IMX6UL的内部LDO上电冲击电流问题

[liyoo]

你好：我们在测试IMX6UL的上电的时候发现，VDD_SOC_CAP和VDD_SARM_CAP的上电内部LDO对其输入电源VDD_SOC_IN有较大冲击，特别是VDD_SOC_CAP能把VDD_SOC_IN拉下。

（1）在规格书中看到PMU_REG_CORE寄存器中的RAMP_RATE和PMU_MISC2n寄存器中的REG2_STEP_TIME和REG0_STEP_TIME这些寄存器能调整内部LDO的上电斜率，但实际上写这些寄存器测试波形，不起效果。

（2）规格书中table11的comment中有VDD_SOC_IN must be 125mv higher than the LDO output Set point的要求，由于这个上电冲击电流，导致上电VDD_SOC_IN被拉下的瞬间与DD_SOC_CAP的压差达不到125mv的要求

请问：

（1）能否通过配置寄存器的方法来降低VDD_SOC_CAP和VDD_SARM_CAP的LDO冲击电流；怎么操作

（2）在上电阶段由于LDO打开冲击电流导致VDD_SOC_IN被拉下的瞬间与DD_SOC_CAP之间压差不能达到125mv的情况，是否被允许？是否会导致系统稳定性问题。这个125mv的压差是否是对稳定后的电源的要求？

[BiyongSUN]

The datasheet says run mode. not power up Sequence.

It is related to the DVFS settings. 

Power up Sequence has restrict in another chapter in the datasheet. 

[liyoo]

谢谢回复，那么，到底如何修改寄存器才能让这个LDO的上电斜率变缓呢？

[liyoo]

请NXP的技术支持帮忙回复下，谢谢

[Rita_Wang]

请问你这里用的板子是你们自己设计的板子吗？板子上跑的什么系统？

[liyoo]

(1)这个板子是我们自己画的，其他功能都正常，高低温测试也没有问题。我们也测试了一块外购的开发板，这个LDO拉低输入电源的问题也同样存在。 而且在输入端增加电容收效甚微，只有去掉LDO输入的22uf电容才能消除这个冲击电流，手册上明确需要这个22uf的电容。

（2）文件系统是rootfs根文件系统，内核是linux4.15