由于 FlexNVM 基数为 0x10000000，它们不适合 24 位。

FTFL/FTFE 模块指定 24 位地址中的最高有效位（位 23）将用于区分程序闪存和 FlexNVM 闪存。例如，我们可以使用这样的代码：

//设置第23位，当FlexNVM闪存地址

如果（write_addr＆BSP_INTERNAL_FLEXNVM_BASE）

{

写入地址 = 写入地址 | (1 << 23);

}

并在写入 command_array[] 之前将此代码添加到必要的函数中（ command_array[]的内容将用于填充 FTFL_FCCOBn / FTFE_FCCOBn 寄存器）。

为了 FlashX 示例代码的基本工作，至少需要更新 ftfl_flash_erase_sector()/ftfe_flash_erase_sector() 和 ftfl_flash_write_sector()/ftfe_flash_write_sector() 函数。

2.6.完成这些更改后，您可以尝试使用flash_demo.c中的 FlashX 示例代码您只需打开 FlexNVM 文件块而不是默认程序闪存文件块。例如：

//#define FLASH_NAME“flashx：bank0”

#define FLASH_NAME“flashx：dflash”

在附件文件中，您可以找到 MQX4.2.0 和 MK20DX72 MCU 的修改示例。

3. 如何重写 Flash - 一般说明：

Flash数据在编程之前必须处于已擦除状态。不允许对位进行累计编程（添加更多0）。

对于 FTFL 和 FTFE 模块，我们通过对齐的短语（通常为 64 位）对闪存进行编程。如果我们想要按更小的块（例如按字节）进行编程，FTFL 模块将允许您写入此短语，即使不推荐这样做。但FTFE模块如果第二次写入同一个相位，将会引起总线故障。因此，更改已写入的 FTFE 短语中的数据的唯一安全方法是擦除整个扇区并重写数据。因此，请对 FTFE 模块使用 ioctl 命令 FLASH_IOCTL_ENABLE_SECTOR_CACHE。当目标区域（与短语对齐）为空白时，在完整扇区写入和部分扇区覆盖的情况下不需要扇区缓存分配。

回复：MQX FlashX 驱动程序 – 如何编写 FlexNVM？

你好，Shridhar，

对于 FlexNVM：

您还必须编辑 flash_ftfl.c 中的 _flashx_kinetisX_block_map[] 表文件并添加 FlexNVM 块的描述。

对于 FlexRAM：

您在断电之前是否使用过刷新/关闭功能？

如何使用 FlexRAM 的示例可以在这里找到 c:\Freescale\Freescale_MQX_4_2\mqx\examples\flexnvm

在我们启用 EEPROM 仿真之前，目标 FlexRAM 内存范围的工作方式与“标准”RAM 相同。

当然，您必须选择是否将 FlexNVM 内存用作数据闪存、模拟 EEPROM，或者您可以将 FlexNVM 内存分成两部分并使用两个选项（在这种情况下，必须相应地更新内存范围）。

无论如何，空 MCU 上具有默认设置的 FlexNVM 内存可用作数据闪存，而 FlexRAM 可用作“标准”RAM。如果您想使用模拟 EEPROM（FlexRAM），则必须为其配置 FlexNVM 内存（程序分区命令和设置 FlexRAM 功能命令）。查看 flexnvm 示例代码...