尊敬的客户:
感谢你选择恩智浦半导体的芯片,如果有任何技术问题,请您在本社区提问,我们将会尽快回复。
谢谢。
我在研究MC33665的datasheet,发现TPL2消息体有问题,第二个16bit数据中,MS+RADD+MADD+CADD+DADD数据长度为18bit,大于16bit,这里怎么理解?
CADD[2]是CADD的最高位,一位不是三位。
终于有人说中文了,我还以为走错了地方。
Morning Sir,
My question is
Can we make current-sensing on PFC stage by using 2 current transformers
when design power supply with TEA2017AAT IC ?
THANKS!
TEA2017AAT/2这个产品有没有中文版规格书啊,非常需要获得,谢谢!
模拟EEPROM出了问题,并且不知道如何将数据写到EEPROM特定位置。
现在用S32k142写关于bootloader的程序,因为要用到0x2E(按标识符写数据)将数据写到特定位置,因为上述问题导致这个服务写不成功。官网上的那个关于142的bootloader例程(S32K142_CAN_bootloader),我也看了,它就调用了一个autolibc.c的函数,我不知道它把数据存到哪里,并且好像也没进行模拟EEPROM。
你好
请教一下S32K146 的读冲突中断是怎么测试出来的,能否给一个demo code?
我的代码简单测试流程下面回列出来 但是就是无法产生这个读冲突中断,能否帮忙指点一下为啥这样不产生读冲突中断,感谢你的回答
void EraseFlashSector(void)
{
uint32_t address = 0x00008000;
uint32_t flashData = 0 ;
uint32_t i = 0;
uint32_t expectData = 0;
uint32_t FailAddr = 0;
//erase 4KB flash sector (the smallest entity that can be erased)
while((FTFC->FSTAT & FTFC_FSTAT_CCIF_MASK) == 0); // Wait if operation in progress
FTFC->FSTAT = FTFC_FSTAT_ACCERR_MASK | FTFC_FSTAT_FPVIOL_MASK;
FTFC->FCCOB[3] = 0x09; //Erase Flash Sector command (0x09)
FTFC->FCCOB[2] = (address >> 16) & 0xff; //Flash address [23:16]
FTFC->FCCOB[1] = (address >>
FTFC->FCCOB[0] = address & 0xff; //Flash address [7:0]
FTFC->FSTAT = FTFC_FSTAT_CCIF_MASK; //launch command
while(( FTFC->FSTAT & FTFC_FSTAT_CCIF_MASK) == 0)
{
expectData = 0xFFFFFFFF;
for(i=0; i< 1024; i++)
{
FLASH_DRV_ProgramCheck(&flashSSDConfig, 0x8000+i*4, 4, &expectData, &FailAddr, 1);
}
flashData = *(uint32_t *)(0x8000 + 4);
flashData = *(uint32_t *)(0x8000 + 8);
flashData = *(uint64_t *)(0x8000 + 16);
for(i = 0; i< 1024;i++)
{
flashData = *(uint32_t *)(0x8000 + i*4);
}
}//wait for done
}
int main()
{
/* Enable global interrupt */
INT_SYS_EnableIRQGlobal();
/* interrupt test*/
FTFC->FCNFG |= 0x40;//enable read conflicit interrupt
INT_SYS_EnableIRQ(Read_Collision_IRQn);
EraseFlashSector();
}
Hi zhou shen,
感谢使用NXP 电源管理中文论坛;
1、MPC5744芯片内部的1.25V电压泵已被关闭 PMC.PMCCR.B.PMCCR_EN=0b1;
PMC.PMCCR.B.INT_REG_BYPASS=0b1,因为数据手册说会有噪声
2、我的MC35FA6500的散热焊盘没有接地,我从外部加锡用线接地,问题依然存在
散热焊盘与芯片内部没有电气连接,只是散热的作用;
3、焊接最小系统板,排除功率不够的问题,只保留MC35FS6500电源管理芯片和MPC5744最小系统,问题依然存在
以上办法都没有效果,请问还有没有其他解决办法?
按照你的描述,怀疑是3.3V供电导致这个问题,
首先,3.3V用外部PNP扩流时,输出精度为3%;
另外,用示波器测量3.3V输出电压波形,看波形中是否有1s周期的电压波动导致ADC输出异常,导致这个问题
你好,我把VCCA的PNP去掉,干扰现象是一样的,通过示波器看3.3V电压输出波形,没有1S周期的电压波动,目前的测试情况如下:
1、最小系统板产生的5V电压供给16位单片机使用,未见异常
2、最小系统板内部MC35FS6500只让它工作,切断和板内3.3V,5V的连接,板内的3.3V和5V电压由外部引进(共地),1.25V由单片机自己产生的话,AD读取电压时的干扰就消失了
3、MC35FS6500 的EXPOSED PAD 接地后AD干扰还是一样存在,也没有减小
你好
我最近在使用MC35FS6500电源管理芯片给MPC5744供电,其中Vcore提供1.25V,VCCA提供3.3V,VAUX提供5V,其中3.3V和1.25V给单片机供电,5V作为AD参考电压,VCCA和VAUX使用2个PNP扩展电流,SELECT电阻使用24K电阻,使用过程中我发现其他都没问题,但是AD采样大概每隔1秒都会有一个异常电压信号出来,例如每4MS发送一次CAN报文,12位AD采样,正常数据为0x01f6~0x01f9,会有0x0216这么大的误差每隔1秒发送出来,经过各种测试,我发现当我在自制板的MC35FS6500 3.3V输出并联一个3.3V或者直接用外部3.3V(共地)为板提供3.3V时,AD干扰消失,期间我也发现了其他可能导致该问题的原因,包括:
1、MPC5744芯片内部的1.25V电压泵已被关闭 PMC.PMCCR.B.PMCCR_EN=0b1;
PMC.PMCCR.B.INT_REG_BYPASS=0b1,因为数据手册说会有噪声
2、我的MC35FA6500的散热焊盘没有接地,我从外部加锡用线接地,问题依然存在
3、焊接最小系统板,排除功率不够的问题,只保留MC35FS6500电源管理芯片和MPC5744最小系统,问题依然存在
以上办法都没有效果,请问还有没有其他解决办法?
Hi Xiao Yao,
这个社区主要回答电源管理芯片的一些问题,MPC5746-MCU的问题请到下面链接的社区提问,那里会有专业的回答,谢谢!
https://community.nxp.com/community/s32/mpc5xxx
祝好!
Allan
你好
我最近在MPC 5746b mcu 的电源管理碰到了一些问题。当周期测试休眠唤醒时,有时会出现造成MCU卡死的现象
也就是无法唤醒,设置的唤醒源是由can的rx来触发唤醒的
整个流程大致是收到休眠报文时,先处理完数据后,deinit外设,然后设置唤醒源以及唤醒后程序开始运行的地址。
能帮我分析一下吗
谢谢啦
hi Xiao Yao,
做唤醒的CAN模块是MCU的CAN模块,还是供电芯片SBC的CAN 模块呢?
Best Regards
Allan
hi Allan An
用作唤醒的CAN模块是MCU的CAN模块
Best Regards
Xiao Yang