MIMXRT1176CVM8A电流功耗问题

[zzzz12]

您好

        我测试MIMXRT1176CVM8A最小系统板，同时也配置成了IO拉低，没初始化，除了一个flash芯片，让芯片工作起来，测量整个RT1176CVM8A最小系统的电源，发现在问题板的电流在160-170MA左右，而正常板的电流在130MA左右。将RT1176的GPIO_SNVS_09之前悬空，未配置输入上拉，进行配置，测量后仍然是170MA左右。对未用引脚，查看原理图未发现异常。能否帮忙进一步分析问题呢，谢谢

[zzzz12]

感谢您的回复，我在测试时发现如果配置了FBB（Forward Body Bias）就会出现电流差异，按时钟配置，配置内核电压1.25v，问题板会高出10-20mv，正常板子就1.25V，如果FBB设置为false不开，电流差异在10ma左右，问题板内核电压1.257v，FBB注释后电流就会和正常板一样，没有差异，我想问下这个FBB为什么会导致内核电压过高，有什么解决方法吗

[Sam_Gao]

@zzzz12 谢谢更新！

针对问题，关键点解释如下：

1. 从当前NXP给出的代码(BOARD_BootClockRUN();)不论是开FBB, 还是不开FBB，都不应该让内核电压工作在1.25V+, 这已经超出产品的要求了，长时间肯定会带来寿命影响，建议不要修改代码（默认DCDC工作1.15V左右）。

2. FBB确实会带来电压电流的差异影响，因为半导体工艺等因素，需要在某些场景下做FBB。但不应该产生上述1的影响。

谢谢。

[zzzz12]

谢谢提醒，我重新设置了内核电压 ，现在内核电压工作在1.14V了，但我在调试中发现在 if(((OCOTP->FUSEN[7].FUSE & 0x10U) >> 4U) != 1) 判断时问题板和正常板会进行两个不同分支的读取，问题板在true上调试 ，正常板在false上调试，不清楚是否跟eFUSE烧写有关系，能否给出指导建议呢，谢谢

[Sam_Gao]

Hi @zzzz12 

是和eFUSE有决定性的直接关系，且 只有CPU 工作在高频(OD - Over Drive模式)下才会遇到这个问题。

原因：因为半导体制造工艺导致异性，需要在OD模式兼顾CPU性能和功耗，所以增加了FBB。

[Sam_Gao]

Hi @zzzz12 

please see AN13148 to find I.MXRT1170 Low-Power Modes and how it works.

Generally speaking, there is no any specific data on the minimum system becasue different chips' combination with different working mode. But it is confirmed that Power consumption is related to Working Load/Mode, please see below screeshot to find Power Tree of RT1170 from hardware usage guide (Page7, MIMXRT1170EVKBHUG.pdf attched).