After reading the whole document AN12330, I have a question that I got the method to change the converter's power through changing Cr, but how to decide and change the switching frequency of MOSFETs. If it does not solved, I cannot move to the next step for parameters of L and C.
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这几个问题的解释告知下我在文档哪一页也ok,给点消息吧
看了文档后有几个问题想请您解答下:
1. SNSBOOST引脚怎么补偿LLC的dVcap
2. HB引脚怎么检测斜率dV/dt的
3. 开关频率能否到400KHz,VCAP的延迟时间300s在高频下会是多少?
我想问一下贵公司是不是做类似TEA2016芯片?
您好,我们公司致力于研发第三代半导体,产品是围绕SiC, GaN为主的IGBT, MOSFET功率器件,不涉及控制芯片。我是应用部的工程师,调研了上百个百瓦级充电头后,发现TEA2016和TEA1995T的方案出现频率特别高,所以想使用该芯片,配合自己的开关管,做一个240W电源的应用demo。