PCF85063ATT 晶振选择

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PCF85063ATT 晶振选择

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Nyx
Contributor I

PCF85063ATT是一款时钟芯片,外部需要挂载一个32.768K晶振,晶振一般有个参数是drive level(DL),有的晶振MAX DL是0.5uW,有的是1uW,PCF85063ATT相关参数中并未找到与这个对应的说明。请问选择那种比较合适?

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guoweisun
NXP TechSupport
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这个没有特别的要求我觉得都可以!

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Nyx
Contributor I
现在测试过程中发现MAX为0.5uW的晶振有一定概率出现时间偏快,这个概率是量产阶段不能接受的,而且远超晶振自身的参数20ppm,PCF85063ATT给晶振提供的激励在那个文档能查到或者能通过什么方法进行测试?
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guoweisun
NXP TechSupport
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他这个是无源晶振不需要激励啊,在选择晶振的时候就是选择低误差率的那种,可能比较贵

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Nyx
Contributor I

芯片的OSCI及OSCO是连接晶振的,有一个引脚是输入到晶振之内的,这个激励晶振的信号的电压及激励信号的电流值是不是就可以理解为组成 晶振参数中要求的DL 参数。

PCF85063ATT 芯片上OSCI及OSCO上的电压是多少?怎么对照晶振参数上的DL参数?

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