经常有客户在使用LPC55S69的过程中遇到读 Flash进入异常HardFault中断的现象。如果在Flash Mass Erase之后从未对Flash扇区进行过写操作，直接用指针通过AHB读Flash地址会导致程序跳入HardFault 中断而无法继续正常运行。
原因
刚出厂的LPC55Sxx FLASH处于全零的全擦除状态，没有设置ECC。当芯片通过LinkServer 和MCUXpresso IDE建立连接时，先擦除要下载代码用到的扇区，再把代码下载到对应位置，并对相应存储区的ECC值同时进行更新。代码以外的区域仍然是无ECC设置的擦除状态。
当LPC55Sxx 通过AHB总线直接读取Flash内存区域时（例如，mytemp = *(uint32_t*)0x4000）要对Flash ECC进行校验。这一指令对于读有效代码区是没有问题的， 因为这一区域的ECC在下载代码时早已设置好。但是一旦读取没有代码的扇区，由于没有检测到正确的ECC，导致Flash读取失败，并跳转到下图中的HardFault_Handler()异常中断：
我们在Sector Erase后通过AHB读取Flash内存内容，也会遇到同样的HardFault异常跳转，出问题的原因都是一样的。
解决方法
针对这一问题我们有如下两种解决方法：
- 先执行Flash写操作，再读取Flash
与Flash 擦除操作不同，执行Flash写操作后对应的ECC值也同步更新。这样，ECC校验通过后，通过下面的代码就可以对Flash直接进行AHB读取。
volatile uint32_t mytemp;
……
mytemp = *(uint32_t*)0x1000;//read memory content 0x1000 to mytemp
请注意：0x1000必须是一个已经写过的地址。
如果Flash的某个扇区处于被擦除的状态，我们只需要在通过AHB总线读取内存区域之前对该区域执行写操作，这样ECC校验位更新正确后，就可以正常读Flash。 Flash的写操作可以参考MCUXpresso SDK自带的flashiap例程，函数FLASH_Program。
- 使用Flash控制指令读取Flash区内容
使用Flash控制指令进行读操作不会导致硬件错误（请参阅UM11126 “Command listing (CMD)”章节）。这是用户手册中推荐的读Flash正确打开方式。
请注意：CPU只有在频率低于100MHz时，才能进行Flash操作（读，写，擦除，校验，等等），当CPU频率超过100MHz时是不能实现上述操作的。
目前，官方没有提供上用控制指令读取Flash内容的例程，因此需要您根据下面步骤创建自己的读Flash程序。
开发环境：
IDE: MCUXpresso IDE v11.1.0
SDK MCUXpresso SDK v2.7.0
步骤：
- 在MCUXpresso IDE中导入一个基础例程，如led_blinky
- 在下图所述选项中添加iap组件
选择iap1,点击OK
点击完OK之后，fsl_iap_ffr.h, fsl_iap.c, fsl_iap.h文件将自动添加到工程中
- 在source文件夹中添加附件中的memory.h和memory.c文件
4) 使用Flash 控制指令时，需要在源文件中添加memory.h, fsl_iap.h
5) 调用memory初始化和memory读取函数
6）调试，单步执行（step over）到memory_read()，查看结果
