电源管理芯片中文社区のトピックRe: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

jinyuzhang — Wed, 20 Feb 2019 03:12:09 GMT

尊敬的客户:

感谢你选择恩智浦半导体的芯片，如果有任何技术问题，请您在本社区提问，我们将会尽快回复。

谢谢。

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

652319403 — Fri, 24 May 2019 08:51:42 GMT

你好

我最近在MPC 5746b mcu 的电源管理碰到了一些问题。当周期测试休眠唤醒时，有时会出现造成MCU卡死的现象

也就是无法唤醒，设置的唤醒源是由can的rx来触发唤醒的

整个流程大致是收到休眠报文时，先处理完数据后，deinit外设，然后设置唤醒源以及唤醒后程序开始运行的地址。

能帮我分析一下吗

谢谢啦

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

AllanAn — Wed, 29 May 2019 02:36:16 GMT

hi Xiao Yao,

做唤醒的CAN模块是MCU的CAN模块，还是供电芯片SBC的CAN 模块呢？

Best Regards

Allan

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

652319403 — Wed, 29 May 2019 02:55:02 GMT

hi Allan An

用作唤醒的CAN模块是MCU的CAN模块

Best Regards

Xiao Yang

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

AllanAn — Wed, 12 Jun 2019 00:47:40 GMT

Hi Xiao Yao，

这个社区主要回答电源管理芯片的一些问题，MPC5746-MCU的问题请到下面链接的社区提问，那里会有专业的回答,谢谢！

https://community.nxp.com/community/s32/mpc5xxx

祝好！

Allan

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

erreer — Fri, 17 Jan 2020 01:42:31 GMT

你好

我最近在使用MC35FS6500电源管理芯片给MPC5744供电，其中Vcore提供1.25V,VCCA提供3.3V,VAUX提供5V,其中3.3V和1.25V给单片机供电，5V作为AD参考电压，VCCA和VAUX使用2个PNP扩展电流，SELECT电阻使用24K电阻，使用过程中我发现其他都没问题，但是AD采样大概每隔1秒都会有一个异常电压信号出来，例如每4MS发送一次CAN报文，12位AD采样，正常数据为0x01f6~0x01f9,会有0x0216这么大的误差每隔1秒发送出来，经过各种测试，我发现当我在自制板的MC35FS6500 3.3V输出并联一个3.3V或者直接用外部3.3V（共地）为板提供3.3V时，AD干扰消失，期间我也发现了其他可能导致该问题的原因，包括：

1、MPC5744芯片内部的1.25V电压泵已被关闭 PMC.PMCCR.B.PMCCR_EN=0b1;
PMC.PMCCR.B.INT_REG_BYPASS=0b1，因为数据手册说会有噪声

2、我的MC35FA6500的散热焊盘没有接地，我从外部加锡用线接地，问题依然存在

3、焊接最小系统板，排除功率不够的问题，只保留MC35FS6500电源管理芯片和MPC5744最小系统，问题依然存在

以上办法都没有效果，请问还有没有其他解决办法？

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

AllanAn — Mon, 20 Jan 2020 03:05:08 GMT

Hi zhou shen,

感谢使用NXP 电源管理中文论坛；

1、MPC5744芯片内部的1.25V电压泵已被关闭 PMC.PMCCR.B.PMCCR_EN=0b1;
PMC.PMCCR.B.INT_REG_BYPASS=0b1，因为数据手册说会有噪声

2、我的MC35FA6500的散热焊盘没有接地，我从外部加锡用线接地，问题依然存在

散热焊盘与芯片内部没有电气连接，只是散热的作用；

3、焊接最小系统板，排除功率不够的问题，只保留MC35FS6500电源管理芯片和MPC5744最小系统，问题依然存在

以上办法都没有效果，请问还有没有其他解决办法？

按照你的描述，怀疑是3.3V供电导致这个问题，

首先，3.3V用外部PNP扩流时，输出精度为3%；

另外，用示波器测量3.3V输出电压波形，看波形中是否有1s周期的电压波动导致ADC输出异常，导致这个问题

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

erreer — Mon, 20 Jan 2020 08:07:50 GMT

你好，我把VCCA的PNP去掉，干扰现象是一样的，通过示波器看3.3V电压输出波形，没有1S周期的电压波动，目前的测试情况如下：

1、最小系统板产生的5V电压供给16位单片机使用，未见异常

2、最小系统板内部MC35FS6500只让它工作，切断和板内3.3V，5V的连接，板内的3.3V和5V电压由外部引进（共地），1.25V由单片机自己产生的话，AD读取电压时的干扰就消失了

3、MC35FS6500 的EXPOSED PAD 接地后AD干扰还是一样存在，也没有减小

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

814420552 — Fri, 04 Sep 2020 05:33:00 GMT

你好

请教一下S32K146 的读冲突中断是怎么测试出来的，能否给一个demo code？

我的代码简单测试流程下面回列出来但是就是无法产生这个读冲突中断，能否帮忙指点一下为啥这样不产生读冲突中断，感谢你的回答

void EraseFlashSector(void)
{
uint32_t address = 0x00008000;
uint32_t flashData = 0 ;
uint32_t i = 0;
uint32_t expectData = 0;
uint32_t FailAddr = 0;

//erase 4KB flash sector (the smallest entity that can be erased)
while((FTFC->FSTAT & FTFC_FSTAT_CCIF_MASK) == 0); // Wait if operation in progress
FTFC->FSTAT = FTFC_FSTAT_ACCERR_MASK | FTFC_FSTAT_FPVIOL_MASK;

FTFC->FCCOB[3] = 0x09; //Erase Flash Sector command (0x09)
FTFC->FCCOB[2] = (address >> 16) & 0xff; //Flash address [23:16]
FTFC->FCCOB[1] = (address >> & 0xff; //Flash address [15:08]
FTFC->FCCOB[0] = address & 0xff; //Flash address [7:0]

FTFC->FSTAT = FTFC_FSTAT_CCIF_MASK; //launch command
while(( FTFC->FSTAT & FTFC_FSTAT_CCIF_MASK) == 0)
{

expectData = 0xFFFFFFFF;

for(i=0; i< 1024; i++)
{
FLASH_DRV_ProgramCheck(&flashSSDConfig, 0x8000+i*4, 4, &expectData, &FailAddr, 1);
}

flashData = *(uint32_t *)(0x8000 + 4);

flashData = *(uint32_t *)(0x8000 + 8);

flashData = *(uint64_t *)(0x8000 + 16);

for(i = 0; i< 1024;i++)
{
flashData = *(uint32_t *)(0x8000 + i*4);
}
}//wait for done
}

int main()

{

/* Enable global interrupt */
INT_SYS_EnableIRQGlobal();

/* interrupt test*/
FTFC->FCNFG |= 0x40;//enable read conflicit interrupt
INT_SYS_EnableIRQ(Read_Collision_IRQn);

EraseFlashSector();

}

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

yanren — Sun, 20 Jun 2021 04:31:07 GMT

模拟EEPROM出了问题，并且不知道如何将数据写到EEPROM特定位置。

现在用S32k142写关于bootloader的程序，因为要用到0x2E(按标识符写数据)将数据写到特定位置，因为上述问题导致这个服务写不成功。官网上的那个关于142的bootloader例程（S32K142_CAN_bootloader），我也看了，它就调用了一个autolibc.c的函数，我不知道它把数据存到哪里，并且好像也没进行模拟EEPROM。

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

韩先生 — Tue, 22 Feb 2022 11:37:53 GMT

TEA2017AAT/2这个产品有没有中文版规格书啊，非常需要获得，谢谢！

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

MOU-SHENG — Fri, 08 Sep 2023 01:40:19 GMT

Morning Sir,

My question is

Can we make current-sensing on PFC stage by using 2 current transformers

when design power supply with TEA2017AAT IC ?

THANKS!

Re: 欢迎来到恩智浦电源管理芯片中文技术社区

chenhua — Thu, 23 May 2024 05:40:38 GMT

终于有人说中文了，我还以为走错了地方。

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mirath — Thu, 21 Nov 2024 06:49:49 GMT

我在研究MC33665的datasheet，发现TPL2消息体有问题，第二个16bit数据中，MS+RADD+MADD+CADD+DADD数据长度为18bit，大于16bit，这里怎么理解？

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edgar123 — Fri, 13 Dec 2024 05:54:32 GMT

CADD[2]是CADD的最高位，一位不是三位。

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chengxueting — Thu, 10 Apr 2025 10:41:07 GMT

你好，我最近在开发电源芯片FS6522，当我烧写了一版将WD_WINDOW 值设置为 12ms的程序后，我再烧写之前的程序就连接不上仿真器了，一直复位，之前的程序里这个值设置的是 128ms，请问这个问题有什么解决思路吗

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