LPC800 一个Page(64 Bytes)的擦除和写入时间?

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LPC800 一个Page(64 Bytes)的擦除和写入时间?

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NXP Employee
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Content originally posted in LPCWare by h2so4mosquito on Mon Feb 18 22:47:01 CST 2013
如题,单个Page的擦写时间也没有标出。LPC800的Flash中每个Sector比LPC1111小,但擦除时间都是100MS,请问这是为何?相比其他品牌的MCU
将Flash模拟成E2PROM使用,NXP的擦写时间实在太慢,在一些要求快速保存数据的应用中有所欠缺,后续是否会有改进?
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NXP Employee
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Content originally posted in LPCWare by haku on Wed Feb 20 13:39:18 CST 2013
市面上有不少品牌,针对cortex-M0内核而言,在flash性能方面应该说是各有千秋,相差不大。
比如ST的 STM32F050x4 STM32F050x6,擦写时间是40ms, 但还是设计保证,产品不保证,挺搞笑的。
最小擦写单位是1k的,灵活性比nxp的差远了。
另外flash擦除的主要时间都花在校验上了,擦一个page,一个sector,或多个连续sector的时间都差不多,和size关系不大。
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